熱場發射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年3月6日啟用。
基本介紹
- 中文名:熱場發射電子顯微鏡
- 產地:德國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2013年3月6日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 掃描電鏡
熱場發射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年3月6日啟用。
場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高解析度,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在納米尺度上觀察生物樣品...
熱場發射掃面電子顯微鏡是一種用於土木建築工程、機械工程、物理學領域的分析儀器,於2013年06月01日啟用。技術指標 二次電子圖象解析度:1.0nm(15KV.WD=4.0mm)1.6nm(1KV.WD=1.5mm,減模.5nm1KV.WD=1.5mm)放大倍數:低放大倍數...
15µm)可選擇熱納米鏡頭(選配)。主要功能 THEMOS mini 是簡易而節省空間的最新電性故障定位設備,可直接並快速地從電子元器件正面及背面找出故障點,更可在晶片未打開封裝的狀態下先定位出故障點為晶片本身的問題還是封裝的問題。
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm,1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
熱場發射掃描電鏡系統是一種用於地球科學領域的分析儀器,於2017年11月28日啟用。技術指標 熱場發射掃描電鏡二次電子像解析度:0.8nm@15KV、1.6nm@1KV,Schottky型場發射電子源,掃描透射像探測器,帶能譜儀、EBSD、冷台、臨界點乾燥...
場發射電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年12月24日啟用。技術指標 200KV場發射透射電子顯微鏡,配備聚光鏡球差校正系統,能譜分析,STEM功能等。主要功能 解析度達原子水平的形貌分析;結合EDS,可做元素的線掃、面...
200kv場發射透射電子顯微鏡是一種用於生物學領域的分析儀器,於2019年1月19日啟用。技術指標 儀器配置:X-FEG場發射型電子槍 加速電壓:200 kV,160 kV, 80 kV 點解析度0.23 nm,信息極限可達0.14 nm;二級聚光鏡照明系統;高襯...
場發射環境掃描電子顯微鏡系統是一種用於化學、基礎醫學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2007年12月28日啟用。技術指標 解析度高真空30KV優於2.0nm/低真空時30KV優於3.5nm;環境真空:30KV優於2.0nm;對樣品...
超高分辨熱場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年9月10日啟用。技術指標 加速電壓0.3-30kV,解析度1nm,放大倍數18倍至30萬倍連續可調,成像信號:二次電子、背散射電子和特徵X射線。主要功能 固體物質表面形貌觀察...
蔡司場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2015年8月14日啟用。技術指標 掃描速度:標配提供17種非隔行電子束掃描速度,從25ns像素駐留時間到1.64ms像素駐留時間。樣品倉尺寸: 120mm Ø x 120mm high(4.75...
場發射能量過濾透射電子顯微鏡 場發射能量過濾透射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2003年11月8日啟用。技術指標 放大倍數:20k~40k倍 點解析度:0.23nm 條紋解析度:0.10nm。主要功能 材料微觀觀察、形貌觀察。
場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2005年8月6日啟用。技術指標 性能指標:點解析度0.19 nm,線解析度0.14 nm,EELS能量譜解析度0.7 eV,EDS能量解析度136 eV。主要功能 固體材料結構和成分分析。
場發射電子掃描顯微鏡 場發射電子掃描顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2006年11月13日啟用。技術指標 冷場高分辨,帶EDS。主要功能 形貌分析,元素分析。
在地質領域中,我們不僅需要對樣品進行初步形貌觀察,還需要結合分析儀對樣品的其它性質進行分析,所以熱場發射掃描電子顯微鏡的套用更為廣泛。基本結構 1-鏡筒;2-樣品室;3-EDS探測器;4-監控器;5-EBSD探測器;6-計算機主機;7-開機...
透射電鏡的解析度為0.1~0.2nm,放大倍數為幾萬~幾十萬倍。由於電子易散射或被物體吸收,故穿透力低,必須製備更薄的超薄切片(通常為50~100nm)。透射式電子顯微鏡鏡筒頂部是電子槍,電子由鎢絲熱陰極發射出、通過第一,第二兩個...
場發射透射式電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、藥學、材料科學領域的分析儀器,於2005年3月11日啟用。技術指標 Schottky場發射槍;加速電壓範圍:50kV-200kV;TEM放大倍數:25x-1000,000x;點解析度:0.24nm;線解析度:0.10nm;...
超高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2010年10月01日啟用。技術指標 加速電壓:1-15KV,放大倍數:120000-220000倍,二次電子解析度:1.4nm(1kV,減速模式),1.0nm(15kV);。主要功能 金...
可研究表面的吸附位置,吸附原子在表面的移動和化學反應過程,研究催化作用。發射裝置 一般是套用非市售的實驗室設備場發射電子顯微鏡。缺點 此種技術由於分辨能力不如場離子顯微術,又不便與其它方法結合,使用很不普遍。
S-4800是目前場發射掃描電子顯微鏡中的高端產品,該電鏡在高加速電壓下的二次電子像解析度為1 nm。在低加速電壓和減速條件下,S-4800可以觀察絕緣或導電性差的樣品。該電鏡配有X射線能譜儀,可以在觀察樣品表面微觀形貌的同時進行微區...
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率:1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
場發射透射電子顯微鏡系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2007年5月4日啟用。技術指標 TEM形貌像,HRTEM晶格像;選區電子衍射花樣SED,STEM(HAADF)掃描透射像,微區成分分析(點、線、面) 點...
日立超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、農學領域的分析儀器,於2015年12月1日啟用。技術指標 超高解析度成像。主要功能 ⑴生物:種子、花粉、細菌…… ⑵醫學:血球、病毒…… ⑶動物:大腸、絨毛、細胞、纖維...
場發射超高分辨透射電子顯微鏡是一種用於生物學、化學、物理學、農學領域的分析儀器,於2017年6月21日啟用。技術指標 加速電壓200 kV;TEM晶格解析度~0.1 nm;STEM解析度~0.16 nm;SEI解析度~0.5 nm;放大倍率:TEM:500x~2Mx;...
高分辨場發射透射電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、生物學領域的分析儀器,於2012年11月2日啟用。技術指標 場發射電子槍,加速電壓:20-200kV連續調節,放大倍數:25-1,000,000,點解析度:0.24nm;線解析度:0.102nm,信息...
由於在TEM中,電子的速度接近光速,需要對其進行相對論修正:其中,h表示普朗克常數,m0表示電子的靜質量,E是加速後電子的能量。電子顯微鏡中的電子通常通過電子熱發射過程從鎢燈絲上射出,或者採用場電子發射方式得到。隨後電子通過電勢差...
高分辨場發射電子顯微鏡 高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2014年10月1日啟用。技術指標 解析度1.0nm(15kV,4mm)。主要功能 形貌觀察。
二次電子解析度:1.0 nm (15 kv,WD = 4 mm )1.4 nm (1 kv,WD = 1.5 mm ,減速模式) 2.0 nm (1kv,WD = 1.5 mm,普通模式) 電子槍:冷場發射電子源 加速電壓:0.5 kv - 30 kv 放大倍率:20倍 – ...