場發射掃電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2010年9月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:場發射掃電鏡
- 產地:日本
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2010年9月1日
- 所屬類別:分析儀器 > X射線儀器
場發射掃電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2010年9月1日啟用。
場發射掃電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2010年9月1日啟用。技術指標二次電子解析度: 1.0nm (15 kV) ; 1.4nm (1 kV, WD = 1.5mm , 減速模式 ) ; 2.0nm (1 k...
隨著我國經濟的迅速發展,高校、科研單位、企業等大量引進了場發射掃描電子顯微鏡。但是在掃描電子顯微鏡的使用過程中,特別是在安裝初期,使用者通常由於對電鏡的運行狀態缺乏系統認識,經常會遇到軟體當機、樣品台被卡、真空問題等多種故障。
主要用途: Quanta 200 FEG場發射環境掃描電子顯微鏡綜合場發射電鏡高分辨和ESEM環境掃描電鏡適合樣品多樣性的優勢 儀器類別 0304070202 /儀器儀表 /光學儀器 /電子光學及離子光學儀器 /台式掃描電子顯微鏡 指標信息 1、場發射環境掃描電子...
儀器類別: 0304070201 /儀器儀表 /光學儀器 /電子光學及離子光學儀器 /掃描式電子顯微鏡 指標信息: 二次電子成像,背散射成像,陰極螢光成像;解析度:高真空:30KV時,為1.5nm; 1KV時,為3nm; X射線能譜分析:元素分析範圍B-U...
場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年9月13日啟用。技術指標 二次電子解析度 1.0nm (加速電壓15kV、WD=4mm) 1.3nm (加速電壓1kV、WD=1.5mm) 加速電壓 0.1~30kV 觀測倍率 20~8000,000(...
肖特基場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.2nm @ 15kV,1.5nm @ 10kV; 能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B(5)-- U(92) 陰極螢光: ...
台式場發射掃描電鏡是一種用於力學、材料科學領域的分析儀器,於2015年12月17日啟用。技術指標 電子束工作電壓:500—2000V;電子束電流:0.2—1nA;解析度:電子束工作電壓1Kv時<10nm;放大倍數:250—65,000X;掃描範圍:1x1mm(...
場發射掃描式電子顯微鏡 場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2009年6月1日啟用。技術指標 加速電壓:200V~30KV。主要功能 固體物質表面形貌與成分分析。
熱場發射掃面電子顯微鏡是一種用於土木建築工程、機械工程、物理學領域的分析儀器,於2013年06月01日啟用。技術指標 二次電子圖象解析度:1.0nm(15KV.WD=4.0mm)1.6nm(1KV.WD=1.5mm,減模.5nm1KV.WD=1.5mm)放大倍數:低放大倍數...
場發射環境掃描電子顯微鏡系統是一種用於化學、基礎醫學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2007年12月28日啟用。技術指標 解析度高真空30KV優於2.0nm/低真空時30KV優於3.5nm;環境真空:30KV優於2.0nm;對樣品...
熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月20日啟用。技術指標 1.具有高分辨能力的半浸沒式物鏡(Semi-in-lens) 半浸沒式物鏡能將電子束收縮的很細,即使在低加速電壓下也能實現高分辨。 2.採用GENTLE...
雙束場發射聚焦離子束及掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2014年2月27日啟用。技術指標 電子束解析度:0.9nm,離子束解析度:4nm。主要功能 製備透射電鏡樣品。
冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2011年5月1日啟用。技術指標 解析度:1.0nm (15KV), 1.4 nm (1KV) 放大倍數:25-100萬倍加速電壓:0.1KV-30KV 束流強度:10-13-2x10-9。主要附屬檔案:牛津儀器INCA ...
場發射雙束掃描電鏡是一種用於生物學領域的核儀器,於2015年4月12日啟用。技術指標 1.解析度 在最適佳工作距離下: 0.9nm @ 15kV 1.4nm @ 1kV 在束交點(電子束+離子束)的工作距離下: 1.0nm @ 15kV, 束交點工作距離 ...
超高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2010年10月01日啟用。技術指標 加速電壓:1-15KV,放大倍數:120000-220000倍,二次電子解析度:1.4nm(1kV,減速模式),1.0nm(15kV);。主要功能 金...
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率:1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) ...
掃描速度:標配提供17種非隔行電子束掃描速度,從25ns像素駐留時間到1.64ms像素駐留時間。樣品倉尺寸: 120mm Ø x 120mm high(4.75 x 4.75) 。樣品座:12 SEM ½ 樣品座,可調節高度最大高度60mm。主要功能 掃描電鏡利用...
熱場發射掃描電鏡是一種用於物理學、材料科學、能源科學技術領域的分析儀器,於2012年10月22日啟用。技術指標 1.放大倍數:35—90萬倍;2.解析度:工作電壓15kV時解析度為1.0nm3.加速電壓:0.2Kv—30Kv;4.能譜:探測元素範圍B5-U92...
熱場發射環境掃描電鏡是一種用於物理學、化學、材料科學、生物學領域的分析儀器,於2005年9月15日啟用。技術指標 Quanta 400 FEG場發射掃描電子顯微鏡是表面分析重要的表征工具之一,具有靈活先進的自動化作業系統。具有三種成像真空模式--...
9nm;STEM模式,BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器,超高解析度熱場發射掃描電鏡,低加速電壓下具有較高的解析度,能夠直接觀察不導電材料的顯微結構,熱場發射肖特基電子槍,束流大,且穩定,電子束流連續可調。
冷場場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.0nm @ 15kV,能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B(5)-- U(92)。主要功能 本儀器具有高的解析度,...
場發射環境掃描電鏡及能譜儀是一種用於材料科學、土木建築工程、水利工程、化學工程領域的分析儀器,於2011年12月27日啟用。技術指標 分高真空、高真空下減速模式、低真空、環境真空模式,最高解析度≤1.0nm。 最大放大倍數不得少於X8...
場發射掃描電子顯微鏡SU8220是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年11月13日啟用。技術指標 二次電子解析度:15KV時優於0.8nm;1KV時優於1.1nm;電子槍真空:優於2*10-8;電子束流條件範圍:5pA~10nA。主要功能 冷場發射...
高解析度場發射掃描電子顯微鏡 高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡 高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年9月11日啟用。技術指標 15kV解析度0.6nm,1kV解析度1.6nm。主要功能 測試樣品表面形貌及微區成分。
冷場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器,於2015年3月31日啟用。技術指標 本台場發射電鏡適用於常溫下觀測非磁性、無揮發導電材料,不導電材料可噴鍍導電層之後觀測。25倍到65萬倍連續...
冷凍場發射掃描電子顯微鏡主要功能 編輯 播報 由於高分子材料和生物材料非常敏感,不耐電子束的轟擊,鑒於傳統的場發射掃描電鏡對軟物質,比如聚合物以及其高級組裝體在表征過程中易造成損壞。冷凍場掃描電鏡可以很好地避免以上問題。同時儀器提...
場發射電鏡是一種用於材料科學領域的儀器,於2016年06月12日啟用。技術指標 二次電子解析度:1.0 nm (15 kv,WD = 4 mm )1.4 nm (1 kv,WD = 1.5 mm ,減速模式) 2.0 nm (1kv,WD = 1.5 mm,普通模式) ...
肖特基場發射掃描電鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2018年4月3日啟用。技術指標 1.電子光學系統 電子槍:肖特基熱場發射電子槍 2.真空系統 全自動真空系統,完全氣動閥自動控制 3.樣品室 樣品室:內外紅外CCD相機 4.探測器系統 ...
高解析度肖特基場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年11月26日啟用。技術指標 1、 電子光學工作模式有:解析度、景深、視野、大視野、搖擺電子束 2、 高真空下的解析度(二次電子):30kV下1.2nm,3kV下2.5...