冷場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器,於2015年3月31日啟用。
基本介紹
- 中文名:冷場發射掃描式電子顯微鏡
- 產地:日本
- 學科領域:化學、材料科學、冶金工程技術、物理學
- 啟用日期:2015年3月31日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 掃描電鏡
冷場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器,於2015年3月31日啟用。
冷場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器,於2015年3月31日啟用。技術指標本台場發射電鏡適用於常溫下觀測非磁性、無揮發導電材料,不導電材料可噴鍍導電層之後觀測。25倍到65...
冷場場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.0nm @ 15kV,能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B(5)-- U(92)。主要功能 本儀器具有高的解析度,...
冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2011年5月1日啟用。技術指標 解析度:1.0nm (15KV), 1.4 nm (1KV) 放大倍數:25-100萬倍加速電壓:0.1KV-30KV 束流強度:10-13-2x10-9。主要附屬檔案:牛津儀器INCA ...
掃描電子顯微鏡類型多樣, 不同類型的掃描電子顯微鏡存在性能上的差異。根據電子槍種類可分為三種:場發射電子槍、鎢絲槍和六硼化鑭 [5] 。其中, 場發射掃描電子顯微鏡根據光源性能可分為冷場發射掃描電子顯微鏡和熱場發射掃描電子顯微鏡。
場發射掃描電子顯微鏡,廣泛用於生物學、醫學、金屬材料、高分子材料、化工原料、地質礦物、商品檢驗、產品生產質量控制、寶石鑑定、考古和文物鑑定及公安刑偵物證分析。可以觀察和檢測非均相有機材料、無機材料及在上述微米、納米級樣品的表面...
冷場發射電子顯微鏡 冷場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的電子測量儀器,於2012年8月21日啟用。技術指標 加速電壓:0.1~30kV 觀測倍率:20~800000倍。主要功能 形貌觀察;能譜分析;明場暗場像。
場發射掃描式電子顯微鏡 場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2009年6月1日啟用。技術指標 加速電壓:200V~30KV。主要功能 固體物質表面形貌與成分分析。
掃描發射電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2007年9月28日啟用。技術指標 解析度二次電子(SE)成像:高真空模式:30kV時 1.2 nm;1kV時 3.0nm 低真空模式:30kV時 1.5 nm;3kV時 3.0nm ESEM?環境真空模式: 30kV時...
場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年9月13日啟用。技術指標 二次電子解析度 1.0nm (加速電壓15kV、WD=4mm) 1.3nm (加速電壓1kV、WD=1.5mm) 加速電壓 0.1~30kV 觀測倍率 20~8000,000(...
場發射掃描電子顯微鏡及原位拉伸台 場發射掃描電子顯微鏡及原位拉伸台是一種用於能源科學技術領域的科學儀器,於2017年12月18日啟用。技術指標 工作電壓15Kv,解析度0.8nm。主要功能 各種樣品的微觀形貌觀察和變形分析。
SUPRA 40是一款高解析度場發射掃描電子顯微鏡,擁有第三代GEMINI 鏡筒,可變壓強性能加上多種納米工具的使用,不用花費大量時間,使高解析度成像和非導體樣本的分析成為可能,超大的樣品室適合各種類型探頭及配件的選擇。該場發射電鏡適用於...
二次電子解析度:1.0 nm (15 kv,WD = 4 mm )1.4 nm (1 kv,WD = 1.5 mm ,減速模式) 2.0 nm (1kv,WD = 1.5 mm,普通模式) 電子槍:冷場發射電子源 加速電壓:0.5 kv - 30 kv 放大倍率:20倍 – ...
場發射掃描電子顯微鏡JSM-7600F是一種用於化學領域的分析儀器,於2012年1月12日啟用。技術指標 磁懸浮分子泵系統、五軸馬達驅動全對中樣品台、全自動樣品更換氣鎖和樣品監控系統解析度:1.0nmat15kV;1.5nmat1kV放大倍數:25-100萬倍...
電子顯微鏡按結構和用途可分為透射式電子顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、反射式電子顯微鏡和發射式電子顯微鏡等。透射式電子顯微鏡常用於觀察那些用普通顯微鏡所不能分辨的細微物質結構;掃描式電子顯微鏡主要用於觀察固體表面的形貌,也能與X射線...
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率:1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
場發射掃描電子顯微鏡分析系統成分探測系統是一種用於化學領域的科學儀器,於2017年9月26日啟用。技術指標 解析度:二次電子(SE)像,高真空模式:15kV時≤1.0 nm;1kV時≤1.4 nm。主要功能 用於材料表面微觀形貌觀察。
0304070201 /儀器儀表 /光學儀器 /電子光學及離子光學儀器 /掃描式電子顯微鏡。指標信息 二次電子圖像(SEI) 解析度1.5nm 背散射電子圖像(BEI) 解析度3.0nm X射線能譜儀(EDS) 解析度128ev 分析範圍B5~U92 電子背散射衍射(EBSP...
場發射序列掃描電子顯微鏡系統是一種用於基礎醫學領域的分析儀器,於2017年12月4日啟用。技術指標 1kV解析度小於1.3nm,30kV解析度小於1nm。具有多能量電子成像功能,配合內置切片機和專用探測器實現樣品三維空間的超高對比度和極高解析度成像...
冷場發射槍雙球差校正透射電子顯微鏡 冷場發射槍雙球差校正透射電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2012年12月14日啟用。技術指標 解析度0.078nm。主要功能 材料微結構分析。