冷場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的電子測量儀器,於2012年8月21日啟用。
基本介紹
- 中文名:冷場發射電子顯微鏡
- 產地:日本
- 學科領域:化學
- 啟用日期:2012年8月21日
- 所屬類別:電子測量儀器
冷場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的電子測量儀器,於2012年8月21日啟用。
冷場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的電子測量儀器,於2012年8月21日啟用。技術指標加速電壓:0.1~30kV 觀測倍率:20~800000倍。1主要功能形貌觀察;能譜分析;明場暗場像。1...
冷凍場發射掃描電子顯微鏡是一種用於化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2018年12月20日啟用。中文名 冷凍場發射掃描電子顯微鏡 產地 德國 學科領域 化學、生物學、材料科學 啟用日期 2018年12月20日 所屬類別 分析儀器 > ...
冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2011年5月1日啟用。技術指標 解析度:1.0nm (15KV), 1.4 nm (1KV) 放大倍數:25-100萬倍加速電壓:0.1KV-30KV 束流強度:10-13-2x10-9。主要附屬檔案:牛津儀器INCA ...
根據電子槍種類可分為三種:場發射電子槍、鎢絲槍和六硼化鑭。其中,場發射掃描電子顯微鏡根據光源性能可分為冷場發射掃描電子顯微鏡和熱場發射掃描電子顯微鏡。冷場發射掃描電子顯微鏡對真空條件要求高,束流不穩定,發射體使用壽命短,...
場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高解析度,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在納米尺度上觀察生物樣品...
場發射環境掃描電子顯微鏡系統是一種用於化學、基礎醫學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2007年12月28日啟用。技術指標 解析度高真空30KV優於2.0nm/低真空時30KV優於3.5nm;環境真空:30KV優於2.0nm;對樣品...
掃描電子顯微鏡類型多樣, 不同類型的掃描電子顯微鏡存在性能上的差異。根據電子槍種類可分為三種:場發射電子槍、鎢絲槍和六硼化鑭 [5] 。其中, 場發射掃描電子顯微鏡根據光源性能可分為冷場發射掃描電子顯微鏡和熱場發射掃描電子顯微鏡。
場發射電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年12月24日啟用。技術指標 200KV場發射透射電子顯微鏡,配備聚光鏡球差校正系統,能譜分析,STEM功能等。主要功能 解析度達原子水平的形貌分析;結合EDS,可做元素的線掃、面...
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率:1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
場發射掃描電子顯微鏡 場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高解析度,能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理,在鍍膜或不鍍膜的基礎上,低電壓下通過在...
場發射掃描電鏡 SUPRA 40/40VP是解析度為1.0nm @ 20KV,放大倍數為12 - 900,000x的機器。場發射掃描電鏡 SUPRA 40是一款高解析度場發射掃描電子顯微鏡,擁有第三代GEMINI 鏡筒,可變壓強性能加上多種納米工具的使用,不用花費大量...
場發射掃描電子顯微鏡分析系統成分探測系統是一種用於化學領域的科學儀器,於2017年9月26日啟用。技術指標 解析度:二次電子(SE)像,高真空模式:15kV時≤1.0 nm;1kV時≤1.4 nm。主要功能 用於材料表面微觀形貌觀察。
200KV場發射電子顯微鏡是一種用於數學領域的計量儀器,於2017年7月1日啟用。技術指標 1. 燈絲類型:ZrO/W (100) Schottky field emission gun (S-FEG)2. 物鏡類型:C-Twin3. 點解析度:0.3nm4. 信息分辨極限:0.23nm5. 加速...
透射電鏡的解析度為0.1~0.2nm,放大倍數為幾萬~幾十萬倍。由於電子易散射或被物體吸收,故穿透力低,必須製備更薄的超薄切片(通常為50~100nm)。透射式電子顯微鏡鏡筒頂部是電子槍,電子由鎢絲熱陰極發射出、通過第一,第二兩個...
場發射透射電子顯微鏡可對金屬、礦物、半導體、陶瓷、生物、高分子、複合材料、催化劑等材料進行微觀形貌、晶體結構、晶體缺陷、晶粒晶向及成份分析。2024年1月20日,由生物島實驗室領銜研製,擁有自主智慧財產權的首台國產場發射透射電子顯微鏡...
200kv場發射透射電子顯微鏡是一種用於生物學領域的分析儀器,於2019年1月19日啟用。技術指標 儀器配置:X-FEG場發射型電子槍 加速電壓:200 kV,160 kV, 80 kV 點解析度0.23 nm,信息極限可達0.14 nm;二級聚光鏡照明系統;高襯...
場發射透射式電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、藥學、材料科學領域的分析儀器,於2005年3月11日啟用。技術指標 Schottky場發射槍;加速電壓範圍:50kV-200kV;TEM放大倍數:25x-1000,000x;點解析度:0.24nm;線解析度:0.10nm;...
場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2005年8月6日啟用。技術指標 性能指標:點解析度0.19 nm,線解析度0.14 nm,EELS能量譜解析度0.7 eV,EDS能量解析度136 eV。主要功能 固體材料結構和成分分析。
場發射序列掃描電子顯微鏡系統是一種用於基礎醫學領域的分析儀器,於2017年12月4日啟用。技術指標 1kV解析度小於1.3nm,30kV解析度小於1nm。具有多能量電子成像功能,配合內置切片機和專用探測器實現樣品三維空間的超高對比度和極高解析度成像...
場發射掃描式電子顯微鏡 場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2009年6月1日啟用。技術指標 加速電壓:200V~30KV。主要功能 固體物質表面形貌與成分分析。
場發射透射電子顯微鏡系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2007年5月4日啟用。技術指標 TEM形貌像,HRTEM晶格像;選區電子衍射花樣SED,STEM(HAADF)掃描透射像,微區成分分析(點、線、面) 點...
場發射能量過濾透射電子顯微鏡 場發射能量過濾透射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2003年11月8日啟用。技術指標 放大倍數:20k~40k倍 點解析度:0.23nm 條紋解析度:0.10nm。主要功能 材料微觀觀察、形貌觀察。
場發射透射電鏡和掃描電鏡是一種用於物理學、化學工程領域的分析儀器,於2013年3月6日啟用。技術指標 1、點解析度:0.24nm 2、線解析度:0.102nm 3、信息解析度:0.14nm。主要功能 透射電鏡功能及套用範圍: 1、高性能的透射電子...
場發射超高分辨透射電子顯微鏡是一種用於生物學、化學、物理學、農學領域的分析儀器,於2017年6月21日啟用。技術指標 加速電壓200 kV;TEM晶格解析度~0.1 nm;STEM解析度~0.16 nm;SEI解析度~0.5 nm;放大倍率:TEM:500x~2Mx;...
目前掃描電子顯微鏡的最主要組合分析功能有: X 射線顯微分析系統(即能譜儀, EDS), 主要用於元素的定性和定量分析, 並可分析樣品微區的化學成分等信息; 電子背散射系統 (即結晶學分析系統), 主要用於晶體和礦物的研究。
掃描電子顯微鏡S-570(Scanning Electron Microscope (SEM))離子減薄儀691(Precision Ion Polishing System (PIPS))儀器化落錘衝擊試驗機 高頻疲勞試驗機 冷場發射掃描電子顯微鏡S-4700 潤濕角測量儀 原子力掃描探針顯微鏡 電子探針X射線...
《數據與誤差理論的拓展》是依託中國科學院精密測量科學與技術創新研究院,由周江文擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 通過對冷場發射槍HF-2000透射電子顯微鏡加上電子全息附屬檔案後的電子光學參數調試,獲得間距為0.37A的載波條紋,結合象素...