場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2005年8月6日啟用。
基本介紹
- 中文名:場發射高分辨電子顯微鏡
- 產地:日本
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2005年8月6日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 透射電鏡
場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2005年8月6日啟用。
場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2005年8月6日啟用。技術指標性能指標:點解析度0.19 nm,線解析度0.14 nm,EELS能量譜解析度0.7 eV,EDS能量解析度136 eV。...
高分辨場發射電子顯微鏡 高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2014年10月1日啟用。技術指標 解析度1.0nm(15kV,4mm)。主要功能 形貌觀察。
場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高解析度,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在納米尺度上觀察生物樣品...
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率:1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
高分辨場發射透射電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、生物學領域的分析儀器,於2012年11月2日啟用。技術指標 場發射電子槍,加速電壓:20-200kV連續調節,放大倍數:25-1,000,000,點解析度:0.24nm;線解析度:0.102nm,信息...
高分辨率場發射掃描電子顯微鏡 高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子分辨率≤0.6nm(15kV);二次電子解析度≤0.9nm(1kV)。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、...
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm,1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
熱場發射透射電子顯微鏡是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器,於2009年12月20日啟用。技術指標 加速電壓:200kv;電子槍:場發射;信息分辨率:<0.14nm ;點解析度:<0.24nm;STEM解析度<0.3nm;EELS解析度:<0...
場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年9月13日啟用。技術指標 二次電子分辨率 1.0nm (加速電壓15kV、WD=4mm) 1.3nm (加速電壓1kV、WD=1.5mm) 加速電壓 0.1~30kV 觀測倍率 20~8000,000(...
FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年4月24日啟用。技術指標 二次電子分辨率 15KV時優於0.8nm,1KV時優於0.9nm;STEM模式,BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器,超高分辨率熱場發射...
高分辨透射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2012年11月20日啟用。技術指標 點解析度:0.19nm; 線解析度:0.14nm; TEM解析度:0.20nm;放大倍率: 2000-1,500,000 X ;加速電壓:200kV ; 傾斜角:±25°;能譜...
肖特基場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2017年3月22日啟用。技術指標 分辨率 1.2nm @ 15kV,1.5nm @ 10kV; 能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B(5)-- U(92) 陰極螢光:...
場發射透射電子顯微鏡可對金屬、礦物、半導體、陶瓷、生物、高分子、複合材料、催化劑等材料進行微觀形貌、晶體結構、晶體缺陷、晶粒晶向及成份分析。2024年1月20日,由生物島實驗室領銜研製,擁有自主智慧財產權的首台國產場發射透射電子顯微鏡...
可研究表面的吸附位置,吸附原子在表面的移動和化學反應過程,研究催化作用。發射裝置 一般是套用非市售的實驗室設備場發射電子顯微鏡。缺點 此種技術由於分辨能力不如場離子顯微術,又不便與其它方法結合,使用很不普遍。
場發射電鏡是一種用於材料科學領域的儀器,於2016年06月12日啟用。技術指標 二次電子分辨率:1.0 nm (15 kv,WD = 4 mm )1.4 nm (1 kv,WD = 1.5 mm ,減速模式) 2.0 nm (1kv,WD = 1.5 mm,普通模式) ...
場發射電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年12月24日啟用。技術指標 200KV場發射透射電子顯微鏡,配備聚光鏡球差校正系統,能譜分析,STEM功能等。主要功能 分辨率達原子水平的形貌分析;結合EDS,可做元素的線掃、面...
熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月20日啟用。技術指標 1.具有高分辨能力的半浸沒式物鏡(Semi-in-lens) 半浸沒式物鏡能將電子束收縮的很細,即使在低加速電壓下也能實現高分辨。 2.採用GENTLE...
場發射掃描電子顯微鏡 場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高分辨率,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在...
場發射透射式電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、藥學、材料科學領域的分析儀器,於2005年3月11日啟用。技術指標 Schottky場發射槍;加速電壓範圍:50kV-200kV;TEM放大倍數:25x-1000,000x;點分辨率:0.24nm;線解析度:0.10nm...
高分辨率場發射掃描電鏡 高解析度場發射掃描電鏡是一種用於物理學、化學領域的分析儀器,於2016年12月20日啟用。技術指標 解析度:1.0nm(加速電壓15KV);2nm(加速電壓1KV)。主要功能 形貌觀察、微區分析。
場發射分析型透射電子顯微鏡是一種用於材料科學、化學、地球科學、臨床醫學領域的分析儀器,於2013年12月13日啟用。技術指標 點分辨率:0.19 nm; 晶格解析度:0.10 nm; 掃描透射晶格解析度:0.2 nm ;能譜能量解析度:136 eV。...
冷場場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2017年3月22日啟用。技術指標 分辨率 1.0nm @ 15kV,能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B(5)-- U(92)。主要功能 本儀器具有高的解析度,...
高分辨分析型場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年7月12日啟用。技術指標 加速電壓80,100,120,160,200 kV 點解析度:0.194 nm 線解析度:0.14 nm 放大倍數:1,500,000倍。主要功能 微觀組織分析。
場發射環境掃描電子顯微鏡系統是一種用於化學、基礎醫學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2007年12月28日啟用。技術指標 分辨率高真空30KV優於2.0nm/低真空時30KV優於3.5nm;環境真空:30KV優於2.0nm;對樣品...
超高分辨冷場發射掃描電鏡是一種用於化學、生物學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2019年10月11日啟用。技術指標 1、二次電子分辨率:≥1.0nm (加速電壓15kV)、≥2.0nm (加速電壓1kV)、≥1.3nm (照射電壓1kV,使用...
雙束場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器,於2011年12月27日啟用。技術指標 1、場發射槍 2、FIB最大束流20nA,SEM分辨率1.1nm@20kv,FIB解析度2.5nm@30kv 3、具有Pt氣體沉積系統。主要功...