場發射槍掃描電子顯微鏡

場發射槍掃描電子顯微鏡適用於金屬、陶瓷、半導體、礦物、生物、高分子、複合材料和納米級一維、二維和三維材料的表面形貌進行觀察（二次電子像、背散射電子像）； 可進行微區的點、線、面成分分析； 指定元素在形貌上成象； 晶體材料的晶體取向及微區取向分析、結構分析、正反極圖、歐拉空間分析等； 圖象定量分析(%)

基本介紹

• 中文名：場發射槍掃描電子顯微鏡
• 外文名：Field emission gun scanning electron microscope
• 主要用途： 圖象定量分析
• 儀器類別：掃描式電子顯微鏡
• 附屬檔案信息：二次電子探測器

儀器類別

0304070201 /儀器儀表 /光學儀器 /電子光學及離子光學儀器 /掃描式電子顯微鏡。

指標信息

二次電子圖像（SEI） 解析度1.5nm 背散射電子圖像（BEI) 解析度3.0nm X射線能譜儀（EDS） 解析度128ev 分析範圍B5～U92 電子背散射衍射（EBSP）空間解析度：0.5μm 採集時間20ms～2s/每菊池圖數字圖像採集系統 解析度512×384pixe1 1024×768。

場發射掃描電子顯微鏡

場發射掃描電子顯微鏡（FESEM）是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高解析度，能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。

該儀器利用二次電子成像原理，在鍍膜或不鍍膜的基礎上，低電壓下通過在納米尺度上觀察生物樣品如組織、細胞、微生物以及生物大分子等，獲得忠實原貌的立體感強的樣品表面超微形貌結構信息。 具有高性能x射線能譜儀，能同時進行樣品表層的微區點線面元素的定性、半定量及定量分析，具有形貌、化學組分綜合分析能力。

掃描電子顯微鏡因其解析度高、景深大、圖像更富立體感、放大倍數可調範圍寬等優點而被廣泛套用於半導體、無機非金屬材料及器件等的檢測。隨著我國經濟的迅速發展，高校、科研單位、企業等大量引進了場發射掃描電子顯微鏡。但是在掃描電子顯微鏡的使用過程中，特別是在安裝初期，使用者通常由於對電鏡的運行狀態缺乏系統認識，經常會遇到軟體當機、樣品台被卡、真空問題等多種故障。解決方式一般為請維修工程師上門維修，除花費時間和費用外，也造成了對電鏡操作者的心裡束縛。筆者以德國蔡司ULTRA　PLUS掃描電子顯微鏡為例，從環境條件、光學系統、真空系統及附屬檔案設施4個方面總結了熱場發射掃描電子顯微鏡運行狀態的幾種檢查方法和維護保養經驗。

相關研究

鋯石等測年礦物的陰極螢光(CL)圖像分析是礦物微區成分分析和U(Th)-Pb年齡測定及其地質意義討論的必要性前期工作。介紹了一套由場發射環境掃描電子顯微鏡和高性能陰極螢光譜儀聯合構成的CL分析系統，它在CI成像質量、圖像解析度及CL譜分析等方面具有明顯優勢。

利用這一系統獲得的鋯石高清晰CL圖像及CL譜圖分析結果顯示其在鋯石等發光礦物的微區結構特徵研究和成因類型鑑別中有廣泛的套用前景。

場發射掃描電子顯微鏡（簡稱場發射掃描電鏡）是研究微觀世界的重要工具之一，為人們在微納米尺度上研究物質的結構提供了有力的手段，在材料科學等眾多學科領域及質量過程控制中得到日益廣泛的套用。