高真空掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學領域的分析儀器,於2013年5月13日啟用。
基本介紹
- 中文名:高真空掃描電子顯微鏡
- 產地:捷克
- 學科領域:物理學、化學
- 啟用日期:2013年5月13日
- 所屬類別:分析儀器
高真空掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學領域的分析儀器,於2013年5月13日啟用。
高真空掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學領域的分析儀器,於2013年5月13日啟用。技術指標電子槍: 鎢燈絲二次電子解析度: 30KV下3.0nm; 3KV下8.0nm 背散射電子解析度:30KV下3.5nm 加速電壓...
掃描電子顯微鏡(SEM)是一種介於透射電子顯微鏡和光學顯微鏡之間的一種觀察手段。其利用聚焦的很窄的高能電子束來掃描樣品,通過光束與物質間的相互作用,來激發各種物理信息,對這些信息收集、放大、再成像以達到對物質微觀形貌表征的目的。新式的掃描電子顯微鏡的解析度可以達到1nm;放大倍數可以達到30萬倍及以上連續可調...
高真空分析型掃描電子顯微鏡 高真空分析型掃描電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、冶金工程技術、物理學領域的分析儀器,於2012年10月31日啟用。技術指標 電鏡解析度3.5nm;能譜解析度139ev。主要功能 二次電子像,背散射像,成分分析。
高低真空掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學、冶金工程技術領域的分析儀器,於2005年5月20日啟用。技術指標 高真空模式解析度:3.0nm;低真空模式解析度:4.0nm;放大倍數:×5_×300,000;探測器:二次電子探測器、高靈敏度半導體探測器;圖像種類:二次電子像、背散射電子像(成分像、拓撲像、立體像)。主要功能...
高低真空掃描分析電子顯微鏡 高低真空掃描分析電子顯微鏡是一種用於材料科學、化學領域的分析儀器,於2005年8月15日啟用。技術指標 高真空解析度:3.0nm in SEI、4.0nm in BEI;低真空解析度:4.0nm in BEI;放大倍數:x8-x300000;加速電壓:0.5~30kV;放大倍數誤差:8%。主要功能 納微觀測和分析。
掃描電子顯微鏡及電子能譜儀是一種用於材料科學、礦山工程技術、冶金工程技術領域的分析儀器,於2015年5月8日啟用。技術指標 掃描電鏡設備主要技術參數:1、解析度:二次電子(SE)像解析度在高真空時:30kV時優於3.0nm,3kV時優於10.0nm;背散射電子(BSE)像解析度(VPwithBSD),30kV時優於4.0nm。2、放大...
掃描式電子顯微鏡是一種用於材料科學、紡織科學技術領域的分析儀器,於2016年10月28日啟用。技術指標 放大倍數:5-300000倍;解析度:高真空:3nm(30KV)/8nm(3KV)/15nm(1KV) 低真空:4.0nm(30KV) ;電子槍:全自動,亦可手動調整;樣品台:大全對中型X=80mm,Y=40mm,Z=5到48mm,傾斜:-10 - +90度,...
高真空型掃描探針顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年11月21日啟用。技術指標 該系統由分子束外延(MBE)樣品製備室,表面分析室和低溫STM室三個超高真空(5.0′10-11 mbar)腔體組成 MBE樣品製備室:裝備有三個電子束蒸發源(EFM3),一個離子濺射槍和LN2冷卻罩 表面分析室:室溫下的STM,AFM(...
超高真空掃描探針顯微鏡是一種用於材料科學、物理學領域的分析儀器,於2011年12月15日啟用。技術指標 工作溫度為室溫,樣品粗定位範圍>6 mm×6 mm,單管掃描範圍>6 μm×6 μm×2 μm。STM模式下可實現Si(1 1 1)和Au(1 1 1)表面的原子分辨;AFM接觸模式下可實現雲母和Au(1 1 1)表面的原子分辨...
掃描發射電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2007年9月28日啟用。技術指標 解析度二次電子(SE)成像:高真空模式:30kV時 1.2 nm;1kV時 3.0nm 低真空模式:30kV時 1.5 nm;3kV時 3.0nm ESEM?環境真空模式: 30kV時 1.5 nm 背散射電子(BSE)成像:30kV時 2.5 nm 放大倍數高真空模式: 12x...
JEOL掃描式電子顯微鏡是一種用於機械工程領域的分析儀器,於2018年7月13日啟用。技術指標 高真空解析度 3.0nm in SEI (二次電子圖像)|JSM-IT300 解析度高真空模式 3.0 nm (30 kV) 8.0nm(3.0 kV) 15.0 nm(1.0 kV) 解析度低真空模式 4.0 nm (30 kV BED) 放大倍率5 ~ 300,000 倍。主要...
環境掃描電子顯微鏡,是指掃描電子顯微鏡的一個重要分支,環境掃描電子顯微鏡除了像普通掃描電鏡的樣品室和鏡筒內設為高真空,檢驗導電導熱或經導電處理的乾燥固體樣品以外,還可以作為低真空掃描電鏡直接檢測非導電導熱樣品,無需進行處理,但是低真空狀態下只能獲得背散射電子像。環境掃描電鏡樣品室內的氣壓可大於水在常溫...
掃描電子顯微鏡和能譜分析儀是一種用於化學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術、安全科學技術領域的分析儀器,於2016年11月7日啟用。技術指標 1. 二次電子解析度:3.0nm(加速電壓=30kV,WD=5mm高真空模式);7.0nm(加速電壓=3kV,WD=5mm高真空模式); 2. 放大倍率:5-10000; 3. 最大樣品尺寸:最大樣品...
掃描電子顯微鏡-2014重點實驗室是一種用於信息科學與系統科學領域的分析儀器,於2016年3月4日啟用。技術指標 解析度:高真空二次電子像<3.0nm(30kV); 低真空背散射電子像<4.0nm(30kV)。 。主要功能 本系統適用於測量交流或直流電機的如下參數: 1. 常規參數測量 (1) 轉矩係數 (2)電機常數 (3) ...
掃描型電子顯微鏡是一種用於生物學領域的分析儀器,於2017年7月14日啟用。技術指標 第四代 Phenom Pro 是一款使用高亮度 CeB6 燈絲的高解析度台式掃描電鏡。觀察納米或者亞微米樣品的微觀結構,放大倍數要求可達130,000 倍。基於新一代高亮度 CeB6 燈絲和全新的聚焦系統,Phenom Pro的解析度輕鬆達到 14 nm,同時...
掃描式透射電子顯微鏡(scanning transmission electron microscope)使用高亮度的冷電子光源,匯聚成極細的電子探針後對樣品進行掃描,然後收集穿過樣品的電子,同時在樣品正方裝有電子能量分析器。這種電鏡既能觀察較厚、不染色的生物樣品,又可分析樣品各部分的元素組成。這種電鏡所需的真空度極高,電子技術相當複雜。
而燈絲更換需專業人士上門服務,收費較高,而且場發射掃描電子顯微鏡燈絲的價格也較高,冷場約2000美元,熱場約8000美元。所以在日常使用過程中,需正確使用並注意燈絲的維護。檢查真空系統 電鏡中的真空系統一般由真空泵、管道、真空閥門和真空測量裝置組成。高真空度可減少電子與氣體分子的碰撞,增加燈絲壽命,所以必須...
電子顯微鏡SEM是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2010年6月15日啟用。技術指標 1 解析度 :高真空:二次電子 3.0nm(30kV),8.0nm(3kV) 背散射電子 3.5nm(30kV) 低真空:背散射電子 3.5nm(30kV)2放大倍數: 6x~1,000,000x3加速電壓:0.2~30kV,連續調整4 低真空範圍: 3~500帕5電子槍: 預...
掃描式電子顯微鏡-X射線能譜儀是一種用於物理學、化學、材料科學領域的分析儀器,於2010年3月17日啟用。技術指標 硬體:倍率:15~100000,觀察範圍:9(H)×7(V)mm~1.3(H)×1(V)mm,解析度:8nm,觀察兩次電子圖像和反射電子圖像,觀察模式:高真空、低真空(3-260Pa),顯示解析度:觀察640×480,攝影...
環境掃描式電子顯微鏡是一種用於物理學、地球科學、材料科學領域的分析儀器,於2003年01月15日啟用。技術指標 解析度:3.5nm(30kv,高真空模式);放大倍率:5~200000倍 加速電壓:30KV 樣品最大尺寸:X=50mm,Y=50mm,Z=50mm 能量解析度:130ev;空間解析度:1μm3 ;元素分析範圍:Z5~Z 92。主要功能 ...
掃描電子顯微鏡+粒子濺射儀 掃描電子顯微鏡+粒子濺射儀是一種用於物理學、材料科學學科領域的電子光學儀器,於2015年11月25日啟用。技術指標 二次電子解析度:3.0nm(高真空,30kV) 背散射電子解析度:4.0nm(低真空,30kV) EDS能量解析度:125 eV(Mn K)。主要功能 表面形貌及元素定性及定量分析。
可變真空掃描電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器,於2011年4月20日啟用。技術指標 1、解析度:二次電子探測器3.0nm(30kV),15.0nm(1kV),背散射電子探測器4.0nm(30kV)2、放大倍數5~300000倍,自動修正放大;3、真空度:高真空≤10-4Pa;4、能譜分析:SDD探測器,在60000CPS條件下解析度...
超高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2007年07月21日啟用。技術指標 1. 解析度 高真空模式 1.0nm @ 15kv;1.8nm @ 1kv;0.8nm @ 30kv(stem探測器);低真空模式 1.5nm @ 10kv(helix探測器);1.8nm @ 3kv(helix探測器);2. 加速電壓 200v - 30kv,連續可調;...
超高真空低溫掃描探針顯微鏡系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2016年12月28日啟用。技術指標 1、系統掃描範圍:5微米 *5微米(室溫)、2微米 * 2微米(77 K)、1微米*1微米(4 K); 2、STM成像空間解析度:<1 ?(橫向)、<0.1 ?( 縱向); 3、系統噪聲水平:電子學噪聲<500fA,機械噪聲<5pm...
鎢絲燈掃描式電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年5月20日啟用。技術指標 高真空(SE): 3 nm @ 30 kV / 2 nm @ 30 kV 8 nm @ 3 kV / 5 nm @ 3 kV 低真空模式(LVSTD,BSE): 3.5 nm @ 30 kV / 2.5 nm @ 30 kV。主要功能 適用於對於觀察晶片、高分子材料、粉末樣品...
探測器用來收集電子的信號或次級信號。真空裝置用以保障顯微鏡內的真空狀態,這樣電子在其路徑上不會被吸收或偏向,由機械真空泵、擴散泵和真空閥門等構成,並通過抽氣管道與鏡筒相聯接。電源櫃由高壓發生器、勵磁電流穩流器和各種調節控制單元組成。種類 電子顯微鏡按結構和用途可分為透射式電子顯微鏡、掃描式電子顯微鏡...
計算機控制掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、化學工程領域的分析儀器,於2014年10月31日啟用。技術指標 二次電子解析度不差於3.0nm @30kV、8.0nm @3kV和 15nm (1kV)背散射電子分0.3-30kV;放大倍數範圍:5X-300,000X。樣品室內最高真空度:優於3x10-4Pa,低真空壓力範圍:10Pa到270Pa。圖像掃描:...
超高真空低溫掃描探針顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2017年4月28日啟用。技術指標 真空:1×10-10 mbar。最低工作溫度:5 K。溫度穩定性:10 mK。可變溫度範圍:5K-300K。液氦消耗量:小於0.1L/小時 (5K)。掃描範圍:1 μm ×1 μm×0.1 μm (5K)。熱漂移:0.2 nm/小時。振動噪音:2 pm...
高溫高壓原位掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2019年11月6日啟用。技術指標 解析度: 高真空模式優於1.5nm(30kV),4nm(1kV) 低真空模式優於1.8nm(15kV)。主要功能 該儀器包含場發射掃描電鏡主機,以及離子濺射儀和電製冷能譜儀等附屬檔案。主要觀察各種材料的微觀形貌和通過能譜分析成分。
將乾燥的樣品用導電性好的粘合劑或其他粘合劑粘在金屬樣品台上,然後放在真空蒸發器中噴鍍一層50~300埃厚的金屬膜,以提高樣品的導電性和二次電子產額,改善圖象質量,並且防止樣品受熱和輻射損傷。如果採用離子濺射鍍膜機噴鍍金屬,可獲得均勻的細顆粒薄金屬鍍層,提高掃描電子圖象的質量。冷凍法製備樣品 低溫掃描電子...