掃描發射電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器，於2007年9月28日啟用。
掃描發射電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器，於2007年9月28日啟用。技術指標解析度二次電子(SE)成像：高真空模式：30kV時 1.2 nm；1kV時 3.0nm 低真空模式：30kV時 1.5 nm；3kV時...
掃描電子顯微鏡（SEM）是一種介於透射電子顯微鏡和光學顯微鏡之間的一種觀察手段。其利用聚焦的很窄的高能電子束來掃描樣品，通過光束與物質間的相互作用，來激發各種物理信息，對這些信息收集、放大、再成像以達到對物質微觀形貌表征的目的。
肖特基場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器，於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.2nm @ 15kV，1.5nm @ 10kV； 能譜解析度133eV(Mn Ka)，分析元素B（5）-- U（92） 陰極螢光： ...
場發射環境掃描電子顯微鏡是一種用於表面形貌分析的設備。套用 可對各種各樣的樣品進行靜態和動態觀察和分析，在一定壓力的水蒸氣條件下進行各種物質的表面形貌分析和微區成分分析，避免樣品在真空條件下發生失水而發生表面形貌的變化，特別對...
台式掃描電子顯微鏡（Desktop Scanning Electron Microscope）是一種體積小巧，可安放在實驗檯面上操作的電子顯微鏡。其原理和傳統（落地式）掃描電子顯微鏡相同。部件包括：電子發射、電磁透鏡、信號探測、真空系統、計算機控制系統。台式掃描電子...
第一台掃描電子顯微鏡是1938年由德國人M.von阿爾登研製成功的。通常掃描電子顯微鏡附有X射線能譜和波譜分析裝置，可在觀察形貌的同時，快速得出該區域的化學成分。另外，在掃描電子顯微鏡上還可進行電子通道花樣分析，從而可研究試樣微區的...
場發射掃描電子顯微鏡（FESEM）是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高解析度，能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理，在鍍膜或不鍍膜的基礎上，低電壓下通過在納米尺度上觀察生物樣品...
電子顯微鏡按結構和用途可分為透射式電子顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、反射式電子顯微鏡和發射式電子顯微鏡等。透射式電子顯微鏡常用於觀察那些用普通顯微鏡所不能分辨的細微物質結構；掃描式電子顯微鏡主要用於觀察固體表面的形貌，也能與X射線...
熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2018年12月20日啟用。技術指標 1.具有高分辨能力的半浸沒式物鏡（Semi-in-lens） 半浸沒式物鏡能將電子束收縮的很細，即使在低加速電壓下也能實現高分辨。 2.採用GENTLE...
冷場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器，於2015年3月31日啟用。技術指標 本台場發射電鏡適用於常溫下觀測非磁性、無揮發導電材料，不導電材料可噴鍍導電層之後觀測。25倍到65萬倍連續...
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器，於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率：1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
場發射掃描電子顯微鏡SU8220是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年11月13日啟用。技術指標 二次電子解析度：15KV時優於0.8nm；1KV時優於1.1nm；電子槍真空：優於2*10-8；電子束流條件範圍：5pA~10nA。主要功能 冷場發射...
場發射掃描電子顯微鏡1530VP是一種用於地球科學、生物學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器，於2006年1月7日啟用。技術指標 電子槍: 熱場發射 加速電壓: 100V~30kV 放大倍數: 20×~900,000× 解析度：1.0nm（20kV）；2.5...
熱場發射掃面電子顯微鏡是一種用於土木建築工程、機械工程、物理學領域的分析儀器，於2013年06月01日啟用。技術指標 二次電子圖象解析度:1.0nm(15KV.WD=4.0mm)1.6nm(1KV.WD=1.5mm,減模.5nm1KV.WD=1.5mm)放大倍數:低放大倍數...
ZEISS熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、能源科學技術領域的分析儀器，於2016年1月1日啟用。技術指標 放大倍率：範圍:12×～1000,000×；工作距離：範圍可由1mm至50mm。主要功能 觀察材料表面微觀形貌。
冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2011年5月1日啟用。技術指標 解析度：1.0nm (15KV), 1.4 nm (1KV) 放大倍數：25-100萬倍加速電壓：0.1KV-30KV 束流強度：10-13-2x10-9。主要附屬檔案：牛津儀器INCA ...
高解析度肖特基場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年11月26日啟用。技術指標 1、 電子光學工作模式有：解析度、景深、視野、大視野、搖擺電子束 2、 高真空下的解析度（二次電子）：30kV下1.2nm,3kV下2.5...
超高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於2010年10月01日啟用。技術指標 加速電壓：1-15KV，放大倍數：120000-220000倍，二次電子解析度：1.4nm（1kV，減速模式），1.0nm（15kV）；。主要功能 金...
場發射掃描式電子顯微鏡 場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器，於2009年6月1日啟用。技術指標 加速電壓：200V~30KV。主要功能 固體物質表面形貌與成分分析。
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm，1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年4月24日啟用。技術指標 二次電子解析度 15KV時優於0.8nm，1KV時優於0.9nm；STEM模式，BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器，超高解析度熱場發射...
冷場場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器，於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.0nm @ 15kV,能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B（5）-- U（92）。主要功能 本儀器具有高的解析度，...
高分辨冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於藥學領域的分析儀器，於2013年11月27日啟用。技術指標 解析度 、放大倍數 、加速電壓、傾斜角。主要功能 具備超高分辨掃描圖像觀察能力，尤其是採用最新數位化圖像處理技術，提供高倍數、高分辨掃描...
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子解析度≤0.6nm(15kV);二次電子解析度≤0.9nm（1kV）。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、...
場發射環境掃描電子顯微鏡系統是一種用於化學、基礎醫學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器，於2007年12月28日啟用。技術指標 解析度高真空30KV優於2.0nm/低真空時30KV優於3.5nm；環境真空：30KV優於2.0nm；對樣品...
雙束場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器，於2011年12月27日啟用。技術指標 1、場發射槍 2、FIB最大束流20nA，SEM解析度1.1nm@20kv，FIB解析度2.5nm@30kv 3、具有Pt氣體沉積系統。主要功能...
場發射序列掃描電子顯微鏡系統是一種用於基礎醫學領域的分析儀器，於2017年12月4日啟用。技術指標 1kV解析度小於1.3nm，30kV解析度小於1nm。具有多能量電子成像功能，配合內置切片機和專用探測器實現樣品三維空間的超高對比度和極高解析度成像...
高解析度場發射掃描電子顯微鏡 高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器，於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
冷凍場發射掃描電子顯微鏡技術指標 編輯 播報 1.解析度: ≤0.6 nm@15 keV (二次電子),≤1.1 nm@1 keV,≤1.2 nm@500 eV(二次電子,無需減速模式); 2.放大倍率:20-2,000,000倍, 根據加速電壓和工作距離的改變,放大倍數自動...
熱場發射環境掃描電鏡是一種用於物理學、化學、材料科學、生物學領域的分析儀器，於2005年9月15日啟用。技術指標 Quanta 400 FEG場發射掃描電子顯微鏡是表面分析重要的表征工具之一，具有靈活先進的自動化作業系統。具有三種成像真空模式--...
