磁控濺射儀是一種用於物理學領域的分析儀器，於2015年05月25日啟用。
磁控濺射是物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用於製備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易於控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。上世紀 70 年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。磁...
磁控濺射儀是一種用於物理學領域的分析儀器，於2015年05月25日啟用。技術指標 濺射室極限真空度：≤5x10 -7 Torr(經烘烤除氣後)； 系統真空檢漏漏率：≤5.0x10 -8 Torr.l/S； 系統從大氣開始抽氣：濺射室40分鐘可達到6x10 -4 Pa； 系統停泵關機12小時後真空度：≤5Pa；。主要功能 薄膜製備。
金屬多靶磁控濺射機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2014年1月1日啟用。技術指標 1、真空系統：複合分子泵+直聯旋片無油機械泵抽真空系統；真空極限：優於5.0×10E-5Pa ；抽速：從大氣開始抽氣，濺射室25分鐘可達到10E-4Pa；系統漏率≤ 5×10-7PaL/s，系統停泵關機12小時後真空度≤5Pa...
磁控濺射設備是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2013年02月18日啟用。技術指標 直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極，從而該方法只能濺射導體材料，不適於絕緣材料，因為轟擊絕緣靶材時表面的離子電荷無法中和，這將導致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間...
磁控濺射鍍膜儀是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的工藝試驗儀器，於2006年12月30日啟用。技術指標 1、主真空室的本底真空優於2×10－8Torr；2、四英寸的基片範圍內薄膜厚度均勻性優於±2％；3、可以濺射磁性和非磁性金屬、進行直流和射頻濺射；4、基片可以加熱（800℃）、冷卻（水冷）；5、全...
高頻磁控濺射設備 高頻磁控濺射設備是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2009年5月19日啟用。技術指標 ＜1*10-4Pa。主要功能 本底真空可達1×10-4Pa,可進行大面積沉積鍍膜。
射頻磁控濺射設備是一種用於能源科學技術領域的儀器，於2015年12月16日啟用。技術指標 圓柱型304不鏽鋼腔室，配有頂蓋與底蓋，名義尺寸約360mm直徑 x 460mm高，配有1個觀察窗，並配有觀察窗擋板，前級泵採用抽速6.8cfm的油潤滑機械泵，主泵採用抽速不小於685 l/s的分子泵，主真空室配有MKS電容式薄膜規，滿...
超高真空磁控濺射設備是一種用於材料科學、能源科學技術、環境科學技術及資源科學技術領域的工藝試驗儀器，於2012年12月11日啟用。技術指標 1、系統真空指標：磁控濺射室：經48小時連續烘烤（150℃），優於6.0×10-6Pa；樣品室：經12小時連續烘烤（120℃），優於6.0×10-5Pa；2、抽氣速率：磁控濺射室：系統充...
高真空磁控濺射儀是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年12月11日啟用。技術指標 雙腔室真空結構（進樣室+濺射室），濺射室極限真空度優於9.9x10-6Pa，進樣室極限真空度優於5x10-4Pa；水冷旋轉樣品台，可採用Ar氣背冷，最大支持6英寸，同時支持...
多功能高精度磁控濺射儀 多功能高精度磁控濺射儀是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年7月21日啟用。技術指標 離子源：襯底預先清洗輔助沉積；磁控濺射沉積：射頻(RF)，直流(DC)；靜態濺射，共濺射，反應濺射，線上濺射。主要功能 採用磁控濺射進行鍍膜。
全自動磁控濺射鍍膜機系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2014年10月14日啟用。技術指標 1、真空泵源：分子泵一台（抽速1200升/秒），直聯旋片式真空泵一台（抽速9升/秒），乾式真空泵一台（抽速8升/秒）；2、真空閥門：CCQ-200型電磁氣動插板閥一個，高真空電磁氣動隔斷閥3個，壓差閥2個，其他...
射頻磁控濺射儀 射頻磁控濺射儀是一種用於物理學領域的儀器，於2016年12月01日啟用。技術指標 4英寸矽片鍍制200nm以上的Al膜，均勻性不大於+/-5%。主要功能 薄膜製備。
多功能離子束磁控濺射是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2005年10月1日啟用。技術指標 真空室Φ800mm×H1000mm，配1套50kV中能離子源、兩套Φ80cm濺射離子源、一套Φ60cm低能清洗離子源、兩套三工位濺射轉靶、兩套Φ50cm磁控濺射靶、六工位自轉/公轉樣品台（含兩個水冷台、兩個加熱台、一個粉末台、一...
超高真空磁控濺射及離子鍍沉積設備是一種用於材料科學領域的計量儀器，於2011年1月1日啟用。技術指標 · 在20 GHz時達108 dB的動態範圍 · 在1 kHz的IFBW下軌跡噪聲＜0.006 dB · 量測速度＜9 µsec/point · 32個量測頻道，每個頻道最多16,001個點 · 支持TRM/LRM校驗，以達到最準確的晶圓上、接上...
多腔體磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2013年11月05日啟用。技術指標 7個獨立腔室：濺射室x4/清洗室x1/進樣室x1/傳遞室x1; 濺射室真空度：≤3x10-5Pa，清洗室真空度：≤1x10-4Pa 進樣室、傳遞室真空度：≤8x10-5Pa; 8英寸濺射...
磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2011年03月26日啟用。技術指標 1.配裝3支Ф2英寸的磁控濺射靶，其中一支可鍍鐵磁材料。2.磁控濺射靶射頻（RF）、直流（DC）兼容。3.每隻磁控濺射靶均配備擋板，基片配擋板。4.極限真空：5*10-5Pa；工作背景真空：7*10-4Pa.5.基片尺寸≤Ф4英寸。6...
磁控濺射系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2010年11月20日啟用。技術指標 JGP-560，真空室尺寸：梨型真空室，真空系統配置：分子泵、機械泵、閘板閥，極限壓力：≤2.0x10-5Pa (經烘烤除氣後) ，恢復真空時間：40分鐘可達到6.6x10-4Pa (系統短時間暴露大氣並充乾燥氮氣開始抽氣)，樣品尺寸：Ф...
磁控濺射氣相沉積系統是一種用於材料科學、機械工程領域的科學儀器，於2016年1月11日啟用。技術指標 （1） 真空性能：極限真空（Ultimate Pressure）:9E-8Torr；真空抽速：30分鐘從大氣壓抽到4E-6Torr；真空室漏率：5 E-5Torr.L/s（2）樣品台加熱溫度800℃，能夠在O2氣氛下長時間工作，溫度控制精度優於#177;...
超高真空多功能磁控濺射系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2010年9月9日啟用。技術指標 極限真空:系統經48小時連續烘烤抽氣後,其極限真空可達≤6.6×10-6Pa(5×10-8Torr)。 系統抽速:從大氣開始抽氣,在≤30分鐘內,離子束室真空度≤6×10-4Pa。 磁控濺射室: 採用離子束濺射室:...
磁控濺射低維材料沉積設備是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2008年4月18日啟用。技術指標 設備由一個濺射室和一個進樣室構成，濺射室內有一個三英寸的垂直靶和三個傾斜靶，可以濺鍍尺寸不超過10cm的基片；設備的極限真空度：≤5x10-5 Pa (經烘烤除氣後)；系統真空檢漏漏率：≤5x10-8 Pa.l/S；系統從...
全自動磁控濺射台是一種用於物理學、藥學、食品科學技術、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器，於2012年10月25日啟用。技術指標 不鏽鋼，鋁質腔體 260或500 l/s的渦輪分子泵，串接機械泵或乾泵 13.56MHz，300-600W RF射頻電源以及1KW DC直流電源 晶振夾具具有的1 ?的厚度解析度 帶觀察視窗的腔門易於上...
超高真空多功能磁控濺射設備是一種用於物理學、化學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2000年6月4日啟用。技術指標 1．極限真空：7×10-6Pa2．磁控靶：Φ英寸×5隻（永磁）3．靶—基距：20—100mm4．基片架：直接水冷，可轉動5．樣品：2.6×76mm或F60mm×8（最大）6．氣路：0～10sccm，0～10sccm，0～...
雙室磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年11月30日啟用。技術指標 濺射室極限真空度：≤6.67X10-6Pa(經烘烤除氣後)； 進樣室極限真空度：≤6.67X10-4Pa(經烘烤除氣後) 系統真空檢漏漏率：≤5.0X10-7Pa.l/S； 系統短時間暴露大氣並充乾燥氮氣開始抽氣：濺射室30分鐘可達到6.6X10...
磁控濺射測試系統 磁控濺射測試系統是一種用於化學領域的分析儀器，於2004年03月24日啟用。技術指標 直流濺射功率最高200W,射頻濺射功率最高300W。主要功能 採用金屬或非金屬靶材進行物相沉積。
超高真空多靶磁控濺射鍍膜儀是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2010年2月21日啟用。技術指標 1、雙室磁控濺射系統，極限壓力：主濺射室，6.67*10-6Pa，2、永磁靶5套，三個直流電源，兩個射頻電源，靶材直徑60mm；3、6個樣品工位，尺寸直徑30mm，基片加熱最高600度，退火爐最高溫度800度。主要功能 用...
多靶磁控濺射系統是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年7月20日啟用。技術指標 片徑：2”-8”，襯底加熱：500°C，3個3’’靶材，可共濺射，基本壓力：?10-7torr，1個DC電源：1200W，2個RF電源：600W，3路氣體。可PC控制。主要功能 該設備具有三個電源三個濺射靶，可共濺射...
Singulus磁控濺射沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2018年10月14日啟用。技術指標 1、晶圓尺寸：最大為8寸晶圓。 2、12個PVD濺射靶材，靶材直徑100mm。 3、最多4個陰極共濺射。 4、濺射模式：直流、脈衝直流、射頻濺射。 5、2個晶圓腔室，可一次性處理50個晶圓，整個過程可設定全自動並行實現。
全自動磁控濺射鍍膜機是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器，於2013年7月26日啟用。技術指標 極限真空：7×10-5Pa ；，恢復真空：3×10-3Pa≤30min ，系統漏率：停泵關機12小時後真空度≤5Pa。，真空系統：分子泵+直聯泵或機械泵，基片加熱：加熱範圍從室度～400℃連續可調可控，控溫精度±1%， ，靶的結構...
磁控濺射A2D沉積是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的物理性能測試儀器,於2011年12月31日啟用。中文名 磁控濺射A2D沉積 產地 中國 學科領域 化學、材料科學、冶金工程技術、物理學 啟用日期 2011年12月31日 所屬類別 物理性能測試儀器 > 力學性能測試儀器 > 材料試驗機 目錄 1 技術指標 ...
