高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月21日啟用。
基本介紹
- 中文名:高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統
- 產地:荷蘭
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2018年12月21日
- 所屬類別:分析儀器 > 顯微鏡及圖象分析儀器
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月21日啟用。
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統 高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子解析度≤0.6nm(15kV);二次電子解析度≤0.9nm(1kV)。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、景深大。
高解析度場發射掃描電子顯微鏡 高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
高分辨冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於藥學領域的分析儀器,於2013年11月27日啟用。技術指標 解析度 、放大倍數 、加速電壓、傾斜角。主要功能 具備超高分辨掃描圖像觀察能力,尤其是採用最新數位化圖像處理技術,提供高倍數、高分辨掃描圖像,並能即時列印或存檔輸出,是納米材料粒徑測試和形貌觀察最有效儀器。
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm,1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
場發射電子掃描顯微鏡 場發射電子掃描顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2006年11月13日啟用。技術指標 冷場高分辨,帶EDS。主要功能 形貌分析,元素分析。
場發射高分辨電子顯微鏡 場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2005年8月6日啟用。技術指標 性能指標:點解析度0.19 nm,線解析度0.14 nm,EELS能量譜解析度0.7 eV,EDS能量解析度136 eV。主要功能 固體材料結構和成分分析。
高分辨場發射電子顯微鏡 高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2014年10月1日啟用。技術指標 解析度1.0nm(15kV,4mm)。主要功能 形貌觀察。
場發射掃描電子顯微鏡SU8220是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年11月13日啟用。技術指標 二次電子分辨率:15KV時優於0.8nm;1KV時優於1.1nm;電子槍真空:優於2*10-8;電子束流條件範圍:5pA~10nA。主要功能 冷場發射電子槍具有更高的相干度、更高亮度、更小束斑等,因此成像質量更好。低加速電壓...
場發射掃描式電子顯微鏡 場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2009年6月1日啟用。技術指標 加速電壓:200V~30KV。主要功能 固體物質表面形貌與成分分析。
場發射掃描電子顯微鏡JSM-7600F是一種用於化學領域的分析儀器,於2012年1月12日啟用。技術指標 磁懸浮分子泵系統、五軸馬達驅動全對中樣品台、全自動樣品更換氣鎖和樣品監控系統分辨率:1.0nmat15kV;1.5nmat1kV放大倍數:25-100萬倍加速電壓:0.1KV-30kV樣品室尺寸:最大200mm直徑樣品束流強度:1pA到200nA。...
高分辨透射形貌觀察(HRTEM,High Resolution-Transmission Electronic Microscope ,用於研究小於10 nm的顆粒形態、結構特徵,拍攝晶格像)選區電子衍射晶體結構分析,SAED (Selected Area Electronic Diffraction)模式的單晶衍射、多晶衍射,電子探針元素分析,X射線能譜EDX(Energy Dispersion X-ray Spectrum),掃描透射...
場發射掃描電子顯微鏡1530VP是一種用於地球科學、生物學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2006年1月7日啟用。技術指標 電子槍: 熱場發射 加速電壓: 100V~30kV 放大倍數: 20×~900,000× 解析度:1.0nm(20kV);2.5nm(1kV);5.0nm(0.2kV) 探測電流:4pA~10 nA; EDS能譜儀和EBSD:...
高分辨場發射透射電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、生物學領域的分析儀器,於2012年11月2日啟用。技術指標 場發射電子槍,加速電壓:20-200kV連續調節,放大倍數:25-1,000,000,點解析度:0.24nm;線解析度:0.102nm,信息解析度≤0.14nm;STEM放大倍數:200-100,000,000,EDS解析度優於136eV,分辨元素B5...
場發射掃描電子顯微鏡分析系統成分探測系統 場發射掃描電子顯微鏡分析系統成分探測系統是一種用於化學領域的科學儀器,於2017年9月26日啟用。技術指標 解析度:二次電子(SE)像,高真空模式:15kV時≤1.0 nm;1kV時≤1.4 nm。主要功能 用於材料表面微觀形貌觀察。
ZEISS熱場發射掃描電子顯微鏡 ZEISS熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、能源科學技術領域的分析儀器,於2016年1月1日啟用。技術指標 放大倍率:範圍:12×~1000,000×;工作距離:範圍可由1mm至50mm。主要功能 觀察材料表面微觀形貌。
場發射超高分辨透射電子顯微鏡是一種用於生物學、化學、物理學、農學領域的分析儀器,於2017年6月21日啟用。技術指標 加速電壓200 kV;TEM晶格解析度~0.1 nm;STEM解析度~0.16 nm;SEI解析度~0.5 nm;放大倍率:TEM:500x~2Mx;STEMSEI:100x~150Mx。主要功能 STEM明場及HADDF暗場像;雙EDX高通量能譜探測;...