高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2014年10月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:高分辨場發射電子顯微鏡
- 產地:日本
- 學科領域:化學
- 啟用日期:2014年10月1日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 掃描電鏡
高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2014年10月1日啟用。
高分辨場發射透射電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、生物學領域的分析儀器,於2012年11月2日啟用。技術指標 場發射電子槍,加速電壓:20-200kV連續調節,放大倍數:25-1,000,000,點解析度:0.24nm;線解析度:0.102nm,信息...
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子解析度≤0.6nm(15kV);二次電子解析度≤0.9nm(1kV)。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、...
場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高解析度,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在納米尺度上觀察生物樣品...
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm,1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
熱場發射透射電子顯微鏡是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器,於2009年12月20日啟用。技術指標 加速電壓:200kv;電子槍:場發射;信息分辨率:<0.14nm ;點解析度:<0.24nm;STEM解析度<0.3nm;EELS解析度:<0...
場發射透射式電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、藥學、材料科學領域的分析儀器,於2005年3月11日啟用。技術指標 Schottky場發射槍;加速電壓範圍:50kV-200kV;TEM放大倍數:25x-1000,000x;點分辨率:0.24nm;線解析度:0.10nm...
場發射分析型透射電子顯微鏡是一種用於材料科學、化學、地球科學、臨床醫學領域的分析儀器,於2013年12月13日啟用。技術指標 點分辨率:0.19 nm; 晶格解析度:0.10 nm; 掃描透射晶格解析度:0.2 nm ;能譜能量解析度:136 eV。...
高分辨分析型場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年7月12日啟用。技術指標 加速電壓80,100,120,160,200 kV 點解析度:0.194 nm 線解析度:0.14 nm 放大倍數:1,500,000倍。主要功能 微觀組織分析。
目前掃描電子顯微鏡的最主要組合分析功能有: X 射線顯微分析系統(即能譜儀, EDS), 主要用於元素的定性和定量分析, 並可分析樣品微區的化學成分等信息; 電子背散射系統 (即結晶學分析系統), 主要用於晶體和礦物的研究。
電子槍:肖特基熱場發射電 子槍; 4.加速電壓或著陸電壓範圍:0.02 keV ~ 30 keV,步進10 V,連續可調; 5.探針電流:最大電流不小於20 nA,束流穩定性優於0.2%/h; 6.電子光路為平行光路或者單色器光路設計,在低電壓下高分辨觀察...