場發射電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年12月24日啟用。
基本介紹
- 中文名:場發射電子顯微鏡系統
- 產地:日本
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2015年12月24日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 透射電鏡
場發射電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年12月24日啟用。
場發射電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年12月24日啟用。技術指標 200KV場發射透射電子顯微鏡,配備聚光鏡球差校正系統,能譜分析,STEM功能等。主要功能 解析度達原子水平的形貌分析;結合EDS,可做元素的線掃、面...
場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年9月13日啟用。技術指標 二次電子解析度 1.0nm (加速電壓15kV、WD=4mm) 1.3nm (加速電壓1kV、WD=1.5mm) 加速電壓 0.1~30kV 觀測倍率 20~8000,000(...
場發射透射電子顯微鏡系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2007年5月4日啟用。技術指標 TEM形貌像,HRTEM晶格像;選區電子衍射花樣SED,STEM(HAADF)掃描透射像,微區成分分析(點、線、面) 點...
場發射環境掃描電子顯微鏡系統是一種用於化學、基礎醫學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2007年12月28日啟用。技術指標 解析度高真空30KV優於2.0nm/低真空時30KV優於3.5nm;環境真空:30KV優於2.0nm;對樣品...
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子解析度≤0.6nm(15kV);二次電子解析度≤0.9nm(1kV)。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、...
場發射掃描電子顯微鏡的日常維護中,操作人員應定期檢查儀器設備的環境條件、光學系統、真空系統及附屬檔案設施,確保儀器在最佳工作狀態下使用。試樣的前處理好壞對場發射掃描電子顯微鏡的維護保養也有一定的影響,要保持試樣清潔、乾燥和具有良好...
場發射掃描電子顯微鏡分析系統成分探測系統是一種用於化學領域的科學儀器,於2017年9月26日啟用。技術指標 解析度:二次電子(SE)像,高真空模式:15kV時≤1.0 nm;1kV時≤1.4 nm。主要功能 用於材料表面微觀形貌觀察。
3.利用所配置的GIF系統不但可分析物質的組成元素而且可分析組成元素的價態。儀器類別: 03040701 /儀器儀表 /光學儀器 /電子光學及離子光學儀器 /透射式電子顯微鏡 指標信息: 具有高相干性、高亮度的場發射槍 最大傾轉角:X=±35°,...
場發射掃描式電子顯微鏡 場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2009年6月1日啟用。技術指標 加速電壓:200V~30KV。主要功能 固體物質表面形貌與成分分析。
場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2005年8月6日啟用。技術指標 性能指標:點解析度0.19 nm,線解析度0.14 nm,EELS能量譜解析度0.7 eV,EDS能量解析度136 eV。主要功能 固體材料結構和成分分析。
SmartCam)代替傳統螢光屏使得用戶可以利用其嶄新的數位化操作界面實現遠程操作。電子光學系統和樣品台的高穩定性以及數位化的系統控制軟體可滿足高水平的自動化操作。該設備非常適合開展單顆粒分析、電子斷層成像和電子晶體學等方面的研究。
FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年4月24日啟用。技術指標 二次電子解析度 15KV時優於0.8nm,1KV時優於0.9nm;STEM模式,BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器,超高解析度熱場發射...
場發射超高分辨透射電子顯微鏡是一種用於生物學、化學、物理學、農學領域的分析儀器,於2017年6月21日啟用。技術指標 加速電壓200 kV;TEM晶格解析度~0.1 nm;STEM解析度~0.16 nm;SEI解析度~0.5 nm;放大倍率:TEM:500x~2Mx;...
冷場發射電子顯微鏡 冷場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的電子測量儀器,於2012年8月21日啟用。技術指標 加速電壓:0.1~30kV 觀測倍率:20~800000倍。主要功能 形貌觀察;能譜分析;明場暗場像。
超高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2010年10月01日啟用。技術指標 加速電壓:1-15KV,放大倍數:120000-220000倍,二次電子解析度:1.4nm(1kV,減速模式),1.0nm(15kV);。主要功能 金...
熱場發射掃描電鏡系統是一種用於地球科學領域的分析儀器,於2017年11月28日啟用。技術指標 熱場發射掃描電鏡二次電子像解析度:0.8nm@15KV、1.6nm@1KV,Schottky型場發射電子源,掃描透射像探測器,帶能譜儀、EBSD、冷台、臨界點乾燥...
場發射掃描電子顯微鏡1530VP是一種用於地球科學、生物學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2006年1月7日啟用。技術指標 電子槍: 熱場發射 加速電壓: 100V~30kV 放大倍數: 20×~900,000× 解析度:1.0nm(20kV);2.5...
熱場發射電子顯微鏡 熱場發射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年3月6日啟用。技術指標 1.0 nm @ 20 kV @ WD = 2 mm, 0.1 - 30 kV。主要功能 材料組織形貌,微區成分。
場發射透射電鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年4月10日啟用。技術指標 1.點解析度:≤0.24nm;信息解析度:≤0.14nm;能量解析度: ≤0.7eV; 2.最小放大倍數: 80× 最大放大倍數: 1,000,000×; 3.樣品...
場發射掃描電子顯微鏡SU8220是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年11月13日啟用。技術指標 二次電子解析度:15KV時優於0.8nm;1KV時優於1.1nm;電子槍真空:優於2*10-8;電子束流條件範圍:5pA~10nA。主要功能 冷場發射...
熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月20日啟用。技術指標 1.具有高分辨能力的半浸沒式物鏡(Semi-in-lens) 半浸沒式物鏡能將電子束收縮的很細,即使在低加速電壓下也能實現高分辨。 2.採用GENTLE...
場發射透射電鏡(field emission transmission electron microscope)是2018年公布的生物物理學名詞。定義 一種配有場發射電子槍的透射電子顯微鏡。可獲得優於鎢燈絲透射電鏡的相干性和亮度,進而大大提高成像的分辨力。出處 《生物物理學名詞...
高分辨場發射電子顯微鏡 高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2014年10月1日啟用。技術指標 解析度1.0nm(15kV,4mm)。主要功能 形貌觀察。
雙束場發射電子顯微鏡是一種用於機械工程領域的分析儀器,於2014年7月11日啟用。技術指標 場發射電子槍,電子束加速電壓:350 V - 30 kV;Ga離子槍,離子束加速電壓:500 V C 30 kV;解析度:0.8 nm (@30kV, STEM),0.9 nm...
倍率) 400-2,000,000×(顯示倍率) 300-2,000,000×(顯示倍率) 電子槍:冷場發射源 加速電壓:0.5 kV - 30 kV(標準模式) 著陸電壓:0.1 kV to 2.0 kV(減速模式) 物鏡光闌:物鏡光闌(加熱型), 4孔可選,在真空系統外...
超高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學工程領域的分析儀器,於2017年11月17日啟用。技術指標 1.加速電壓:0.1kV - 30kV 2.解析度:0.8nm(15kV) 3.放大倍率:20x – 800,000x 4.配備日本Horiba公司能譜儀:X-MAX,檢測元素範圍...
5mm,減模.5nm1KV.WD=1.5mm)放大倍數:低放大倍數模式20-2,000x高放大倍數模式 100-800,000x電子光學:電子槍ZrO/W基電子槍電流1pA-100nA加速電壓0.5-30KV(標準模式)著陸電壓0.1-2.0KV(減速模式)透鏡系統3級電磁線圈系統物鏡...
高分辨場發射透射電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、生物學領域的分析儀器,於2012年11月2日啟用。技術指標 場發射電子槍,加速電壓:20-200kV連續調節,放大倍數:25-1,000,000,點解析度:0.24nm;線解析度:0.102nm,信息...