高低真空掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學、冶金工程技術領域的分析儀器,於2005年5月20日啟用。
基本介紹
- 中文名:高低真空掃描電子顯微鏡
- 產地:日本
- 學科領域:材料科學、冶金工程技術
- 啟用日期:2005年5月20日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 掃描電鏡
高低真空掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學、冶金工程技術領域的分析儀器,於2005年5月20日啟用。
高低真空掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學、冶金工程技術領域的分析儀器,於2005年5月20日啟用。技術指標高真空模式解析度:3.0nm;低真空模式解析度:4.0nm;放大倍數:×5_×300,000;探測器:二次電子探測...
高低真空掃描分析電子顯微鏡是一種用於材料科學、化學領域的分析儀器,於2005年8月15日啟用。技術指標 高真空解析度:3.0nm in SEI、4.0nm in BEI;低真空解析度:4.0nm in BEI;放大倍數:x8-x300000;加速電壓:0.5~30kV;放大...
低真空掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學、航空航天領域領域的科學儀器,於1999年6月1日啟用。技術指標 1.SEM解析度:3.5nm; 2.EDS解析度:131.7ev。主要功能 對各種固體材料的表面進行表面形貌的觀察和元素組成分析。
環境掃描式電子顯微鏡是一種用於物理學、地球科學、材料科學領域的分析儀器,於2003年01月15日啟用。技術指標 解析度:3.5nm(30kv,高真空模式);放大倍率:5~200000倍 加速電壓:30KV 樣品最大尺寸:X=50mm,Y=50mm,Z=50mm ...
可變真空掃描電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器,於2011年4月20日啟用。技術指標 1、解析度:二次電子探測器3.0nm(30kV),15.0nm(1kV),背散射電子探測器4.0nm(30kV)2、放大倍數5~300000倍,自動修正放大;3...
鎢絲燈掃描式電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年5月20日啟用。技術指標 高真空(SE): 3 nm @ 30 kV / 2 nm @ 30 kV 8 nm @ 3 kV / 5 nm @ 3 kV 低真空模式(LVSTD,BSE): 3.5 nm @ 30 ...
1、系統掃描範圍:5微米 *5微米(室溫)、2微米 * 2微米(77 K)、1微米*1微米(4 K); 2、STM成像空間解析度:<1 ?(橫向)、<0.1 ?( 縱向); 3、系統噪聲水平:電子學噪聲<500fA,機械噪聲<5pm; 4、STM針尖可...
掃描式電子顯微鏡/掃描探針顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2006年12月1日啟用。技術指標 XY方向解析度為0.2nm,Z方向為0.01nm,最大掃描範圍150*150um。主要功能 利用針尖與樣品表面原子間的微弱作用來作為反饋信號,維持針尖與...
Quanta200該掃描電鏡解析度為高真空模式 3.0nm @ 30kV, 10nm @ 3kV ;低真空模式 3.0nm @ 30kV, 12nm @ 3kV ;環境真空模式 3.0nm @ 30kV ;背散射電子像 4.0nm @ 30kV。加速電壓200V ~ 30kV,連續調節。主要功能 材...
高真空型掃描探針顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年11月21日啟用。技術指標 該系統由分子束外延(MBE)樣品製備室,表面分析室和低溫STM室三個超高真空(5.0′10-11 mbar)腔體組成 MBE樣品製備室:裝備有三個電子束...
超高真空低溫掃描探針顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2017年4月28日啟用。技術指標 真空:1×10-10 mbar。最低工作溫度:5 K。溫度穩定性:10 mK。可變溫度範圍:5K-300K。液氦消耗量:小於0.1L/小時 (5K)。掃描範圍:1 ...
x 10-10mB,快進樣室1.0 x 10-8mB,樣品生長分。主要功能 主要用於納米尺度時間空間高分辨研究:利用掃描隧道顯微鏡與光學,磁學技術融合,研究納米尺度物質表面結構,電子輸運,針尖誘導發光,納米體系動力學性質以及與自旋相關性質等。
場發射環境掃描電子顯微鏡是一種用於表面形貌分析的設備。套用 可對各種各樣的樣品進行靜態和動態觀察和分析,在一定壓力的水蒸氣條件下進行各種物質的表面形貌分析和微區成分分析,避免樣品在真空條件下發生失水而發生表面形貌的變化,特別對...
AFM接觸模式下可實現雲母和Au(1 1 1)表面的原子分辨;AFM非接觸模式下可實現Si(1 1 1)表面的原子分辨。能經受不低於420K 烘烤。極限真空160mm.。主要功能 固體表面的微觀形貌測定、部分樣品的表面電子結構、掃描隧道譜測量。
在超高真空中,對襯底進行加熱或者冷卻的條件下,利用分子束外延的方法製備薄膜樣品,並且利用掃描探針顯微鏡在超高真空-低溫-光學照射或收集的環境中對已經製備的薄膜和納米結構的形貌和電子結構進行測量。1K冷台上有加熱絲,使用液氦時能夠...