場發射透射顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2003年12月1日啟用。
場發射透射顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2003年12月1日啟用。技術指標點解析度：0.19 nm。最大傾轉角：X＝±35°，Y＝±30° 。最小束斑尺寸： 0.5nm。1主要功能2010F是涵蓋能量過濾，場...
場發射透射電子顯微鏡可對金屬、礦物、半導體、陶瓷、生物、高分子、複合材料、催化劑等材料進行微觀形貌、晶體結構、晶體缺陷、晶粒晶向及成份分析。2024年1月20日，由生物島實驗室領銜研製，擁有自主智慧財產權的首台國產場發射透射電子顯微鏡...
電子顯微鏡中的電子通常通過電子熱發射過程從鎢燈絲上射出，或者採用場電子發射方式得到。隨後電子通過電勢差進行加速，並通過靜電場與電磁透鏡聚焦在樣品上。透射出的電子束包含有電子強度、相位、以及周期性的信息，這些信息將被用於成像。...
場發射顯微鏡（FEM）原理 右圖1所示是場發射顯微鏡的結構原理圖，泡中尖端狀的樣品被固定在加熱絲上，位於球形玻殼的中心，作為場電子發射陰極，表示為K。玻殼視窗的內壁先蒸塗上一層透明的導電層（通常為二氧化錫），然後塗敷上螢光粉...
場發射透射電鏡（field emission transmission electron microscope）是2018年公布的生物物理學名詞。定義 一種配有場發射電子槍的透射電子顯微鏡。可獲得優於鎢燈絲透射電鏡的相干性和亮度，進而大大提高成像的分辨力。出處 《生物物理學名詞...
場發射能量過濾透射電子顯微鏡 場發射能量過濾透射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2003年11月8日啟用。技術指標 放大倍數：20k~40k倍 點解析度：0.23nm 條紋解析度：0.10nm。主要功能 材料微觀觀察、形貌觀察。
場發射透射電子顯微鏡系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器，於2007年5月4日啟用。技術指標 TEM形貌像，HRTEM晶格像；選區電子衍射花樣SED，STEM（HAADF）掃描透射像，微區成分分析（點、線、面） 點...
場發射電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2015年12月24日啟用。技術指標 200KV場發射透射電子顯微鏡，配備聚光鏡球差校正系統，能譜分析，STEM功能等。主要功能 解析度達原子水平的形貌分析；結合EDS，可做元素的線掃、面...
場發射掃描電子顯微鏡（FESEM）是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高解析度，能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理，在鍍膜或不鍍膜的基礎上，低電壓下通過在納米尺度上觀察生物樣品...
Tecnai Arctica是在Tecnai F20的基礎上發展的一款透射電鏡。高穩定的場發射電子槍使照明光源的相干性和亮度大大提高。其配備革命性的冷凍技術，可以一次裝入最多達12個樣品，並連續自動使樣品處於液氮溫度。Phase plate可以大大提高圖像的襯...
場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2013年9月13日啟用。技術指標 二次電子解析度 1.0nm （加速電壓15kV、WD＝4mm） 1.3nm （加速電壓1kV、WD＝1.5mm） 加速電壓 0.1～30kV 觀測倍率 20～8000,000(...
Titan Krios透射電子顯微鏡是目前非常先進的細胞和生物大分子成像設備。其電壓可以在80-300 kV範圍內調整。高穩定的場發射電子槍使照明光源的相干性和亮度大大提高。三級聚光鏡照明系統可實現寬範圍連續可調的平行光照明。其配備革命性的...
場發射透射電鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年4月10日啟用。技術指標 1．點解析度：≤0.24nm；信息解析度：≤0.14nm；能量解析度: ≤0.7eV； 2．最小放大倍數: 80× 最大放大倍數: 1,000,000×； 3．樣品...
超高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2007年07月21日啟用。技術指標 1. 解析度 高真空模式 1.0nm @ 15kv；1.8nm @ 1kv；0.8nm @ 30kv（stem探測器）；低真空模式 1.5nm @ 10kv（helix探測...
掃描透射電子顯微鏡是指透射電子顯微鏡中有掃描附屬檔案者，尤其是指採用場發射電子槍作成的掃描透射電子顯微鏡。掃描透射電子顯微分析是綜合了掃描和普通透射電子分析的原理和特點而出現的一種新型分析方式。掃描透射電子顯微鏡是透射電子顯微鏡的一...
場發射掃描電子顯微鏡1530VP是一種用於地球科學、生物學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器，於2006年1月7日啟用。技術指標 電子槍: 熱場發射 加速電壓: 100V~30kV 放大倍數: 20×~900,000× 解析度：1.0nm（20kV）；2.5...
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器，於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率：1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
超高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學工程領域的分析儀器，於2017年11月17日啟用。技術指標 1.加速電壓：0.1kV - 30kV 2.解析度：0.8nm(15kV) 3.放大倍率：20x – 800,000x 4.配備日本Horiba公司能譜儀：X-MAX，檢測元素範圍...
熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2018年12月20日啟用。技術指標 1.具有高分辨能力的半浸沒式物鏡（Semi-in-lens） 半浸沒式物鏡能將電子束收縮的很細，即使在低加速電壓下也能實現高分辨。 2.採用GENTLE...
高分辨場發射電子顯微鏡 高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器，於2014年10月1日啟用。技術指標 解析度1.0nm（15kV,4mm）。主要功能 形貌觀察。
FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年4月24日啟用。技術指標 二次電子解析度 15KV時優於0.8nm，1KV時優於0.9nm；STEM模式，BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器，超高解析度熱場發射...
主要用途： Quanta 200 FEG場發射環境掃描電子顯微鏡綜合場發射電鏡高分辨和ESEM環境掃描電鏡適合樣品多樣性的優勢 儀器類別 0304070202 /儀器儀表 /光學儀器 /電子光學及離子光學儀器 /台式掃描電子顯微鏡 指標信息 1、場發射環境掃描電子...
場發射掃描電子顯微鏡及原位拉伸台 場發射掃描電子顯微鏡及原位拉伸台是一種用於能源科學技術領域的科學儀器，於2017年12月18日啟用。技術指標 工作電壓15Kv,解析度0.8nm。主要功能 各種樣品的微觀形貌觀察和變形分析。
ZEISS熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、能源科學技術領域的分析儀器，於2016年1月1日啟用。技術指標 放大倍率：範圍:12×～1000,000×；工作距離：範圍可由1mm至50mm。主要功能 觀察材料表面微觀形貌。
冷場場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器，於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.0nm @ 15kV,能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B（5）-- U（92）。主要功能 本儀器具有高的解析度，...
冷凍場發射掃描電子顯微鏡技術指標 編輯 播報 1.解析度: ≤0.6 nm@15 keV (二次電子),≤1.1 nm@1 keV,≤1.2 nm@500 eV(二次電子,無需減速模式); 2.放大倍率:20-2,000,000倍, 根據加速電壓和工作距離的改變,放大倍數自動...
超高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於2010年10月01日啟用。技術指標 加速電壓：1-15KV，放大倍數：120000-220000倍，二次電子解析度：1.4nm（1kV，減速模式），1.0nm（15kV）；。主要功能 金...
場發射掃描電子顯微鏡SU8220是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年11月13日啟用。技術指標 二次電子解析度：15KV時優於0.8nm；1KV時優於1.1nm；電子槍真空：優於2*10-8；電子束流條件範圍：5pA~10nA。主要功能 冷場發射...
雙束場發射電子顯微鏡是一種用於機械工程領域的分析儀器，於2014年7月11日啟用。技術指標 場發射電子槍，電子束加速電壓：350 V - 30 kV；Ga離子槍，離子束加速電壓：500 V C 30 kV；解析度：0.8 nm (@30kV, STEM)，0.9 nm...
