等離子化學氣相澱積設備是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年12月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:等離子化學氣相澱積設備
- 產地:英國
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2012年12月1日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
等離子化學氣相澱積設備是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年12月1日啟用。
等離子化學氣相澱積設備是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年12月1日啟用。技術指標可蒸發不同厚度的SiO2和SiNx薄膜,廣泛套用於物理,生物,化學,材料,電子等領域。 沉積薄膜種類:SiO2,Si...
等離子體化學氣相沉積設備是一種用於動力與電氣工程、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年4月5日啟用。技術指標 薄膜厚度,均勻性,折射率,透過率。主要功能 電漿化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成電漿,利用低溫電漿作為能量源,通入適量的反應氣體,利用電漿...
等離子化學氣相澱積台 等離子化學氣相澱積台是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2013年11月15日啟用。技術指標 SiO2生長速率 40 nm/min;SiO2不均勻性±10% 。主要功能 沉積SiNx和SiO2。
等離子體化學氣相澱積台是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2010年08月15日啟用。技術指標 極限真空:反應室8.0*10-5Pa,進樣取樣室5.0*10-1Pa;澱積速率:200-500?/min;澱積均勻性:≤±4%;樣品尺寸:400mm*500mm;裝片量1片;電極加熱:室溫~350℃(精度±0.5℃);壓力調節範圍:0.1Pa~100Pa;四...
等離子增強化學氣相沉積設備 等離子增強化學氣相沉積設備是一種用於材料科學、能源科學技術領域的科學儀器,於2010年1月19日啟用。技術指標 高質量薄膜生長。主要功能 沉積a-Si,SiNx, SiO2薄膜。
等離子體增強化學氣相沉積鍍膜機是一種用於化學領域的工藝試驗儀器,於2019年12月6日啟用。技術指標 使用襯底尺寸200mm*200mm;襯底溫度最高為350℃,溫度均勻性正負5℃;可用於沉積SiO2,SiNx薄膜;薄膜均勻性正負5%;可接入6路工藝氣體;傳送腔室最終壓力小於10Pa;反應腔室最終壓力小於2Pa。主要功能 主要用於製備...
20C) 350 nm/min (HF at 300?C) *。主要功能 等離子體化學氣相沉積是一種適合於前沿研究的薄膜製備技術也是一種用於納米技術研究的有效方法。典型的電漿化學氣相沉積套用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積各種薄膜。它可以對電路提供有效的保護和鈍化,在電子信息、納米科技、材料科學等多個領域有著廣泛的套用。
等離子體化學氣相澱積 電漿化學氣相澱積是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2009年3月1日啟用。技術指標 ICP=500,生長速率10nm/min。主要功能 生長SiN,SiO。
等離子體化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源:1200W和600W各一台 氣路系統:不低於6路 刻蝕均勻性:≦±5% 刻蝕樣品台帶水冷 自動...
全自動等離子體增強化學氣相沉積系統 全自動電漿增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2018年12月3日啟用。技術指標 PECVD-4000S。主要功能 全自動態分析。
感應耦合等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2019年2月25日啟用。技術指標 13.56 MHz 的功率源驅動、可在很低的電漿勢能下、產生高達5×1011 cm-3(氬電漿)的等離子密度; 其下電極可容納直徑最大8 寸的晶圓,碎片可由載片器裝載; 工藝溫度控制在20°C 到400°C 之間...
濺射等離子增強化學氣相沉積一體系統是一種用於物理學、化學、材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2015年11月30日啟用。技術指標 真空系統:分子泵機組; 澱積室規格:?400×150mm; 澱積室樣片台尺寸:?290mm(熱均勻區?220mm); 澱積材料:SiO2、Si3N4、非晶矽、碳化矽、類金剛石等; 澱積速率:200...
等離子體增強化學氣相沉積系統是一種用於化學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年1月30日啟用。技術指標 (1) 極限真空為3×10-4 Pa;在真空室下方設一個氣體截流閥,截流閥連續可調,控制反應室的工作氣壓。襯底可升降200mm,襯底旋轉,轉速為30~60轉/分;基片加熱為700±1℃; (2) 噴淋頭分為三層結構...
等離子增強化學氣相沉積系統 等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年12月13日啟用。技術指標 三室陣列式,室溫-350℃,常壓-10-4Pa。主要功能 沉積矽薄膜。
感應耦合式等離子體增強型化學氣相沉積系統 感應耦合式電漿增強型化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月20日啟用。技術指標 澱積SiO2,SiN,a-Si;厚度範圍10nm~1μm;均勻性10%。主要功能 低溫工藝,可在溫室下進行SiO2澱積。
當前的PCVD工藝採用大直徑合成石英管代替天然水晶熔制的石英管作為襯底管,同時改進了PCVD設備特性,提高了沉積速率和沉積長度。雖然目前PCVD仍採用套管法製作大預製棒,但預製棒的套管重達好幾公斤,這就導致PCVD套管工藝從RIT[藝(採用小尺寸套管的工藝)變為RIC工藝(採用大尺寸套管的工藝)。
均勻性:≤±3%; 預抽真空室和自動晶片裝卸門; 全自動控制。主要功能 採用等離子體增強化學氣相沉積技術,在光學玻璃、矽、石英以及不鏽鋼等不同襯底材料上沉積氮化矽、非晶矽和微晶矽等薄膜,用以製備非晶矽和微晶矽薄膜太陽電池器件。可廣泛套用於大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量製備。
射頻等離子增強化學氣相沉積系統 射頻等離子增強化學氣相沉積系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2008年12月1日啟用。技術指標 反應室口徑600mm,沉積溫度200℃,重複率小於正負2.5%,均勻性小於正負5%。主要功能 鍍Dlc薄膜。
甚高頻等離子體化學氣相沉積系統 甚高頻電漿化學氣相沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的分析儀器,於2013年12月12日啟用。技術指標 6英寸矽基薄膜電池全自動工藝集成系統; 3個PECVD腔室 1個Sputter腔室; 極限真空:10-5Pa。主要功能 a-Si、nc-Si、nc-SiGe、Ge量子點、AZO、ITO 薄膜。
多腔體等離子體增強化學氣相沉積 多腔體電漿增強化學氣相沉積是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年11月15日啟用。技術指標 襯底尺寸:6*6英寸,3個工藝腔體,不均勻性3.96%。主要功能 鍍膜。
等離子體增強沉積系統是一種用於數學領域的分析儀器,於2015年7月1日啟用。技術指標 300W,13.56MHz高頻源;500W,50kHz-460kHz 低頻源;反應腔室本底真空度小於1mTorr。SiO2沉積速率大於30nm/min; 4”wafer膜厚均一性小於±3%,重複性小於±2%;折射率均一性小於±0.001;應力小於50MPa(雙頻)。SiNx 沉積速率...
石英管卡盤、載台移動和卡盤旋轉的DC伺服控制馬達、載台速度好位置的高精度編碼定位控制系統、水冷不鏽鋼N2氣調節火焰形狀主燈、主燈火焰抽風罩、紅外高溫探測儀、SOOT自動去除系統、預製棒壓力控制系統、尾燈、校管工具、旋轉密封接頭、手燈;氣體控制系統,包括:4個鼓泡瓶單元SiCl4、GeCl4、POCl3、BCL3,設備內氣體...
化學氣相沉積設備 化學氣相沉積設備是一種用於統計學領域的分析儀器,於2007年1月1日啟用。技術指標 石墨托盤2“*6片。主要功能 化學氣相沉積設備。
微波等離子體化學氣相沉積是使反應氣體的分子離化的微波。微波電漿 CVD (Microwave PCVD, MPCVD)將微波發生器產生的微波用波導管經隔離器進入反應器,並通入 CH4與 H2的混合氣體,在微波的激勵下,在反應室內產生輝光放電,使反應氣體的分子離化,產生電漿,在襯底上沉積得到金剛石膜。
等離子物理氣相沉積設備 等離子物理氣相沉積設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年4月16日啟用。技術指標 120kw,直徑1.5m。主要功能 防護塗層製備。
等離子設備主要適用於各種材料的表面改性處理:表面清洗、表面活化、表面刻蝕、表面接枝、表面沉積、表面聚合以及電漿輔助化學氣相沉積:表面改性 紙張粘合,塑膠粘接、金屬錫焊、電鍍前的表面處理 表面活化 生物材料的表面修飾,印刷塗布或粘接前的表面處理,如紡織品的表面處理 表面刻蝕 矽的微細加工,玻璃等太陽能...