場發射環境掃描電子顯微鏡系統是一種用於化學、基礎醫學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器，於2007年12月28日啟用。
場發射環境掃描電子顯微鏡是一種用於表面形貌分析的設備。套用 可對各種各樣的樣品進行靜態和動態觀察和分析，在一定壓力的水蒸氣條件下進行各種物質的表面形貌分析和微區成分分析，避免樣品在真空條件下發生失水而發生表面形貌的變化，特別對...
場發射環境掃描電子顯微鏡系統是一種用於化學、基礎醫學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器，於2007年12月28日啟用。技術指標 解析度高真空30KV優於2.0nm/低真空時30KV優於3.5nm；環境真空：30KV優於2.0nm；對樣品...
場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2013年9月13日啟用。技術指標 二次電子解析度 1.0nm （加速電壓15kV、WD＝4mm） 1.3nm （加速電壓1kV、WD＝1.5mm） 加速電壓 0.1～30kV 觀測倍率 20～8000,000(...
這時陰極發射的機理和一般場發射不同，稱電漿場發射，蘇聯稱之為爆發電子發射。隨著六十年代末期掃描電子顯微鏡和表面物理分析儀器的蓬勃發展，要求有高亮度，細小直徑的電子束。尖端場發射陰極接近一個點源，電流密度大，電子初速零散小...
掃描電子顯微鏡是一種大型分析儀器, 它廣泛套用於觀察各種固態物質的表面超微結構的形態和組成。 [7] 所謂掃描是指在圖象上從左到右、從上到下依次對圖象象元掃掠的工作過程。它與電視一樣是由控制電子束偏轉的電子系統來完成的, ...
儀器類別： 0304070201 /儀器儀表 /光學儀器 /電子光學及離子光學儀器 /掃描式電子顯微鏡 指標信息： 二次電子成像，背散射成像，陰極螢光成像；解析度：高真空：30KV時，為1.5nm； 1KV時，為3nm； X射線能譜分析：元素分析範圍B－U...
場發射掃描電子顯微鏡分析系統成分探測系統是一種用於化學領域的科學儀器，於2017年9月26日啟用。技術指標 解析度：二次電子（SE）像，高真空模式：15kV時≤1.0 nm；1kV時≤1.4 nm。主要功能 用於材料表面微觀形貌觀察。
場發射掃描電子顯微鏡SU8220是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年11月13日啟用。技術指標 二次電子解析度：15KV時優於0.8nm；1KV時優於1.1nm；電子槍真空：優於2*10-8；電子束流條件範圍：5pA~10nA。主要功能 冷場發射...
冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2011年5月1日啟用。技術指標 解析度：1.0nm (15KV), 1.4 nm (1KV) 放大倍數：25-100萬倍加速電壓：0.1KV-30KV 束流強度：10-13-2x10-9。主要附屬檔案：牛津儀器INCA ...
場發射掃描電子顯微鏡及原位拉伸台 場發射掃描電子顯微鏡及原位拉伸台是一種用於能源科學技術領域的科學儀器，於2017年12月18日啟用。技術指標 工作電壓15Kv,解析度0.8nm。主要功能 各種樣品的微觀形貌觀察和變形分析。
熱場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2012年12月3日啟用。技術指標 電壓1KV-30KV,樣品高度不能超過3.5cm,長寬不超過5cm.。主要功能 由於掃描電子顯微鏡可用多種物理信號對樣品進行綜合分析，並具有可以...
FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年4月24日啟用。技術指標 二次電子解析度 15KV時優於0.8nm，1KV時優於0.9nm；STEM模式，BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器，超高解析度熱場發射...
冷場場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器，於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.0nm @ 15kV,能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B（5）-- U（92）。主要功能 本儀器具有高的解析度，...
ZEISS熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、能源科學技術領域的分析儀器，於2016年1月1日啟用。技術指標 放大倍率：範圍:12×～1000,000×；工作距離：範圍可由1mm至50mm。主要功能 觀察材料表面微觀形貌。
場發射透射電子顯微鏡系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器，於2007年5月4日啟用。技術指標 TEM形貌像，HRTEM晶格像；選區電子衍射花樣SED，STEM（HAADF）掃描透射像，微區成分分析（點、線、面） 點...
冷場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器，於2015年3月31日啟用。技術指標 本台場發射電鏡適用於常溫下觀測非磁性、無揮發導電材料，不導電材料可噴鍍導電層之後觀測。25倍到65萬倍連續...
肖特基場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器，於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.2nm @ 15kV，1.5nm @ 10kV； 能譜解析度133eV(Mn Ka)，分析元素B（5）-- U（92） 陰極螢光： ...
高解析度場發射掃描電子顯微鏡 高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器，於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
超高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於2010年10月01日啟用。技術指標 加速電壓：1-15KV，放大倍數：120000-220000倍，二次電子解析度：1.4nm（1kV，減速模式），1.0nm（15kV）；。主要功能 金...
高分辨場發射掃描式電子顯微鏡 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器，於2012年5月2日啟用。技術指標 放大倍率：14~1000000倍。主要功能 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡。
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm，1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器，於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率：1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
冷凍場發射掃描電子顯微鏡技術指標 編輯 播報 1.解析度: ≤0.6 nm@15 keV (二次電子),≤1.1 nm@1 keV,≤1.2 nm@500 eV(二次電子,無需減速模式); 2.放大倍率:20-2,000,000倍, 根據加速電壓和工作距離的改變,放大倍數自動...
日立超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、農學領域的分析儀器，於2015年12月1日啟用。技術指標 超高解析度成像。主要功能 ⑴生物：種子、花粉、細菌…… ⑵醫學：血球、病毒…… ⑶動物：大腸、絨毛、細胞、纖維...
高分辨冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於藥學領域的分析儀器，於2013年11月27日啟用。技術指標 解析度 、放大倍數 、加速電壓、傾斜角。主要功能 具備超高分辨掃描圖像觀察能力，尤其是採用最新數位化圖像處理技術，提供高倍數、高分辨掃描...
