等離子化學氣相澱積設備是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2012年12月1日啟用。
基本介紹
- 中文名：等離子化學氣相澱積設備
- 產地：英國
- 學科領域：物理學、材料科學
- 啟用日期：2012年12月1日
- 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
可蒸發不同厚度的SiO2和SiNx薄膜，廣泛套用於物理，生物，化學，材料，電子等領域。 沉積薄膜種類：SiO2，SiNx，SiONx 基底溫度：小於400oC 薄膜均勻性：±3% （ 4英寸 ） 裝片：小於6英寸的任意規格的樣品若干。
主要功能
在保持一定壓力的原料氣體中，藉助射頻功率產生氣體放電，使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成電漿。在氣體放電電漿中，由於低速電子與氣體原子碰撞，產生正，負離子之外，還會產生大量的活性基，從而大大增強反應氣體的化學活性。這樣，在相對較低的溫度下，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。由於 PECVD 技術是通過反應氣體放電來製備薄膜的，有效地利用了非平衡電漿的反應特徵，從根本上改變了反應體系的能量供給方式。 PECVD的優點是：基本溫度低，沉速率快，成膜質量好，針孔較少，不易龜裂。
