聚焦離子束雙束系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年03月31日啟用。
基本介紹
- 中文名:聚焦離子束雙束系統
- 產地:德國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2014年03月31日
- 所屬類別:分析儀器 > 樣品前處理及製備儀器
聚焦離子束雙束系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年03月31日啟用。
聚焦離子束雙束系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年03月31日啟用。技術指標電子束:解析度: ≤1.0 nm@15KV ,≤1.9 nm@1kV; 放大倍率:12x ~ 1000kx;離子束:解析度: ≤ ...
聚焦離子電子雙束系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2012年6月11日啟用。技術指標 二次電子像解析度:0.9nm(15kV),1.4nm(1kV);放大倍數:40~600000;加速電壓:0.5~30kV;離子成像解析度:4nm(30kV) 加速電壓:0.5~...
聚焦離子束系統 聚焦式離子束技術是利用靜電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的顯微切割技術,商用FIB系統的粒子束多是從液態金屬離子源中引出。由於鎵元素具有低熔點、低蒸汽壓以及良好的抗氧化力,因而液態金屬離子源中的金屬材料多為鎵(...
聚焦離子束-掃描電鏡雙束系統是一種用於地球科學領域的分析儀器,於2015年12月14日啟用。技術指標 1.SEM: 加速電壓0.1 - 30 kV,2.5 nm@1 kV ;2.FIB:離子束解析度5 nm (30 kV, 1 pA),加速電壓0.5 - 30 kV,電流1...
雙束型聚焦離子束顯微分析系統是一種用於冶金工程技術領域的分析儀器,於2011年12月18日啟用。技術指標 1.電子束系統解析度:0.9nm(15kv)/1.4nm(1kv)2.離子束系統解析度:在束交叉點:4.5nm@30kV(統計測量法)在束交叉點:2...
聚焦離子束(FIB)-電子束(SEM)雙束同步微納加工系統,不僅能夠實現SEM實時監控下的FIB微細加工,而且通過電子的中和提高FIB單束加工精度的同時從本質上解決了樣品上局部電荷積累問題,保證FIB加工過程質量的同時有效提高了FIB加工的成品率...
《聚焦離子束微納加工技術》是2006年12月1日北京工業大學出版社出版的圖書,作者是顧文琪。內容簡介 本書重點講述聚焦離子束技術的原理;聚焦離子束系統的結構,包括離子源、離子光學柱體、圖形發生器和精密工件台等;還探討了聚焦離子束...
掃描電鏡/聚焦離子束電鏡系統是一種用於物理學、材料科學、能源科學技術領域的分析儀器,於2012年10月22日啟用。技術指標 1.工作模式:高真空、低真空、環掃共三種模式;2.放大倍數:30倍—128萬倍;3.解析度:電子束1.2nm(工作電壓...
本項目擬用脈衝雷射沉積法在不同的基片和緩衝層上製備不同的外延方向、不同的應力狀態的TbMnO3薄膜,以聚焦離子束-電子束組成的雙束納米加工系統為主要操控手段,系統研究Ga離子注入、電子注入、納米尺度等因素引起TbMnO3薄膜阻變效應的...
聚焦離子束工作原理和構造 FIB系統主要由離子源、離子光學系統、二次粒子探測器、真空系統和輔助氣體系統組成。商用機型有單束( single beam)和雙束(dual beam,離子束+電子束)兩類。商用系統的離子源為液相金屬離子源(liquid metal ...
離子槍消耗:無消耗 5. 拋光速率:矽,每小時140μm,6kV 6. 拋光區域:0.5-1.5mm,通過離子束可調節 7. 樣品台:Ti遮擋板,配合Sample Stub可直接轉至SEM中觀察,從而可以重複拋光原感興趣區域 8. 離子束調製:雙束調製系統 ...
聚焦離子束掃描電鏡是一種用於數學領域的分析儀器,於2012年11月1日啟用。技術指標 場發射(FE-SEM)部分: #11; 解析度:高真空:1.2nm at 30kV#11; 放大倍數:2x~1,000,000x #11; 真空系統:高真空:樣品室<9x10-3Pa,槍...
其產品主要有掃描透射電子顯微鏡、電子顯微鏡、聚焦離子束系統、Micro-CT,以及相關分析附屬檔案和軟體 。套用於醫學、生物、生化、農業、材料科學、冶金、化學、石油、製藥、半導體和電子器件等領域中。品牌簡介 TESCAN於2009年正式進入中國市場,...
場發射電子束/聚焦離子束雙束系統 (ZEISS Auriga SEM/FIB Crossbeam System)主要技術指標/Specifications:電子束:Electron beam:1、 解析度:≤1.0nm@15V,≤1.9nm@1KV Resolution: ≤1.0nm@15V,≤1.9nm@1KV 2、 加速電壓:...
;電子束曝光解析度優於10納米、對準和拼接精度優於20納米的電子束直寫系統(EBL);離子束刻蝕解析度優於10納米、可輔助沉積或刻蝕、原位納米操縱與測量的雙束聚焦離子束系統(FIB);以及面積3英寸、解析度優於20納米的納米壓印系統。