場發射電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年12月24日啟用。
基本介紹
- 中文名:場發射電子顯微鏡系統
- 產地:日本
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2015年12月24日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 透射電鏡
場發射電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年12月24日啟用。
場發射電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2015年12月24日啟用。技術指標200KV場發射透射電子顯微鏡,配備聚光鏡球差校正系統,能譜分析,STEM功能等。1主要功能解析度達原子水平的形貌分析;結合ED...
場發射掃描電子顯微鏡的日常維護中,操作人員應定期檢查儀器設備的環境條件、光學系統、真空系統及附屬檔案設施,確保儀器在最佳工作狀態下使用。試樣的前處理好壞對場發射掃描電子顯微鏡的維護保養也有一定的影響,要保持試樣清潔、乾燥和具有良好...
場發射環境掃描電子顯微鏡系統是一種用於化學、基礎醫學、材料科學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2007年12月28日啟用。技術指標 解析度高真空30KV優於2.0nm/低真空時30KV優於3.5nm;環境真空:30KV優於2.0nm;對樣品...
場發射透射電子顯微鏡系統是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的分析儀器,於2007年5月4日啟用。技術指標 TEM形貌像,HRTEM晶格像;選區電子衍射花樣SED,STEM(HAADF)掃描透射像,微區成分分析(點、線、面) 點...
場發射掃描電子顯微鏡分析系統成分探測系統是一種用於化學領域的科學儀器,於2017年9月26日啟用。技術指標 解析度:二次電子(SE)像,高真空模式:15kV時≤1.0 nm;1kV時≤1.4 nm。主要功能 用於材料表面微觀形貌觀察。
雙束場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器,於2011年12月27日啟用。技術指標 1、場發射槍 2、FIB最大束流20nA,SEM解析度1.1nm@20kv,FIB解析度2.5nm@30kv 3、具有Pt氣體沉積系統。主要功能...
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子解析度≤0.6nm(15kV);二次電子解析度≤0.9nm(1kV)。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、...
300kV場發射冷凍透射電子顯微鏡是一種用於藥學領域的分析儀器,於2018年4月30日啟用。技術指標 新一代300kV場發射冷凍透射電鏡,加速電壓 80-300 kV,配有場發射電子槍(X-FEG)及三級聚光鏡系統 Autoloader自動進樣系統可一次性裝載儲...
場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2005年8月6日啟用。技術指標 性能指標:點解析度0.19 nm,線解析度0.14 nm,EELS能量譜解析度0.7 eV,EDS能量解析度136 eV。主要功能 固體材料結構和成分分析。
倍率) 400-2,000,000×(顯示倍率) 300-2,000,000×(顯示倍率) 電子槍:冷場發射源 加速電壓:0.5 kV - 30 kV(標準模式) 著陸電壓:0.1 kV to 2.0 kV(減速模式) 物鏡光闌:物鏡光闌(加熱型), 4孔可選,在真空系統外...
SmartCam)代替傳統螢光屏使得用戶可以利用其嶄新的數位化操作界面實現遠程操作。電子光學系統和樣品台的高穩定性以及數位化的系統控制軟體可滿足高水平的自動化操作。該設備非常適合開展單顆粒分析、電子斷層成像和電子晶體學等方面的研究。
FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年4月24日啟用。技術指標 二次電子解析度 15KV時優於0.8nm,1KV時優於0.9nm;STEM模式,BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器,超高解析度熱場發射...
高分辨場發射透射電子顯微鏡是一種用於化學、材料科學、生物學領域的分析儀器,於2012年11月2日啟用。技術指標 場發射電子槍,加速電壓:20-200kV連續調節,放大倍數:25-1,000,000,點解析度:0.24nm;線解析度:0.102nm,信息...
200kv場發射透射電子顯微鏡是一種用於生物學領域的分析儀器,於2019年1月19日啟用。技術指標 儀器配置:X-FEG場發射型電子槍 加速電壓:200 kV,160 kV, 80 kV 點解析度0.23 nm,信息極限可達0.14 nm;二級聚光鏡照明系統;高襯...
場發射超高分辨透射電子顯微鏡是一種用於生物學、化學、物理學、農學領域的分析儀器,於2017年6月21日啟用。技術指標 加速電壓200 kV;TEM晶格解析度~0.1 nm;STEM解析度~0.16 nm;SEI解析度~0.5 nm;放大倍率:TEM:500x~2Mx;...
場發射透射式電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、藥學、材料科學領域的分析儀器,於2005年3月11日啟用。技術指標 Schottky場發射槍;加速電壓範圍:50kV-200kV;TEM放大倍數:25x-1000,000x;點解析度:0.24nm;線解析度:0.10nm;...
場發射掃描電子顯微鏡JSM-7600F是一種用於化學領域的分析儀器,於2012年1月12日啟用。技術指標 磁懸浮分子泵系統、五軸馬達驅動全對中樣品台、全自動樣品更換氣鎖和樣品監控系統解析度:1.0nmat15kV;1.5nmat1kV放大倍數:25-100萬倍...
場發射掃描式電子顯微鏡 場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2009年6月1日啟用。技術指標 加速電壓:200V~30KV。主要功能 固體物質表面形貌與成分分析。
熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月20日啟用。技術指標 1.具有高分辨能力的半浸沒式物鏡(Semi-in-lens) 半浸沒式物鏡能將電子束收縮的很細,即使在低加速電壓下也能實現高分辨。 2.採用GENTLE...
ZEISS熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、能源科學技術領域的分析儀器,於2016年1月1日啟用。技術指標 放大倍率:範圍:12×~1000,000×;工作距離:範圍可由1mm至50mm。主要功能 觀察材料表面微觀形貌。
5mm,減模.5nm1KV.WD=1.5mm)放大倍數:低放大倍數模式20-2,000x高放大倍數模式 100-800,000x電子光學:電子槍ZrO/W基電子槍電流1pA-100nA加速電壓0.5-30KV(標準模式)著陸電壓0.1-2.0KV(減速模式)透鏡系統3級電磁線圈系統物鏡...
300KV場發射透射電子顯微鏡 300KV場發射透射電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2016年3月9日啟用。技術指標 TEM點解析度 80 pm STEM解析度 70 pm。主要功能 納米材料形貌、結構以及成分分析。
熱場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年12月3日啟用。技術指標 電壓1KV-30KV,樣品高度不能超過3.5cm,長寬不超過5cm.。主要功能 由於掃描電子顯微鏡可用多種物理信號對樣品進行綜合分析,並具有可以...
冷場場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.0nm @ 15kV,能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B(5)-- U(92)。主要功能 本儀器具有高的解析度,...
超高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2010年10月01日啟用。技術指標 加速電壓:1-15KV,放大倍數:120000-220000倍,二次電子解析度:1.4nm(1kV,減速模式),1.0nm(15kV);。主要功能 金...
高解析度場發射掃描電子顯微鏡 高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2010年6月15日啟用。技術指標 解析度優於10nm。主要功能 分析材料的表面形貌。
高分辨場發射掃描式電子顯微鏡 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器,於2012年5月2日啟用。技術指標 放大倍率:14~1000000倍。主要功能 高分辨場發射掃描式電子顯微鏡。
冷場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2011年5月1日啟用。技術指標 解析度:1.0nm (15KV), 1.4 nm (1KV) 放大倍數:25-100萬倍加速電壓:0.1KV-30KV 束流強度:10-13-2x10-9。主要附屬檔案:牛津儀器INCA ...
冷凍場發射透射電子顯微鏡是一種用於基礎醫學、預防醫學與公共衛生學領域的電子測量儀器,於2016年6月3日啟用。技術指標 指標:1、冷凍透射電子顯微鏡: 點解析度:≤ 0.30nm。高襯度極靴類型,適合生物樣品觀察。 加速電壓:60kV - ...