場發射透射電子顯微鏡系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2007年5月4日啟用。
基本介紹
- 中文名:場發射透射電子顯微鏡系統
- 產地:捷克
- 學科領域:物理學、化學、材料科學、電子與通信技術
- 啟用日期:2007年5月4日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 透射電鏡
場發射透射電子顯微鏡系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2007年5月4日啟用。
場發射透射電子顯微鏡系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2007年5月4日啟用。技術指標TEM形貌像,HRTEM晶格像;選區電子衍射花樣SED,STEM(HAADF)掃描透射像,微區成分...
場發射電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年12月24日啟用。技術指標 200KV場發射透射電子顯微鏡,配備聚光鏡球差校正系統,能譜分析,STEM功能等。主要功能 解析度達原子水平的形貌分析;結合EDS,可做元素的線掃、面...
場發射透射顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2003年12月1日啟用。技術指標 點解析度:0.19 nm。最大傾轉角:X=±35°,Y=±30° 。最小束斑尺寸: 0.5nm。主要功能 2010F是涵蓋能量過濾,場發射分析的TEM/STEM儀器...
克魯和他的同事發明了冷場電子發射源,同時建造了一台能夠對很薄的碳襯底之上的重原子進行觀察的掃描透射電子顯微鏡。背景知識 電子 理論上,光學顯微鏡所能達到的最大解析度,d,受到照射在樣品上的光子波長λ以及光學系統的數值孔徑,NA...
場發射透射電鏡(field emission transmission electron microscope)是2018年公布的生物物理學名詞。定義 一種配有場發射電子槍的透射電子顯微鏡。可獲得優於鎢燈絲透射電鏡的相干性和亮度,進而大大提高成像的分辨力。出處 《生物物理學名詞...
場發射掃描電子顯微鏡的日常維護中,操作人員應定期檢查儀器設備的環境條件、光學系統、真空系統及附屬檔案設施,確保儀器在最佳工作狀態下使用。試樣的前處理好壞對場發射掃描電子顯微鏡的維護保養也有一定的影響,要保持試樣清潔、乾燥和具有良好...
場發射分析型透射電子顯微鏡是一種用於材料科學、化學、地球科學、臨床醫學領域的分析儀器,於2013年12月13日啟用。技術指標 點解析度:0.19 nm; 晶格解析度:0.10 nm; 掃描透射晶格解析度:0.2 nm ;能譜能量解析度:136 eV。主要...
場發射序列掃描電子顯微鏡系統是一種用於基礎醫學領域的分析儀器,於2017年12月4日啟用。技術指標 1kV解析度小於1.3nm,30kV解析度小於1nm。具有多能量電子成像功能,配合內置切片機和專用探測器實現樣品三維空間的超高對比度和極高解析度成像...
雙束場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器,於2011年12月27日啟用。技術指標 1、場發射槍 2、FIB最大束流20nA,SEM解析度1.1nm@20kv,FIB解析度2.5nm@30kv 3、具有Pt氣體沉積系統。主要功能...
Titan Krios透射電子顯微鏡是目前非常先進的細胞和生物大分子成像設備。其電壓可以在80-300 kV範圍內調整。高穩定的場發射電子槍使照明光源的相干性和亮度大大提高。三級聚光鏡照明系統可實現寬範圍連續可調的平行光照明。其配備革命性的...
場發射環境掃描電子顯微鏡系統是一種用於化學、基礎醫學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2007年12月28日啟用。技術指標 解析度高真空30KV優於2.0nm/低真空時30KV優於3.5nm;環境真空:30KV優於2.0nm;對樣品...
利用這一系統獲得的鋯石高清晰CL圖像及CL譜圖分析結果顯示其在鋯石等發光礦物的微區結構特徵研究和成因類型鑑別中有廣泛的套用前景。場發射掃描電子顯微鏡(簡稱場發射掃描電鏡)是研究微觀世界的重要工具之一,為人們在微納米尺度上研究物質...
透射電子顯微鏡 因電子束穿透樣品後,再用電子透鏡成像放大而得名。它的光路與光學顯微鏡相仿,可以直接獲得一個樣本的投影。通過改變物鏡的透鏡系統人們可以直接放大物鏡的焦點的像。由此人們可以獲得電子衍射像。使用這個像可以分析樣本的...
冷場發射槍雙球差校正透射電子顯微鏡 冷場發射槍雙球差校正透射電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2012年12月14日啟用。技術指標 解析度0.078nm。主要功能 材料微結構分析。
場發射掃描電子顯微鏡分析系統成分探測系統是一種用於化學領域的科學儀器,於2017年9月26日啟用。技術指標 解析度:二次電子(SE)像,高真空模式:15kV時≤1.0 nm;1kV時≤1.4 nm。主要功能 用於材料表面微觀形貌觀察。
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子解析度≤0.6nm(15kV);二次電子解析度≤0.9nm(1kV)。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、...