200KV場發射電子顯微鏡是一種用於數學領域的計量儀器,於2017年7月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:200KV場發射電子顯微鏡
- 產地:荷蘭
- 學科領域:數學
- 啟用日期:2017年7月1日
- 所屬類別:計量儀器 > 長度計量儀器
200KV場發射電子顯微鏡是一種用於數學領域的計量儀器,於2017年7月1日啟用。
200KV場發射電子顯微鏡是一種用於數學領域的計量儀器,於2017年7月1日啟用。技術指標1. 燈絲類型:ZrO/W (100) Schottky field emission gun (S-FEG)2. 物鏡類型:C-...
高分辨場發射透射電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、生物學領域的分析儀器,於2012年11月2日啟用。技術指標 場發射電子槍,加速電壓:20-200kV連續調節,放大倍數:25-1,000,000,點解析度:0.24nm;線解析度:0.102nm,信息...
場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高解析度,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在納米尺度上觀察生物樣品...
熱場發射掃面電子顯微鏡是一種用於土木建築工程、機械工程、物理學領域的分析儀器,於2013年06月01日啟用。技術指標 二次電子圖象解析度:1.0nm(15KV.WD=4.0mm)1.6nm(1KV.WD=1.5mm,減模.5nm1KV.WD=1.5mm)放大倍數:低放大倍數...
超高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2010年10月01日啟用。技術指標 加速電壓:1-15KV,放大倍數:120000-220000倍,二次電子解析度:1.4nm(1kV,減速模式),1.0nm(15kV);。主要功能 金...
200kv冷凍透射電子顯微鏡是一種用於生物學領域的分析儀器,於2017年12月4日啟用。技術指標 加速電壓:20-200kV高壓,場發射電子槍; 點解析度≤0.3 nm;信息分辨極限0.15 nm; 低溫樣品台(可傾轉70度); 配置Ceta 4k×4k相機; ...
場發射掃描電子顯微鏡 場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高解析度,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在...
高解析度肖特基場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年11月26日啟用。技術指標 1、 電子光學工作模式有:解析度、景深、視野、大視野、搖擺電子束 2、 高真空下的解析度(二次電子):30kV下1.2nm,3kV下2.5...
雙束場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器,於2011年12月27日啟用。技術指標 1、場發射槍 2、FIB最大束流20nA,SEM解析度1.1nm@20kv,FIB解析度2.5nm@30kv 3、具有Pt氣體沉積系統。主要功能...
場發射掃描電子顯微鏡SU8220是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年11月13日啟用。技術指標 二次電子解析度:15KV時優於0.8nm;1KV時優於1.1nm;電子槍真空:優於2*10-8;電子束流條件範圍:5pA~10nA。主要功能 冷場發射...
·第一台具有Koehler照明的200kV 場發射透射電鏡(2003)·第一台具有鏡筒內校正Omega能量濾波器的場發射透射電鏡(2003) CARL ZEISS CARL ZEISS其前瞻性至臻完美的設計融合歐洲至上製造工藝造就了該品牌在光電子領域無可撼動的王者地位。自...
冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2011年5月1日啟用。技術指標 解析度:1.0nm (15KV), 1.4 nm (1KV) 放大倍數:25-100萬倍加速電壓:0.1KV-30KV 束流強度:10-13-2x10-9。主要附屬檔案:牛津儀器INCA ...
場發射掃描電鏡 SUPRA 40/40VP是解析度為1.0nm @ 20KV,放大倍數為12 - 900,000x的機器。場發射掃描電鏡 SUPRA 40是一款高解析度場發射掃描電子顯微鏡,擁有第三代GEMINI 鏡筒,可變壓強性能加上多種納米工具的使用,不用花費大量...
場發射掃描電子顯微鏡及原位拉伸台 場發射掃描電子顯微鏡及原位拉伸台是一種用於能源科學技術領域的科學儀器,於2017年12月18日啟用。技術指標 工作電壓15Kv,解析度0.8nm。主要功能 各種樣品的微觀形貌觀察和變形分析。
雙束場發射電子顯微鏡是一種用於機械工程領域的分析儀器,於2014年7月11日啟用。技術指標 場發射電子槍,電子束加速電壓:350 V - 30 kV;Ga離子槍,離子束加速電壓:500 V C 30 kV;解析度:0.8 nm (@30kV, STEM),0.9 nm...
場發射掃描電子顯微鏡JSM-7600F是一種用於化學領域的分析儀器,於2012年1月12日啟用。技術指標 磁懸浮分子泵系統、五軸馬達驅動全對中樣品台、全自動樣品更換氣鎖和樣品監控系統解析度:1.0nmat15kV;1.5nmat1kV放大倍數:25-100萬倍...
300kV場發射冷凍透射電子顯微鏡是一種用於藥學領域的分析儀器,於2018年4月30日啟用。技術指標 新一代300kV場發射冷凍透射電鏡,加速電壓 80-300 kV,配有場發射電子槍(X-FEG)及三級聚光鏡系統 Autoloader自動進樣系統可一次性裝載儲...
場發射掃描電子顯微鏡1530VP是一種用於地球科學、生物學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2006年1月7日啟用。技術指標 電子槍: 熱場發射 加速電壓: 100V~30kV 放大倍數: 20×~900,000× 解析度:1.0nm(20kV);2.5...
熱場發射電子顯微鏡 熱場發射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年3月6日啟用。技術指標 1.0 nm @ 20 kV @ WD = 2 mm, 0.1 - 30 kV。主要功能 材料組織形貌,微區成分。
高解析度場發射掃描電子顯微鏡 高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
蔡司場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2015年8月14日啟用。技術指標 掃描速度:標配提供17種非隔行電子束掃描速度,從25ns像素駐留時間到1.64ms像素駐留時間。樣品倉尺寸: 120mm Ø x 120mm high(4.75...
場發射掃電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2010年9月1日啟用。技術指標 二次電子解析度: 1.0nm (15 kV) ; 1.4nm (1 kV, WD = 1.5mm , 減速模式 ) ; 2.0nm (1 kV, WD = 1.5mm , 普通模式 ) 在低...
最近在CM200ST場發射槍200kV透射電鏡上增加了這種六極校正器,研製成世界上第一台像差校正電子顯微鏡。電鏡的高度僅提高了24cm,而並不影響其它性能。分辨本領由0.24nm提高到0.14nm。在這台像差校正電子顯微鏡上球差係數減少至0.0...