熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月20日啟用。
基本介紹
- 中文名:熱場發射掃描電子顯微鏡
- 產地:日本
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2018年12月20日
- 所屬類別:分析儀器 > 顯微鏡及圖象分析儀器
熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月20日啟用。
熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月20日啟用。技術指標1.具有高分辨能力的半浸沒式物鏡(Semi-in-lens) 半浸沒式物鏡能將電子束收縮的很細,即使在低加速電壓下也能實現高分...
熱場發射掃面電子顯微鏡是一種用於土木建築工程、機械工程、物理學領域的分析儀器,於2013年06月01日啟用。技術指標 二次電子圖象解析度:1.0nm(15KV.WD=4.0mm)1.6nm(1KV.WD=1.5mm,減模.5nm1KV.WD=1.5mm)放大倍數:低放大倍數...
掃描電子顯微鏡類型多樣,不同類型的掃描電子顯微鏡存在性能上的差異。根據電子槍種類可分為三種:場發射電子槍、鎢絲槍和六硼化鑭。其中,場發射掃描電子顯微鏡根據光源性能可分為冷場發射掃描電子顯微鏡和熱場發射掃描電子顯微鏡。冷場發射...
筆者以德國蔡司ULTRA PLUS掃描電子顯微鏡為例,從環境條件、光學系統、真空系統及附屬檔案設施4個方面總結了熱場發射掃描電子顯微鏡運行狀態的幾種檢查方法和維護保養經驗,並結合故障實例進行了分析。查看環境條件 掃描電子顯微鏡的使用環境條件...
熱場發射電子顯微鏡 熱場發射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年3月6日啟用。技術指標 1.0 nm @ 20 kV @ WD = 2 mm, 0.1 - 30 kV。主要功能 材料組織形貌,微區成分。
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm,1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
儀器類別: 0304070201 /儀器儀表 /光學儀器 /電子光學及離子光學儀器 /掃描式電子顯微鏡 指標信息: 二次電子成像,背散射成像,陰極螢光成像;解析度:高真空:30KV時,為1.5nm; 1KV時,為3nm; X射線能譜分析:元素分析範圍B-U...
這時陰極發射的機理和一般場發射不同,稱電漿場發射,蘇聯稱之為爆發電子發射。隨著六十年代末期掃描電子顯微鏡和表面物理分析儀器的蓬勃發展,要求有高亮度,細小直徑的電子束。尖端場發射陰極接近一個點源,電流密度大,電子初速零散小...
熱發射顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年7月26日啟用。技術指標 InSb相機在3 µm到5 µm波段內具有高靈敏度專為3 µm 到 5 µm波段最佳化的鏡頭設計使用lock-in功能(選配)實現低噪聲使用斯特林循環冷卻器實現...
場發射環境掃描電子顯微鏡系統是一種用於化學、基礎醫學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2007年12月28日啟用。技術指標 解析度高真空30KV優於2.0nm/低真空時30KV優於3.5nm;環境真空:30KV優於2.0nm;對樣品...
可研究表面的吸附位置,吸附原子在表面的移動和化學反應過程,研究催化作用。發射裝置 一般是套用非市售的實驗室設備場發射電子顯微鏡。缺點 此種技術由於分辨能力不如場離子顯微術,又不便與其它方法結合,使用很不普遍。
掃描發射電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2007年9月28日啟用。技術指標 解析度二次電子(SE)成像:高真空模式:30kV時 1.2 nm;1kV時 3.0nm 低真空模式:30kV時 1.5 nm;3kV時 3.0nm ESEM?環境真空模式: 30kV時...
場發射序列掃描電子顯微鏡系統是一種用於基礎醫學領域的分析儀器,於2017年12月4日啟用。技術指標 1kV解析度小於1.3nm,30kV解析度小於1nm。具有多能量電子成像功能,配合內置切片機和專用探測器實現樣品三維空間的超高對比度和極高解析度成像...
熱場電鏡電子背散射衍射儀是一種用於材料科學、物理學、化學領域的分析儀器,於2005年9月15日啟用。技術指標 Quanta 400 FEG場發射掃描電子顯微鏡是表面分析重要的表征工具之一,具有靈活先進的自動化作業系統。具有三種成像真空模式--高...
於2015年12月24日啟用。技術指標 200KV場發射透射電子顯微鏡,配備聚光鏡球差校正系統,能譜分析,STEM功能等。主要功能 解析度達原子水平的形貌分析;結合EDS,可做元素的線掃、面掃描分析。
蔡司場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2015年8月14日啟用。技術指標 掃描速度:標配提供17種非隔行電子束掃描速度,從25ns像素駐留時間到1.64ms像素駐留時間。樣品倉尺寸: 120mm Ø x 120mm high(4.75...
200KV場發射電子顯微鏡是一種用於數學領域的計量儀器,於2017年7月1日啟用。技術指標 1. 燈絲類型:ZrO/W (100) Schottky field emission gun (S-FEG)2. 物鏡類型:C-Twin3. 點解析度:0.3nm4. 信息分辨極限:0.23nm5. 加速...
超高分辨掃描電鏡是一種用於數學領域的分析儀器,於2005年2月1日啟用。技術指標 型號:Sirion 200 加速電壓:200V-30KV; 解析度:10KV,1.5nm;1KV,2.5nm;EDAX 能譜儀:133eV,Be-U。 熱場發射電子槍,配能譜儀,可用於...
場發射電子掃描顯微鏡 場發射電子掃描顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2006年11月13日啟用。技術指標 冷場高分辨,帶EDS。主要功能 形貌分析,元素分析。
超高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2010年10月01日啟用。技術指標 加速電壓:1-15KV,放大倍數:120000-220000倍,二次電子解析度:1.4nm(1kV,減速模式),1.0nm(15kV);。主要功能 金...
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率:1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2005年8月6日啟用。技術指標 性能指標:點解析度0.19 nm,線解析度0.14 nm,EELS能量譜解析度0.7 eV,EDS能量解析度136 eV。主要功能 固體材料結構和成分分析。
場發射透射電子顯微鏡可對金屬、礦物、半導體、陶瓷、生物、高分子、複合材料、催化劑等材料進行微觀形貌、晶體結構、晶體缺陷、晶粒晶向及成份分析。2024年1月20日,由生物島實驗室領銜研製,擁有自主智慧財產權的首台國產場發射透射電子顯微鏡...
高解析度場發射掃描電子顯微鏡 高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
日立超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、農學領域的分析儀器,於2015年12月1日啟用。技術指標 超高解析度成像。主要功能 ⑴生物:種子、花粉、細菌…… ⑵醫學:血球、病毒…… ⑶動物:大腸、絨毛、細胞、纖維...
電子顯微鏡按結構和用途可分為透射式電子顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、反射式電子顯微鏡和發射式電子顯微鏡等。透射式電子顯微鏡常用於觀察那些用普通顯微鏡所不能分辨的細微物質結構;掃描式電子顯微鏡主要用於觀察固體表面的形貌,也能與X射線...
高分辨場發射掃描式電子顯微鏡 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器,於2012年5月2日啟用。技術指標 放大倍率:14~1000000倍。主要功能 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡。
0.10nm;信息解析度≤0.15nm。主要功能 可對金屬、無機非金屬材料、陶瓷材料和各種納米材料進行透射電子顯微像,高分辨像,電子衍射,掃描透射分析,能譜微區點、線和面的元素成分分析。對樣品進行能量過濾像和能量損失譜分析。
中心擁有國內一流、山東省最先進、功能最強大的熱場發射掃描電子顯微鏡,X射線粉末衍射儀、電感耦合電漿質譜儀、X射線螢光分析儀、傅立葉紅外光譜儀等11台分析測試設備處於國內先進、省內領先的水平。中心的整體建設處於省內領先水平。在...