高分辨冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於藥學領域的分析儀器，於2013年11月27日啟用。
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子分辨率≤0.6nm(15kV);二次電子解析度≤0.9nm（1kV）。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、...
場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於2005年8月6日啟用。技術指標 性能指標：點解析度0.19 nm，線解析度0.14 nm，EELS能量譜解析度0.7 eV，EDS能量解析度136 eV。主要功能 固體材料結構和成分分析。
場發射掃描電子顯微鏡SU8220是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年11月13日啟用。技術指標 二次電子分辨率：15KV時優於0.8nm；1KV時優於1.1nm；電子槍真空：優於2*10-8；電子束流條件範圍：5pA~10nA。主要功能 冷場發射...
高分辨場發射掃描電子顯微分析系統是一種用於物理學、化學領域的分析儀器，於2015年9月24日啟用。技術指標 解析度： 二次電子（SE）像,高真空模式：15 kV時1.0 nm,1 k V時優於1.4 nm(非減速模式),低真空模式：30 kV時1.8nm...
主要用途： Quanta 200 FEG場發射環境掃描電子顯微鏡綜合場發射電鏡高分辨和ESEM環境掃描電鏡適合樣品多樣性的優勢 儀器類別 0304070202 /儀器儀表 /光學儀器 /電子光學及離子光學儀器 /台式掃描電子顯微鏡 指標信息 1、場發射環境掃描電子...
高分辨場發射透射電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、生物學領域的分析儀器，於2012年11月2日啟用。技術指標 場發射電子槍，加速電壓：20-200kV連續調節，放大倍數：25-1,000,000，點解析度：0.24nm；線解析度：0.102nm，信息...
場發射超高分辨透射電子顯微鏡是一種用於生物學、化學、物理學、農學領域的分析儀器，於2017年6月21日啟用。技術指標 加速電壓200 kV；TEM晶格解析度~0.1 nm；STEM解析度~0.16 nm；SEI解析度~0.5 nm；放大倍率：TEM：500x~2Mx；...
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm，1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
可研究表面的吸附位置，吸附原子在表面的移動和化學反應過程，研究催化作用。發射裝置 一般是套用非市售的實驗室設備場發射電子顯微鏡。缺點 此種技術由於分辨能力不如場離子顯微術，又不便與其它方法結合，使用很不普遍。
