高分辨場發射掃描電子顯微分析系統是一種用於物理學、化學領域的分析儀器，於2015年9月24日啟用。
高分辨場發射掃描電子顯微分析系統是一種用於物理學、化學領域的分析儀器，於2015年9月24日啟用。技術指標解析度： 二次電子（SE）像,高真空模式：15 kV時1.0 nm,1 k V時優於1.4 nm(非減速模式),低...
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統 高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子解析度≤0.6nm(15kV);二次電子解析度≤0.9nm（1kV）。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、景深大。
高分辨場發射透射電子顯微分析系統是一種用於物理學、化學領域的分析儀器，於2012年5月20日啟用。技術指標 點解析度：0.205 nm ， 線解析度：0.102 nm 加速電壓：300 kV放大倍數：2000 X ~ 1,000,000 X。主要功能 TEM形貌觀察（Transmission Electronic Microscope）普通透射形貌觀察，高分辨透射形貌觀察（HRTEM，...
筆者以德國蔡司ULTRA PLUS掃描電子顯微鏡為例，從環境條件、光學系統、真空系統及附屬檔案設施4個方面總結了熱場發射掃描電子顯微鏡運行狀態的幾種檢查方法和維護保養經驗，並結合故障實例進行了分析。查看環境條件 掃描電子顯微鏡的使用環境條件主要涉及溫度、濕度、震動、磁場強度、接地等幾個因素。一般情況下，環境溫度需控制...
場發射序列掃描電子顯微鏡系統 場發射序列掃描電子顯微鏡系統是一種用於基礎醫學領域的分析儀器，於2017年12月4日啟用。技術指標 1kV解析度小於1.3nm，30kV解析度小於1nm。具有多能量電子成像功能，配合內置切片機和專用探測器實現樣品三維空間的超高對比度和極高分辨率成像。主要功能 掃描電子顯微成像與三維重構。
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器，於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率：1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) 放大倍率：低倍率模式20-2,000×(照像倍率)80-5,000×(顯示倍率) 高倍率模式...
場發射掃描電子顯微鏡分析系統成分探測系統 場發射掃描電子顯微鏡分析系統成分探測系統是一種用於化學領域的科學儀器，於2017年9月26日啟用。技術指標 解析度：二次電子（SE）像，高真空模式：15kV時≤1.0 nm；1kV時≤1.4 nm。主要功能 用於材料表面微觀形貌觀察。
高分辨率場發射掃描電子顯微鏡 高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器，於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
高分辨場發射透射電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、生物學領域的分析儀器，於2012年11月2日啟用。技術指標 場發射電子槍，加速電壓：20-200kV連續調節，放大倍數：25-1,000,000，點解析度：0.24nm；線解析度：0.102nm，信息解析度≤0.14nm；STEM放大倍數：200-100,000,000，EDS解析度優於136eV，分辨元素B...
蔡司場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器，於2015年8月14日啟用。技術指標 掃描速度：標配提供17種非隔行電子束掃描速度，從25ns像素駐留時間到1.64ms像素駐留時間。樣品倉尺寸: 120mm Ø x 120mm high(4.75 x 4.75) 。樣品座：12 SEM ½ 樣品座，可調節高度最大高度60mm。主要...
場發射掃描電鏡 SUPRA 40/40VP是解析度為1.0nm @ 20KV，放大倍數為12 - 900,000x的機器。場發射掃描電鏡 SUPRA 40是一款高分辨率場發射掃描電子顯微鏡，擁有第三代GEMINI 鏡筒，可變壓強性能加上多種納米工具的使用，不用花費大量時間，使高解析度成像和非導體樣本的分析成為可能，超大的樣品室適合各種類型探頭...
雙束場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器，於2011年12月27日啟用。技術指標 1、場發射槍 2、FIB最大束流20nA，SEM解析度1.1nm@20kv，FIB解析度2.5nm@30kv 3、具有Pt氣體沉積系統。主要功能 FIB/SEM雙束系統是樣品成像、改性、加工和實效分析的有效工具，可提供三維高...
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm，1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
高分辨場發射電子顯微鏡 高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器，於2014年10月1日啟用。技術指標 解析度1.0nm（15kV,4mm）。主要功能 形貌觀察。
場發射高分辨電子顯微鏡 場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於2005年8月6日啟用。技術指標 性能指標：點解析度0.19 nm，線解析度0.14 nm，EELS能量譜解析度0.7 eV，EDS能量解析度136 eV。主要功能 固體材料結構和成分分析。
掃描電子顯微鏡是一種大型分析儀器，它廣泛套用於觀察各種固態物質的表面超微結構的形態和組成。所謂掃描是指在圖象上從左到右、從上到下依次對圖象象元掃掠的工作過程。它與電視一樣是由控制電子束偏轉的電子系統來完成的，只是在結構和部件上稍有差異而已。在電子掃描中，把電子束從左到右方向的掃描運動叫做行掃描...
場發射透射電子顯微鏡系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器，於2007年5月4日啟用。技術指標 TEM形貌像，HRTEM晶格像；選區電子衍射花樣SED，STEM（HAADF）掃描透射像，微區成分分析（點、線、面） 點解析度：0.248nm；線解析度：0.102nm；加速電壓 ：200KV 能譜儀：能量解析度136...
場發射超高分辨透射電子顯微鏡是一種用於生物學、化學、物理學、農學領域的分析儀器，於2017年6月21日啟用。技術指標 加速電壓200 kV；TEM晶格解析度~0.1 nm；STEM解析度~0.16 nm；SEI解析度~0.5 nm；放大倍率：TEM：500x~2Mx；STEMSEI：100x~150Mx。主要功能 STEM明場及HADDF暗場像；雙EDX高通量能譜探測；...
超高分辨場發射掃描電鏡 超高分辨場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2019年12月12日啟用。技術指標 放大範圍：12X-2000000X，連續可調，加速電壓範圍：20V-30KV，0.7nm@15KV,1.2nm@1KV。主要功能 超高分辨成像。
ZEISS熱場發射掃描電子顯微鏡 ZEISS熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、能源科學技術領域的分析儀器，於2016年1月1日啟用。技術指標 放大倍率：範圍:12×～1000,000×；工作距離：範圍可由1mm至50mm。主要功能 觀察材料表面微觀形貌。
掃描透射電子顯微鏡(scanning transmission electron microscopy，STEM)既有透射電子顯微鏡又有掃描電子顯微鏡的顯微鏡。STEM用電子束在樣品的表面掃描，通過電子穿透樣品成像。STEM技術要求較高，要非常高的真空度，並且電子學系統比TEM和SEM都要複雜。來源 掃描透射電子顯微鏡是指透射電子顯微鏡中有掃描附屬檔案者，尤其是指採用...
磁性樣品模式等多種工作模式， 使其能夠精確和清楚地捕捉最短暫的瞬間。 目前掃描電子顯微鏡的最主要組合分析功能有: X 射線顯微分析系統（即能譜儀, EDS）， 主要用於元素的定性和定量分析， 並可分析樣品微區的化學成分等信息； 電子背散射系統 （即結晶學分析系統）， 主要用於晶體和礦物的研究。
