聚焦離子束掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學、化學、物理學、航空、航天科學技術領域的分析儀器,於2013年10月21日啟用。
基本介紹
- 中文名:聚焦離子束掃描電子顯微鏡
- 產地:日本
- 學科領域:材料科學、化學、物理學、航空、航天科學技術
- 啟用日期:2013年10月21日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 掃描電鏡
聚焦離子束掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學、化學、物理學、航空、航天科學技術領域的分析儀器,於2013年10月21日啟用。
聚焦離子束掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學、化學、物理學、航空、航天科學技術領域的分析儀器,於2013年10月21日啟用。技術指標SEM 解析度:高真空:3.0nm(30kV);10nm(3kV) 低真空:4.0nm(3...
FEG-SEM/FIB採用高強度聚焦離子束(FIB)對材料進行納米尺度地加工,結合掃描電子顯微鏡(SEM)實時觀察,開闢了從大塊材料製造納米器件、進行納米加工的新途徑。目前已廣泛套用於半導體積體電路生產線;直接修補、加工積體電路;微納米加工、...
在成像方面,聚焦離子束顯微鏡和掃描電子顯微鏡的原理比較相近,其中離子束顯微鏡的試片表面受鎵離子掃描撞擊而激發出的二次電子和二次離子是影像的來源,影像的解析度決定於離子束的大小與畸變修正、帶電離子的加速電壓、二次離子訊號的強度...
雙束場發射聚焦離子束及掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2014年2月27日啟用。技術指標 電子束解析度:0.9nm,離子束解析度:4nm。主要功能 製備透射電鏡樣品。
聚焦離子束電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2014年6月1日啟用。技術指標 電子束解析度(Electron beam resolution):0.9 nm@15kV,1.4nm@1kV 離子成像解析度(Ion beam resolution):4nm@30kV。主要功能 Elstar ...
離子束顯微鏡包括液相金屬離子源、電透鏡、掃描電極、二次粒子偵測器、5 -7軸向移動的試片基座、真空系統、抗振動和磁場的裝置、電子控制臺和計算機等硬設備。外加電場可使液態鎵形成細小尖端,再加上負電場牽引尖端的鎵,而導出鎵離子...
也可實現由離子束誘導的金屬和絕緣體氣相沉積。另外,通過加入環境掃描附屬檔案,可以實現環境掃描觀測功能,通過加裝掃描透射附屬檔案,可以實現掃描透射功能。擬購置的電子束聚焦離子束雙束系統為在納米尺度下製造和加工提供極大的便利。
聚焦離子束顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2016年01月08日啟用。技術指標 加速電壓:0.5kV-30kV射束電流:1.1pA-65nA圖像解析度:4.5nm。主要功能 V400ACE™ 聚焦離子束(FIB)系統採用了離子鏡筒設計、氣體輸送和端點...
目前,電子顯微鏡的放大倍數可達100萬倍以上。通常使用的電子顯微鏡分為透射式和掃描式兩種。有些特殊顯微鏡還利用質子束、X射線或正離子束代替電子束以獲得放大影像。電子顯微鏡已廣泛用於病毒、蛋白質、分子、金屬表面和物質結構的研究。
電子束:解析度: ≤1.0 nm@15KV ,≤1.9 nm@1kV; 放大倍率:12x ~ 1000kx;離子束:解析度: ≤ 2.5nm@30kV; 放大倍率:300x ~ 500kx.。主要功能 雙束系統中場發射掃描電鏡主要用於觀察、分析和記錄材料的微觀形貌,聚焦...
第四節 離子束曝光 一、離子束曝光的分類 二、離子束曝光的特點 三、掩模離子束曝光 四、投影離子束曝光 五、掃描離子束曝光 六、小結 第五節 掃描離子顯微鏡和二次離子質譜儀 一、掃描離子顯微鏡(SIM)二、FIB/SIMS系統 參考文獻 ...
雙束電子顯微鏡是一種用於物理學領域的科學儀器,於2013年5月13日啟用。技術指標 器件最小製備線寬可達到20 nm。主要功能 versa 3D是集成聚焦離子束和聚焦Ga離子束的雙束系統,器件最小的製備線寬可以達到20nm。可以沉積Pt,C兩種材料...