等離子化學氣相澱積台是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2013年11月15日啟用。
基本介紹
- 中文名:等離子化學氣相澱積台
- 產地:英國
- 學科領域:信息與系統科學相關工程與技術
- 啟用日期:2013年11月15日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
等離子化學氣相澱積台是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2013年11月15日啟用。
等離子化學氣相澱積設備是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年12月1日啟用。技術指標 可蒸發不同厚度的SiO2和SiNx薄膜,廣泛套用於物理,生物,化學,材料,電子等領域。 沉積薄膜種類:SiO2,SiNx,SiONx 基底溫度:小於400oC 薄膜均勻性:±3% ( 4英寸 ) 裝片:小於6英寸的任意規格的樣品若干...
電漿化學氣相澱積 電漿化學氣相澱積是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2009年3月1日啟用。技術指標 ICP=500,生長速率10nm/min。主要功能 生長SiN,SiO。
PECVD100等離子增強化學氣相澱積系統是一種用於動力與電氣工程領域的工藝試驗儀器,於2011年12月2日啟用。技術指標 loadlock:極限真空<1x10-3 mbar;抽真空兩小時後測得的漏率為3x10-6 mbar/s; 工藝腔室:抽真空兩小時極限真空<6x10-6 mbar ;抽真空兩小時後測得的漏率為1x10-5 mbar/s; 溫控範圍80°C ...
濺射等離子增強化學氣相沉積一體系統是一種用於物理學、化學、材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2015年11月30日啟用。技術指標 真空系統:分子泵機組; 澱積室規格:?400×150mm; 澱積室樣片台尺寸:?290mm(熱均勻區?220mm); 澱積材料:SiO2、Si3N4、非晶矽、碳化矽、類金剛石等; 澱積速率:200...
常用的有常壓化學氣相澱積、低壓化學氣相澱積以及等離子體增強化學氣相澱積等。原理 CVD是利用氣態物質在固體表面進行化學反應,生成固態沉積物的工藝過程。它一般包括三個步驟:(1)產生揮發性物質;(2)將揮發性物質輸運到沉積區;(3)於基體上發生化學反應而生成固態產物。技術分類 反應器是CVD裝置最基本的部件。根據反應...
化學氣相沉積是一種化工技術,該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相澱積是近幾十年發展起來的製備無機材料的新技術。化學氣相澱積法已經廣泛用於提純物質、研製新晶體、澱積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、...
基於管式爐PECVD的化學氣相沉積薄膜製備虛擬仿真實驗是貴州師範學院建設的虛擬仿真實驗課程。課程性質 課程背景 薄膜製備工藝在超大規模積體電路技術中有著非常廣泛的套用,按照其成膜方法河分為兩大類:物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積( CVD)。等離子增強型化學氣相澱積( PECVD )是化學氣相澱積的一-種,其澱積溫度低是...
THz表面等離子波導以低損耗、高局域化之優點限制和傳導THz波而成為國際研究熱點之一。本項目提出利用碳納米管薄膜來實現THz表面等離子波波導並對其可調諧傳導特性進行深入研究。主要內容包括:利用化學氣相澱積法製備碳納米管薄膜,研究製備工藝對其導電性能的影響,並通過光照改變半導體性碳納米管的載流子濃度以分析薄膜的...
2.3 氣體擊穿——羅可夫斯基理論 2.3.1 空間電離對放電的影響 2.3.2 自持放電的穩定過程 2.4 巴邢定律 2.5 擊穿電壓的影響因素 ……第3章 輝光放電及其特點 第4章 大氣壓條件下的等離子體放電 第5章 低溫電漿中的基礎過程 第6章 濺射制膜 第7章 電漿化學氣相澱積(PCVD)第8章 ...
APCVD即常壓化學氣相澱積,是指在大氣壓下進行的一種化學氣相澱積的方法,這是化學氣相澱積最初所採用的方法。這種工藝所需的系統簡單,反應速度快,但是均勻性較差,台階覆蓋能力差,所以一般用於厚的介質澱積。除了常壓化學氣相澱積(APCVD)之外,還有低壓化學氣相澱積(LPCVD),等離子體增強型澱積(PECVD)。在晶片...
目的在於減反射+鈍化,PECVD即等離子體增強化學氣相澱積設備,Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition;製作減少矽片表面反射的SiN 薄膜(~80nm);SiN 薄膜中含有大量的氫離子,氫離子注入到矽片中,達到表面鈍化和體鈍化的目的,有效降低了載流子的複合,提高了電池的短路電流和開路電壓。矽烷與氨氣反應生成SiN 澱積在...
研究方向是電子功能薄模材料和電子器件,利用等離子體增強化學氣相澱積(PECVD),減壓化學氣相澱積(LPCVD)等新技術成功地研製出Sio2等技術製備十四種電子薄膜材料,並研製了九種薄膜氣體感測器,系統地研究了薄膜的組成、結構、生長規律及其薄膜的物理、化學、光及及電學特性,開發了薄膜的套用及相關器件的研製。發表學術...
等離子增強型化學氣相澱積(簡稱PECVD),用於太陽電池製造過程中在矽片表面澱積減反射氮化矽膜(SixNy),同時利用在澱積過程中產生的活性H+離子,對矽片進行鈍化處理。◆產品亮點 單管產能全球最高 業內獨有、領先的壓控/溫控技術,最成熟的工藝支持 國產設備中唯一可媲美世界一流設備的成膜均勻性和表面色差 設備...
金屬和III-V族半導體材料刻蝕的感應耦合等離子體(ICP)刻蝕設備;電子束金屬蒸發設備、離子束濺射鍍膜設備、磁控濺射設備、等離子增強化學氣相澱積系統(PECVD)、低壓增強化學氣相澱積系統(LPCVD);離子注入系統、氧化及合金設備、晶片鍵合設備;光波導器件自動對準耦合測試系統、分光光度計、台階儀、低溫微波探針台、...
《積體電路用低介電常數介質薄膜的製備與性能研究》是依託復旦大學,由王季陶擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 用等離子體化學氣相澱積在國際上首次製備了可用於超大規模積體電路的非晶矽碳氧氟低介電常數介質薄膜。該薄膜介電常數可低至2.35,擊穿場強可達MV/cmo用拉曼光譜,傅立葉紅外光譜,X射線光電子譜,俄歇能...
步驟S13、周邊等離子刻蝕,去除擴散過程中在矽片邊緣形成的將PN結短路的導電層;步驟S14、平板PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition,等離子增強型化學氣相澱積),即沉積減反射膜,主要採用氮化矽膜、氮氧化矽和/或氮化鈦膜,利用薄膜干涉原理,減少光的反射,起到鈍化作用,增大電池的短路電流和輸出功率,...
薄膜二極體矩陣的製造方式較MIM二極體複雜,一般需要經過三至五次光刻與多次澱積的流程,通常第一層金屬採用鉻(Cr),經過圖形化之後,採取等離子體輔助化學氣相澱積的方式形成非晶矽PIN結構,利用 、 與 的混合澱積硼摻雜區、本徵區與磷摻雜區,再濺射金屬鉻作為刻蝕PIN結構的硬式光刻掩膜(Hard Mask)。為了保護...
非晶矽材料是由氣相澱積形成的,目前已被普遍採用的方法是等離子增強型化學氣相淀(PECVD)法。此種製作工藝可以連續在多個真空澱積室完成,從而實現大批量生產。採用玻璃基板的非晶矽太陽能電池,其主要工序(PECVD)與TFT-LCD陣列生產相似,生產方式均具有自動化程度高、生產效率高的特點。(4)品種多,用途廣 晶矽...
輝光放電法:利用反應氣體在等離子體中發生分解而在襯底上澱積成薄膜,實際上是在電漿幫助下進行的化學氣相澱積。電漿是由高頻電源在真空系統中產生的。根據在真空室內施加電場的方式,可將輝光放電法分為直流電、高頻法、微波法及附加磁場的輝光放電。在輝光放電裝置中,非晶矽膜的生長過程就是矽烷在電漿中...
《矽-多形碳化矽同軸納米線雷射器研究》是依託南京大學,由王軍轉擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 對於全矽基光電子集成或矽晶片的光互連發展而言,實現高性能的矽基光源是最重要的期待。本項目主要研究同軸矽納米線結構的電注入光激射特徵及雷射器基礎。實驗上,通過時序控制的等離子增強化學氣相澱積方法在...
WL2040鋁絲壓焊機、OPTI CAOT 22i噴塗膠機系統、ZSH406全自動劃片機、DQ-500等離子去膠機、全自動清洗甩乾機、AXTRON MOCVD金屬有機物化學氣相沉積系統、4470微控四管擴散爐、4371LPCVD低壓化學沉積系統、OMICRON分子束外延系統、JS-3X100B磁控濺射台、PECVD-2E等離子澱積台、ZZSX500C電子束蒸發台、JC500-3/D...
WL2040鋁絲壓焊機、OPTI CAOT 22i噴塗膠機系統、ZSH406全自動劃片機、DQ-500等離子去膠機、全自動清洗甩乾機、AXTRON MOCVD金屬有機物化學氣相沉積系統、4470微控四管擴散爐、4371LPCVD低壓化學沉積系統、OMICRON分子束外延系統、JS-3X100B磁控濺射台、PECVD-2E等離子澱積台、ZZSX500C電子束蒸發台、JC500-3/D...
高純氣體、腐蝕氣體、Aixtron設備專用閥門-flowlink閥門 3、Annealsys 快速熱處理設備(RTP)快速熱處理化學氣相澱積(RTCVD) 設備 低壓化學氣相澱積(LPCVD)設備 金屬有機化學氣相澱積(MOCVD)設備 4、MPA Industrie 實驗室到工業級全套CVD鍍膜設備 5、centrotherm clean solutions 乾法尾氣處理設備、濕法尾氣處理設備、...
但是,目前缺少有效的氣相生長大面積單層石墨烯薄膜技術,通過化學氣相澱積(CVD) 生長的是多層石墨或是和石墨烯的混合薄膜。因此,尋求有效的技術手段抑制多層石墨的生長,是獲得大面積單層石墨烯薄膜的技術關鍵。本項目擬在原子層沉積系統內進行化學氣相反應合成石墨烯薄膜的實驗,利用其特有源物質的快速切換和清洗系統,...
在形成金屬化層以前,在第一鈍化層上再生長第二鈍化層,主要由磷矽玻璃、低溫澱積二氧化矽等構成,能吸收和阻擋鈉離子向矽襯底擴散。為使表面鈍化保護作用更好並使金屬化層不受機械擦傷,在金屬化層上面再生長第三層鈍化層。這第三層介質膜可以是磷矽玻璃、低溫澱積二氧化矽、化學氣相澱積氮化矽、三氧化二鋁或聚醯亞胺...
制膜的方法有很多,如蒸鍍、濺射等物理氣相澱積法(PVD)、化學氣相澱積法(CVD)以及外延和氧化等。其中CVD是微電子加工技術中最常用的薄膜製作技術之一,它是在受控氣相條件下,通過氣體在加熱基板上反應或分解使其生成物澱積到基板上形成薄膜。CVD技術可以分為常壓( APCVD)、低壓(LPCVD)、等離子體增強(PECVD)...
6.2.4 離子束濺射澱積 (324)6.2.5 離子束直接澱積 (326)6.2.6 離子鍍 (327)6.2.7 反應(離子束)濺射澱積 (328)6.2.8 剝離法 (329)6.3 化學氣相澱積 (330)6.3.1 概述 (330)6.3.2 化學氣相澱積的原理 (330)6.3.3 化學氣相澱積裝置 (332)6.4 等離子體、光和電子束增強...
12.2澱積速率 12.3台階覆蓋 12.4蒸發系統:坩堝加熱技術 12.5多組分薄膜 12.6濺射簡介 12.7濺射物理° 12.8澱積速率:濺射產額 12.9高密度等離子體濺射 12.10形貌和台階覆蓋 12.11濺射方法 12.12特殊材料濺射 12.13澱積膜內的應力 12.14小結 習題 參考文獻 第13章化學氣相澱積 13.1一種用於矽澱積的...
有機抗反射塗層通過吸收光來減小反射,與塗光刻膠的方式一樣被旋塗在矽片上。無機抗反射塗層通過等離子體增強化學氣相澱積形成。無機抗反射塗層不吸收光,而是通過特定波長相移相消起作用,是以折射率、膜層厚度和其它參數為基礎的。選擇抗反射塗層的一個因素是,在完成光刻工藝步驟之後抗反射塗層能夠被除去的能力。在...