200kv場發射透射電子顯微鏡是一種用於生物學領域的分析儀器,於2019年1月19日啟用。
基本介紹
- 中文名:200kv場發射透射電子顯微鏡
- 產地:荷蘭
- 學科領域:生物學
- 啟用日期:2019年1月19日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 透射電鏡
200kv場發射透射電子顯微鏡是一種用於生物學領域的分析儀器,於2019年1月19日啟用。
高分辨場發射透射電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、生物學領域的分析儀器,於2012年11月2日啟用。技術指標 場發射電子槍,加速電壓:20-200kV連續調節,放大倍數:25-1,000,000,點解析度:0.24nm;線解析度:0.102nm,信息...
場發射透射顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2003年12月1日啟用。技術指標 點解析度:0.19 nm。最大傾轉角:X=±35°,Y=±30° 。最小束斑尺寸: 0.5nm。主要功能 2010F是涵蓋能量過濾,場發射分析的TEM/STEM儀器...
場發射分析型透射電子顯微鏡是一種用於材料科學、化學、地球科學、臨床醫學領域的分析儀器,於2013年12月13日啟用。技術指標 點解析度:0.19 nm; 晶格解析度:0.10 nm; 掃描透射晶格解析度:0.2 nm ;能譜能量解析度:136 eV。主要...
主要用途: Quanta 200 FEG場發射環境掃描電子顯微鏡綜合場發射電鏡高分辨和ESEM環境掃描電鏡適合樣品多樣性的優勢 儀器類別 0304070202 /儀器儀表 /光學儀器 /電子光學及離子光學儀器 /台式掃描電子顯微鏡 指標信息 1、場發射環境掃描電子...
場發射能量過濾透射電子顯微鏡 場發射能量過濾透射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2003年11月8日啟用。技術指標 放大倍數:20k~40k倍 點解析度:0.23nm 條紋解析度:0.10nm。主要功能 材料微觀觀察、形貌觀察。
1. 解析度 高真空模式 1.0nm @ 15kv;1.8nm @ 1kv;0.8nm @ 30kv(stem探測器);低真空模式 1.5nm @ 10kv(helix探測器);1.8nm @ 3kv(helix探測器);2. 加速電壓 200v - 30kv,連續可調;3. 電子束流範圍 0...
透射電鏡的解析度為0.1~0.2nm,放大倍數為幾萬~幾十萬倍。由於電子易散射或被物體吸收,故穿透力低,必須製備更薄的超薄切片(通常為50~100nm)。透射式電子顯微鏡鏡筒頂部是電子槍,電子由鎢絲熱陰極發射出、通過第一,第二兩個...
300kV場發射冷凍透射電子顯微鏡是一種用於藥學領域的分析儀器,於2018年4月30日啟用。技術指標 新一代300kV場發射冷凍透射電鏡,加速電壓 80-300 kV,配有場發射電子槍(X-FEG)及三級聚光鏡系統 Autoloader自動進樣系統可一次性裝載儲...
場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2005年8月6日啟用。技術指標 性能指標:點解析度0.19 nm,線解析度0.14 nm,EELS能量譜解析度0.7 eV,EDS能量解析度136 eV。主要功能 固體材料結構和成分分析。
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率:1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
熱場發射掃面電子顯微鏡是一種用於土木建築工程、機械工程、物理學領域的分析儀器,於2013年06月01日啟用。技術指標 二次電子圖象解析度:1.0nm(15KV.WD=4.0mm)1.6nm(1KV.WD=1.5mm,減模.5nm1KV.WD=1.5mm)放大倍數:低放大倍數...