先進電子材料與器件平台（AEMD）創建於2012年，是為上海交通大學科研工作提供服務的大型儀器設備校級共享平台，具備10nm至微米級微納器件與圖形的加工與測試能。AEMD平台在學校各級領導的大力支持下，成為相關學科依託發展的重要支撐力，同時也為科研工作提供完善的保障。
AEMD平台也向社會相關科研機構與企業公開開放，提供相關項目合作與微納加工服務
基本介紹
- 中文名：先進電子材料與器件平台
- 外文名：Center for Advanced Electronic Materials and Devices
平台簡介,VistecEBPG-5200電子束光刻系統,場發射電子束/聚焦離子束雙束系統,設備目錄（詳情介紹：http://aemd.sjtu.edu.cn）,光刻區,薄膜I區,薄膜II區,測試區,氧化擴散區,
平台簡介
先進電子材料與器件平台（AEMD）創建於2012年，是為全校科研工作提供服務的大型儀器設備校級共享平台，具備10nm至微米級微納器件與圖形的加工與測試能力。AEMD平台在學校各級領導的大力支持下，成為相關學科依託發展的重要支撐力，同時也為科研工作提供完善的保障。
AEMD平台分別座落於交大閔行校區微電子大樓一層（西區）以及綜合實驗樓一層（東區），實驗室共有近1510m的100級、1000級淨化室，其中100級210 m，1000級約1300m。除此之外，平台還擁用近250m非淨化測試加工區。
平台建設有一條能對矽、玻璃和有機材料進行微納米加工的3～6英寸半導體級實驗線（西區實驗室）以及一條3～4英寸非矽/MEMS微納加工實驗線（東區實驗室），部分設備可實現8英寸基片加工。平台擁有電子束曝光系統、雙束聚焦離子束系統、雙面對準紫外光刻機（3台）、熱壓/紫外納米壓印系統、塗膠顯影系統（3套）、微波去膠機（3台）、氧化擴散爐（5管，2套）、多晶矽/氮化矽LPCVD爐（2管）、快速熱處理設備、濕法清洗刻蝕台（12台套）、多靶磁控濺射系統（4台套）、超高真空磁控濺射系統、電子束蒸發設備（2套）、離子束濺射機、離子束刻蝕機、等離子增強化學氣相沉積設備、金屬反應離子刻蝕設備、介質反應離子刻蝕設備、深矽刻蝕系統（2套）、微電鑄/電鍍系統、OLED器件實驗製備系統、基片拋磨設備、砂輪切片系統、場發射掃描電鏡、原子力顯微鏡、半導體參數測試儀（2套）、霍爾效應儀、四探針測試儀、表面輪廓儀（3台）、紫外膜厚儀等先進的微納加工與測試設備，具備10nm至微米級微納器件與圖形的加工與測試能力。
AEMD平台的創建提高了我校大型儀器的利用水平，並為跨學科的交叉研究、國內外的合作提供了平台，也為高層次的人才培養提供了良好的實驗基地；平台也向社會相關科研機構與企業公開開放，提供相關項目合作與微納加工服務。
About Center for Advanced Electronic Materials and Devices (AEMD)
Center for Advanced Electronic Materials and Devices (AEMD) of Shanghai Jiao Tong University was invested by the ‘985 Project’ of Ministry of Education. The center intends to build university-level micro-nano fabrication and testing platform and perform the state of art research on semiconductor materials and devices, optoelectronic materials and devices, MEMS technologies, and IC chip packaging technologies. It is also opened to the research groups outside the university.
VistecEBPG-5200電子束光刻系統
（Vistec EBPG-5200Electron-beam lithography system）
主要技術指標/Specifications:
1. 最大加速電壓：100KV
Accelerating voltage: 100KV
2. 最大掃描速度：50MHZ
Pattern generator frequency: 50MHz
3. 束流：0.1nA~100nA
Beam current：0.1nA~100nA
4. 最小束斑直徑：≤3nm
Minimum beam spot size: ≤3nm
5. 電子束定址位DAC: 20bits主場，14bits子場
DAC addressing: 20bits main field, 14bits sub field
6. 最小實測線寬：≤8nm
Minimum measured line width：≤8nm
7. 最小重合/拼接精度：±12 nm
Minimum stitching/overlay accuracy: ±12 nm
8. 最大寫場：1mm*1mm
Write filed: 1mm*1mm
9. 基片尺寸：支持8英寸基片及6英寸掩膜版，同時兼容3、4、5、6英寸矽片與4、5、6、7英寸掩膜版、以及破片的電子束加工，最大基片厚度0.675mm。
Substrate size: 2”,3”,4”,5”, 6”,8”, and pieces with max thickness 0.675 mm for wafers. Full range of multi piece part holders for different of material
Mask Holder: 3”,4”,5”, 6”, 7” (max. thickness: 0.09” for 5” mask holder, 0.25” for 6” mask holder)
主要用途/Application:
微納器件加工中曝光納米級結構圖型，可用於各種納米結構及器件、光刻掩膜版以及納米壓印模板等的加工.
Electron beam direct writing of nanometer-scale pattern or nano-devices. Application on fabrication of various nano-structure, devices, photo mask and nano-imprint template with high write speed and large write field.
Zeiss Auriga
場發射電子束/聚焦離子束雙束系統
（ZEISS Auriga SEM/FIB Crossbeam System）
主要技術指標/Specifications:
電子束：Electron beam:
1、 解析度：≤1.0nm@15V，≤1.9nm@1KV
Resolution: ≤1.0nm@15V，≤1.9nm@1KV
2、 加速電壓：0.1KV-30KV
Acceleration voltage: 0.1KV-30KV
3、 電子槍:熱場發射電子槍
Election gun: thermal field emission type
離子束：Ion Beam:
1、 離子源種類：液態Ga離子源
Ion source type: liquid Ga+ source
2、 解析度：≤2.5nm@30kV
Resolution: ≤2.5nm@30kV
3、 加速電壓：1kV-30kV
Acceleration voltage: 1kV-30kV
輔助功能/Assistant functions:
1、 Pt,W,C,SiO2,XeF2氣體注入系統：可在離子束、電子束誘導下進行可控沉積及增強或選擇性刻蝕；
Multi-gas injection system (GIS) for Pt, W, C,SiO2,XeF2: Controllable deposition and enhancing or selective etching can be performed by e-beam or ion beam inducing;
2、 牛津納米機械手（含電學性能測試）：透射電鏡取樣系統，可提取FIB切割後的微小樣品，配合FIB對納米材料進行搬運、操縱；
Oxford OmniprobeAutoprobe Model Nanomanipulators including advanced electrical test accessory:
Specimen preparation for transmission electron microscope;
3、 三維成像系統：可實現對樣品的自動切割，自動拍照以及所有照片疊加後的三維重構；
Nano Tomography Wizard for software guided parameter setting and automated acquisition of 3D data stacks;
4、 微納米加工系統：具備離子束沉積並加工複雜圖形的軟硬體系統；
Patterning of Complex nanostructures and high resolution imaging based on Zeiss nanoPatterning Engine: Package Containing all features of standard package plus enhancement for real-time review of patterning operations and end-pointing. Includes full ATLAS and ATLAS3D functionality;
5、 具有電子束流槍，可對絕緣體材料無干擾加工或刻蝕；
Electron Flood Gun for neutralization of positive charges (FIB milling).Insulating materials micro-processing can be performed;
6、 最大樣品尺寸不大於150mm。極限真空：優於5×10ETorr。
Maximum sample size is not more than 150mm. Ultimate vacuum: prior to 5×105E-7Torr.
主要用途/Applications:
雙束系統中場發射掃描電鏡主要用於觀察、分析和記錄材料的微觀形貌，聚焦離子束用來對樣品進行在微納米尺度下的圖形沉積、切割、刻蝕、透射樣品製備及原子探針針尖加工等工作。
In SEM/FIB crossbeam system, SEM is utilized in observation of surface morphologies, and FIB is used in the micro-processing including pattern deposition, slicing, milling, etching, TEM specimen preparation and probe fabrication, etc.
設備目錄（詳情介紹：http://aemd.sjtu.edu.cn）
光刻區
光刻設備
Vistec EBPG-5200+電子束光刻系統
SUSS MA 6雙面對準光刻機
Princision Imprint PI-D01納米壓印機
熱處理設備
SVS OV-12 HMDS 烘箱
旋塗設備
SUSS高性能塗膠機I
Laurell 650-8N高性能塗膠機
測試設備
Ocean Optics 可見光膜厚測量儀
薄膜I區
薄膜沉積設備
Denton電子束蒸發鍍膜設備
Denton多靶磁控濺射鍍膜系統
HARRICK等離子清洗機
微納圖形加工設備
Zeiss Auriga場發射電子束/聚焦離子束雙束系統
測試設備
KLA-Tencor P7 台階儀
薄膜II區
薄膜沉積設備
Oxford 電漿增強化學氣相沉積系統
刻蝕設備
Sentech ICP反應離子刻蝕機（用於金屬薄膜）
NMC ICP反應離子刻蝕機（用於介質薄膜）
SPTS反應離子式深矽刻蝕系統（DRIE-I）
NMC反應離子式深矽刻蝕系統（DRIE-II）
PVA-TePla微波等離子去膠機/表面處理機
測試設備
FSM薄膜應力測量儀
Ocean Optics紫外干涉膜厚儀
測試區
測試設備
Zeiss Ultra Plus場發射掃描電子顯微鏡
Bruker ICON原子力顯微鏡
Agilent BA1500半導體參數測試儀與MM探針台
氧化擴散區
氧化擴散設備
SVCS臥式低壓化學氣相沉積爐管
SVCS臥式氧化擴散爐管
測試設備
CDResMap四探針電阻率/方塊電阻測試儀
