超高分辨掃描電鏡是一種用於數學領域的分析儀器，於2005年2月1日啟用。
超高分辨掃描電鏡是一種用於數學領域的分析儀器，於2005年2月1日啟用。技術指標 型號：Sirion 200 加速電壓：200V－30KV； 解析度：10KV，1.5nm；1KV，2.5nm；EDAX 能譜儀：133eV，Be－U。 熱場發射電子槍，配能譜儀，可用於各種固體材料的表面形貌分析與測量；用於材料的化學成份及相關成份分析。主要功能 熱...
超高分辨掃描電子顯微鏡 超高分辨掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於2017年12月22日啟用。技術指標 15 KV：解析度０.８nm（工作距離４nm），1 KV: 1.1 nm（減速模式），5軸馬達自動驅動。主要功能 表面形貌分析和測量，端面膜厚測量,圖形測量。
超高分辨率掃描電子顯微鏡是專門為現今技術研究和發展設計的超高解析度儀器。產品介紹 冷場發射掃描電子顯微鏡m213451是專門為現今技術研究和發展設計的超高解析度儀器。獨特之處在於使用複合檢測器允許同時顯示二次電子和背散射電子成像。可以以三維立體形態觀察各種物質的原子或分子結構，具有比一般掃描或電子顯微鏡更卓越的...
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器，於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率：1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) 放大倍率：低倍率模式20-2,000×(照像倍率)80-5,000×(顯示倍率) 高倍率模式 ...
場發射掃描電子顯微鏡（FESEM）是電子顯微鏡的一種。該儀器具有超高分辨率，能做各種固態樣品表面形貌的二次電子像、反射電子象觀察及圖像處理。該儀器利用二次電子成像原理，在鍍膜或不鍍膜的基礎上，低電壓下通過在納米尺度上觀察生物樣品如組織、細胞、微生物以及生物大分子等，獲得忠實原貌的立體感極強的樣品表面超...
超高分辨率場發掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2018年6月28日啟用。技術指標 新研發的冷場電子槍·利用電子槍轟擊後的高亮度穩定期，高分辨觀察和分析兼顧·大幅提高解析度(1.1nm/1kV、0.8nm/15kV)·減輕污染的高真空樣品倉·通過頂部過濾器(選配項)實現多種材料對比度可視化。主要功能 形貌觀察。
超高分辨場發射掃描電鏡 超高分辨場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2019年12月12日啟用。技術指標 放大範圍：12X-2000000X，連續可調，加速電壓範圍：20V-30KV，0.7nm@15KV,1.2nm@1KV。主要功能 超高分辨成像。
超高分辨冷場發射掃描電鏡是一種用於化學、生物學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器，於2019年10月11日啟用。技術指標 1、二次電子解析度：≥1.0nm (加速電壓15kV)、≥2.0nm (加速電壓1kV)、≥1.3nm (照射電壓1kV，使用減速裝置)。 2、加速電壓：0.1-30 kV，放大倍數：20-80萬倍(底片模式)、60...
高分辨率場發射掃描電鏡 高解析度場發射掃描電鏡是一種用於物理學、化學領域的分析儀器，於2016年12月20日啟用。技術指標 解析度：1.0nm（加速電壓15KV）；2nm（加速電壓1KV）。主要功能 形貌觀察、微區分析。
台式高分辨掃描電鏡能譜一體機是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2017年10月6日啟用。技術指標 1.放大倍率：內置集成彩色光學顯微鏡，光學放大 20-135倍；電子放大130,000倍（非數字放大）。2.背散射電子探測器解析度： 優於14nm。3.加速電壓： 5kV-15kV連續可調。主要功能 提供樣品形貌觀察和能譜分析微區成份...
高分辨分析型場發射掃描電鏡 高分辨分析型場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2018年7月12日啟用。技術指標 加速電壓80，100，120，160，200 kV 點解析度：0.194 nm 線解析度：0.14 nm 放大倍數：1,500,000倍。主要功能 微觀組織分析。
高分辨冷場掃描電鏡是一種用於化學、生物學領域的分析儀器，於2011年03月16日啟用。技術指標 二次電子解析度1.0nm（15KV），2.0nm（1KV），1.4nm（1KV減速模式）；加速電壓0.5-30KV（0.1KV/步，可變），放大倍率：X20-X800000；二次電子檢測器，物鏡光闌，4孔，真空外選擇和調校。主要功能 高解析度觀測。
FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年4月24日啟用。技術指標 二次電子解析度 15KV時優於0.8nm，1KV時優於0.9nm；STEM模式，BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器，超高分辨率熱場發射掃描電鏡，低加速電壓下具有較高的解析度，能夠直接觀察不導電材料的顯微結構，熱...
超高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學工程領域的分析儀器，於2017年11月17日啟用。技術指標 1.加速電壓：0.1kV - 30kV 2.解析度：0.8nm(15kV) 3.放大倍率：20x – 800,000x 4.配備日本Horiba公司能譜儀：X-MAX，檢測元素範圍4Be~92U。主要功能 金屬、非金屬、生物等各種樣品的納米尺度的形貌分析；微區...
《LAB6陰極掃描電鏡極限分辨率研究》是依託四川大學，由張銘誠擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 目前對雷達波資料的處理仍停滯在借鑑反射地震處理軟體的水平，然而，高頻雷達波在地球介質中是有較強的衰減特徵的。本研究從它和地震波存在的動力學差異入手，用加里津方法推導了含衰減項的雷達波有限元方程，實現了在...
低電壓掃描透射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子解析度：優於0.6nm（30kV）；優於0.9nm（1kV）；STEM解析度：優於0.4nm。主要功能 可高效率的獲取樣品超高分辨掃描電鏡圖像，EXB系統可以自由控制SE和BSE檢測信息，全新真空技術設計使其具有超穩定和高亮度特點...
分辨率較大型電鏡低，1-2nm。由於採用低電壓，可以在一台設備上整合透射電鏡、掃描電鏡與掃描透射電鏡 冷凍電鏡 冷凍電鏡（Cryo-microscopy）通常是在普通透射電鏡上加裝樣品冷凍設備，將樣品冷卻到液氮溫度（77K），用於觀測蛋白、生物切片等對溫度敏感的樣品。通過對樣品的冷凍，可以降低電子束對樣品的損傷，減小樣品...
場發射電鏡是一種用於材料科學領域的儀器，於2016年06月12日啟用。技術指標 二次電子分辨率：1.0 nm （15 kv，WD = 4 mm ）1.4 nm （1 kv，WD = 1.5 mm ，減速模式） 2.0 nm （1kv，WD = 1.5 mm，普通模式） 電子槍：冷場發射電子源 加速電壓：0.5 kv - 30 kv 放大倍率：20倍 – 800...
（1）利用掃描電鏡的鎢燈絲電子槍，通過結構改造，實現了電子槍的倒置工作，電子束束斑的空間分辨率可以達到6-8nm。（2）利用納米級厚度的氮化矽的電子束激發發光，研製了具有納米尺度和掃描功能的點光源。點光源的尺度主要由電子束束斑大小和發光薄膜層的厚度決定，表面鍍膜氧化鋅可以大幅增加亮度。其發光亮度可以...
多功能超高分辨電子束刻蝕系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2013年5月30日啟用。技術指標 特徵尺度小於10納米，線間距小於40納米，樣品尺寸4英寸。主要功能 多功能超高分辨電子束刻蝕系統包含電子束光刻，掃描電鏡成像，電子束原位誘導沉積和刻蝕，納米操縱和光譜分析，以及三維光刻等功能。
超高分辨率共聚焦系統 超高解析度共聚焦系統是一種用於基礎醫學領域的分析儀器，於2019年12月19日啟用。技術指標 超高解析度共聚焦系統,體式顯微鏡，體式視光顯微鏡。主要功能 3D成像，超高解析度成像，拼圖功能。
在轎車車身用鋁合金板材的研究方面取得成果；在大分子測量用納米孔器件製造方面有創新；關於透射電鏡理論和方法的工作被國際綜述文章和教科書引用；截至2022年4月，和其研究團隊擁有包括3台透射和2台掃描電鏡等電鏡設備與技術，可以實現納米電子衍射、波函式重構和高分辨HAADF STEM等結構 分析技術，具體研究方向包括：①...
是目前超高成像中穿透深度最深的。靈活、套用廣泛：其光毒性低，掃描速度快，能夠配合活細胞培養裝置進行超高實驗。並可用於螢光強度分析、FRAP等定量實驗分析；附帶相應的hardware lines key，進行airyscan的操作和數據分析；系統可以與掃描電鏡關聯，升級至關聯顯微鏡。將螢光顯。
3．1 低電壓掃描電鏡電子槍類型 3．2 低電壓掃描電鏡的重要突破 3．3 低電壓掃描電鏡的技術發展 3．3．1 減速模式 3．3．2 探測器 3．3．3 帶像差校正的掃描電鏡 3．3．4 帶單色器的超高分辨率掃描電鏡 3．4 低電壓掃描電鏡的套用 3．4．1 在熱敏感材料中的套用 3．4．2 在石墨烯表征中的套用 3...
Quanta™ 掃描電子顯微鏡 Quanta 掃描電子顯微鏡是一款高性能的多功能電子顯微鏡，提供三種操作模式（高真空、低真空和 環掃 (ESEM)），它是所有掃描電鏡中能看最多樣品類型的一款掃描電鏡.。 所有 Quanta SEM 系統均配置分析系統，如能譜儀，X射線波譜儀和電子背散射衍射分析系統。 此外，場發射 (FEG) 系統配備...
掃描電鏡的分辨本領可望達到0.2—0.3nm並觀察到原子像。關鍵字：透射電子顯微鏡掃描電子顯微鏡儀器製造與發展 電子顯微鏡(簡稱電鏡，EM)經過五十多年的發展已成為現代科學技術中不可缺少的重要工具。我國的電子顯微學也有了長足的進展。電子顯微鏡的創製者魯斯卡(E.Ruska)教授因而獲得了1986年諾貝爾獎的物理獎。電子與...
研究磷脂（以DSPE-PEG為例）等材料對碳納米管分散性的影響，以高速離心時間作為分散穩定性考察指標；採用濕法或納米沉積法，將難溶性藥物填充碳納米管內部，高分辨掃描電鏡觀察藥物進入碳納米管內的情況，熱重分析測定載藥量,透析法考察碳納米管的藥物緩釋特性；用腫瘤靶向性NGR多肽分子對該藥物載體進行修飾，以乳腺癌...
實驗室總面積達3800平方米，新增儀器設備總值2360萬元，儀器設備總值達4860萬元，擁有雷射粒度拉曼光譜儀（英國Renishaw inVia）、超高分辨冷場發射掃描電鏡（日立SU8010）和鎢絲燈掃描電子顯微鏡（日立S-3400N）、400兆核磁共振波譜儀（Bruker AVANCE 400）、倒置螢光顯微鏡、多晶X-射線衍射儀、皮秒和頻光譜儀、高性能...
