熱場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2012年12月3日啟用。
熱場發射掃面電子顯微鏡是一種用於土木建築工程、機械工程、物理學領域的分析儀器，於2013年06月01日啟用。技術指標 二次電子圖象解析度:1.0nm(15KV.WD=4.0mm)1.6nm(1KV.WD=1.5mm,減模.5nm1KV.WD=1.5mm)放大倍數:低放大倍數...
掃描電子顯微鏡（SEM）是一種介於透射電子顯微鏡和光學顯微鏡之間的一種觀察手段。其利用聚焦的很窄的高能電子束來掃描樣品，通過光束與物質間的相互作用，來激發各種物理信息，對這些信息收集、放大、再成像以達到對物質微觀形貌表征的目的。
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm，1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
場發射掃描電子顯微鏡，廣泛用於生物學、醫學、金屬材料、高分子材料、化工原料、地質礦物、商品檢驗、產品生產質量控制、寶石鑑定、考古和文物鑑定及公安刑偵物證分析。可以觀察和檢測非均相有機材料、無機材料及在上述微米、納米級樣品的表面...
熱場發射電子顯微鏡 熱場發射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2013年3月6日啟用。技術指標 1.0 nm @ 20 kV @ WD = 2 mm， 0.1 - 30 kV。主要功能 材料組織形貌，微區成分。
場發射掃描式電子顯微鏡 場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器，於2009年6月1日啟用。技術指標 加速電壓：200V~30KV。主要功能 固體物質表面形貌與成分分析。
S-4800是目前場發射掃描電子顯微鏡中的高端產品,該電鏡在高加速電壓下的二次電子像解析度為1 nm。在低加速電壓和減速條件下，S-4800可以觀察絕緣或導電性差的樣品。該電鏡配有X射線能譜儀，可以在觀察樣品表面微觀形貌的同時進行微區...
場發射環境掃描電子顯微鏡系統是一種用於化學、基礎醫學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器，於2007年12月28日啟用。技術指標 解析度高真空30KV優於2.0nm/低真空時30KV優於3.5nm；環境真空：30KV優於2.0nm；對樣品...
場發射序列掃描電子顯微鏡系統是一種用於基礎醫學領域的分析儀器，於2017年12月4日啟用。技術指標 1kV解析度小於1.3nm，30kV解析度小於1nm。具有多能量電子成像功能，配合內置切片機和專用探測器實現樣品三維空間的超高對比度和極高解析度成像...
掃描發射電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器，於2007年9月28日啟用。技術指標 解析度二次電子(SE)成像：高真空模式：30kV時 1.2 nm；1kV時 3.0nm 低真空模式：30kV時 1.5 nm；3kV時 3.0nm ESEM？環境真空模式: 30kV時...
蔡司場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器，於2015年8月14日啟用。技術指標 掃描速度：標配提供17種非隔行電子束掃描速度，從25ns像素駐留時間到1.64ms像素駐留時間。樣品倉尺寸: 120mm Ø x 120mm high(4.75...
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器，於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率：1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
肖特基場發射掃描電鏡是一種用於化學領域的分析儀器，於2018年4月3日啟用。技術指標 1.電子光學系統 電子槍：肖特基熱場發射電子槍 2.真空系統 全自動真空系統，完全氣動閥自動控制 3.樣品室 樣品室：內外紅外CCD相機 4.探測器系統 ...
於2015年12月24日啟用。技術指標 200KV場發射透射電子顯微鏡，配備聚光鏡球差校正系統，能譜分析，STEM功能等。主要功能 解析度達原子水平的形貌分析；結合EDS，可做元素的線掃、面掃描分析。
高解析度場發射掃描電子顯微鏡 高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器，於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
熱場發射透射電子顯微鏡是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器，於2009年12月20日啟用。技術指標 加速電壓：200kv；電子槍：場發射；信息解析度：＜0.14nm ；點解析度:＜0.24nm；STEM解析度＜0.3nm；EELS解析度：＜0.7...
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子解析度≤0.6nm(15kV);二次電子解析度≤0.9nm（1kV）。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、...
電子顯微鏡按結構和用途可分為透射式電子顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、反射式電子顯微鏡和發射式電子顯微鏡等。透射式電子顯微鏡常用於觀察那些用普通顯微鏡所不能分辨的細微物質結構；掃描式電子顯微鏡主要用於觀察固體表面的形貌，也能與X射線...
雙束場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器，於2011年12月27日啟用。技術指標 1、場發射槍 2、FIB最大束流20nA，SEM解析度1.1nm@20kv，FIB解析度2.5nm@30kv 3、具有Pt氣體沉積系統。主要功能...
高分辨場發射掃描式電子顯微鏡 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器，於2012年5月2日啟用。技術指標 放大倍率：14~1000000倍。主要功能 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡。
高解析度場發射掃描電鏡 高解析度場發射掃描電鏡是一種用於物理學、化學領域的分析儀器，於2016年12月20日啟用。技術指標 解析度：1.0nm（加速電壓15KV）；2nm（加速電壓1KV）。主要功能 形貌觀察、微區分析。
超高分辨場發射掃描電鏡 超高分辨場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2019年12月12日啟用。技術指標 放大範圍：12X-2000000X，連續可調，加速電壓範圍：20V-30KV，0.7nm@15KV,1.2nm@1KV。主要功能 超高分辨成像。
場發射電鏡是一種用於材料科學領域的儀器，於2016年06月12日啟用。技術指標 二次電子解析度：1.0 nm （15 kv，WD = 4 mm ）1.4 nm （1 kv，WD = 1.5 mm ，減速模式） 2.0 nm （1kv，WD = 1.5 mm，普通模式） ...
掃描電子顯微鏡方面主要有：分析掃描電鏡和X射線能譜儀、X射線波譜儀和電子探針儀、場發射槍掃描電鏡和低壓掃描電鏡、超大試樣室掃描電鏡、環境掃描電鏡、掃描電聲顯微鏡、測長/缺陷檢測掃描電鏡、晶體學取向成像掃描電子顯微術和計算機控制...
