發射掃描(emission scan)是2018年公布的核醫學名詞。
基本介紹
- 中文名:發射掃描
- 外文名:emission scan
- 所屬學科:核醫學
- 公布時間:2018年
- 屬性:核醫學名詞
發射掃描(emission scan)是2018年公布的核醫學名詞。
發射掃描(emission scan)是2018年公布的核醫學名詞。定義探測體內放射性核素髮射的γ射線,從而獲得示蹤劑在體內分布的採集方法。出處《核醫學名詞》第一版。1...
場發射掃描電子顯微鏡,廣泛用於生物學、醫學、金屬材料、高分子材料、化工原料、地質礦物、商品檢驗、產品生產質量控制、寶石鑑定、考古和文物鑑定及公安刑偵物證分析。可以觀察和檢測非均相有機材料、無機材料及在上述微米、納米級樣品的表面特徵。該儀器的最大特點是具備超高分辨掃描圖像觀察能力,尤其是採用最新數位化...
超高發射掃描顯微鏡是一種用於數學領域的分析儀器,於2016年9月1日啟用。技術指標 辨率:1.0nm (15 kV); 1.4nm(1 kV, WD = 1.5mm, 減速模式);2.0nm(1 kV, WD = 1.5mm, 普通模式) 放大倍數:30倍-800,000倍 ; 電子槍:冷陰極場發射電子源 ; 加速電壓:0.5-30kV(0.1KV/步,可變,普通...
肖特基場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.2nm @ 15kV,1.5nm @ 10kV; 能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B(5)-- U(92) 陰極螢光: 300 nm — 900 nm。主要功能 本儀器具有電子槍亮度高、束流穩定,圖像解析度高...
顯微鏡高分辨發射掃描 顯微鏡高分辨發射掃描是一種用於生物學領域的分析儀器,於2010年3月1日啟用。技術指標 解析度:15kV /1.0nm, 5kV/ 1.5nm;最大放大倍數80萬倍。主要功能 材料表面形貌、斷口形貌觀察;失效分析。
掃描電子顯微鏡(SEM)是一種介於透射電子顯微鏡和光學顯微鏡之間的一種觀察手段。其利用聚焦的很窄的高能電子束來掃描樣品,通過光束與物質間的相互作用,來激發各種物理信息,對這些信息收集、放大、再成像以達到對物質微觀形貌表征的目的。新式的掃描電子顯微鏡的解析度可以達到1nm;放大倍數可以達到30萬倍及以上連續可調...
台式場發射掃描電鏡是一種用於力學、材料科學領域的分析儀器,於2015年12月17日啟用。技術指標 電子束工作電壓:500—2000V;電子束電流:0.2—1nA;解析度:電子束工作電壓1Kv時<10nm;放大倍數:250—65,000X;掃描範圍:1x1mm(max);樣品大小100x60mm(max)。主要功能 一種微觀性貌觀察手段,可直接利用...
日立超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、農學領域的分析儀器,於2015年12月1日啟用。技術指標 超高解析度成像。主要功能 ⑴生物:種子、花粉、細菌…… ⑵醫學:血球、病毒…… ⑶動物:大腸、絨毛、細胞、纖維…… ⑷材料[1] :陶瓷、高分子、粉末、金屬、金屬夾雜物、環氧樹脂…… ⑸...
超高分辨熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2007年07月21日啟用。技術指標 1. 解析度 高真空模式 1.0nm @ 15kv;1.8nm @ 1kv;0.8nm @ 30kv(stem探測器);低真空模式 1.5nm @ 10kv(helix探測器);1.8nm @ 3kv(helix探測器);2. 加速電壓 200v - 30kv,連續可調;...
熱場發射掃描電鏡系統 熱場發射掃描電鏡系統是一種用於地球科學領域的分析儀器,於2017年11月28日啟用。技術指標 熱場發射掃描電鏡二次電子像解析度:0.8nm@15KV、1.6nm@1KV,Schottky型場發射電子源,掃描透射像探測器,帶能譜儀、EBSD、冷台、臨界點乾燥儀、離子濺射儀。主要功能 微觀形貌表征、微區元素分析。
場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年9月13日啟用。技術指標 二次電子解析度 1.0nm (加速電壓15kV、WD=4mm) 1.3nm (加速電壓1kV、WD=1.5mm) 加速電壓 0.1~30kV 觀測倍率 20~8000,000(底片輸出) 60~2,000,000(顯示器輸出) 樣品台 馬達驅動 5軸 REGULUS樣品台 ...
熱場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月20日啟用。技術指標 1.具有高分辨能力的半浸沒式物鏡(Semi-in-lens) 半浸沒式物鏡能將電子束收縮的很細,即使在低加速電壓下也能實現高分辨。 2.採用GENTLEBEAM?模式,低加速電壓下的最表面觀察 GENTLEBEAM?模式(GB mode)是通過給樣品...
冷場場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的分析儀器,於2017年3月22日啟用。技術指標 解析度 1.0nm @ 15kV,能譜解析度133eV(Mn Ka),分析元素B(5)-- U(92)。主要功能 本儀器具有高的解析度,放大倍率幾十倍到幾十萬倍連續可調,可觀察物體二次電子 像、背散射電子像,同時...
雙束場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於生物學、材料科學、化學工程領域的分析儀器,於2011年12月27日啟用。技術指標 1、場發射槍 2、FIB最大束流20nA,SEM解析度1.1nm@20kv,FIB解析度2.5nm@30kv 3、具有Pt氣體沉積系統。主要功能 FIB/SEM雙束系統是樣品成像、改性、加工和實效分析的有效工具,可提供三維高...
熱場發射掃描電鏡是一種用於物理學、材料科學、能源科學技術領域的分析儀器,於2012年10月22日啟用。技術指標 1.放大倍數:35—90萬倍;2.解析度:工作電壓15kV時解析度為1.0nm3.加速電壓:0.2Kv—30Kv;4.能譜:探測元素範圍B5-U92,能量解析度:136eV。主要功能 物理學,材料科學,能源科學技術。
高分辨場發射掃描電子顯微分析系統是一種用於物理學、化學領域的分析儀器,於2015年9月24日啟用。技術指標 解析度: 二次電子(SE)像,高真空模式:15 kV時1.0 nm,1 k V時優於1.4 nm(非減速模式),低真空模式:30 kV時1.8nm;放大倍率:範圍35 ~ 1,000,000倍;著陸電壓:50V ~ 30 kV;電子槍:...
高分辨發射掃描式電鏡 高分辨發射掃描式電鏡是一種用於生物學領域的分析儀器,於2017年5月23日啟用。技術指標 1、低加速電壓,高解析度;2、最大放大倍率80萬倍;3、雙探頭,圖像立體感強。主要功能 樣品形貌分析,微區成分分析。
單光子發射斷層掃描術是醫學術語,是核醫學的CT技術,主要獲取投影數據和重建斷層圖像。概念 核醫學成像是以放射性核素的示蹤作用為基本原理的醫學成像技術,使用CT技術的核醫學成像稱之為ECT。根據使用的核素類型把ECT分為兩類:①單光子發射計算機斷層成像(SPECT);②正電子發射計算機斷層成像(PECT)定義 單光子發射...
蔡司場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術領域的分析儀器,於2015年8月14日啟用。技術指標 掃描速度:標配提供17種非隔行電子束掃描速度,從25ns像素駐留時間到1.64ms像素駐留時間。樣品倉尺寸: 120mm Ø x 120mm high(4.75 x 4.75) 。樣品座:12 SEM ½ 樣品座,可調節高度最大高度60mm。主要...
日立場發射掃描電鏡是一種用於化學、生物學領域的分析儀器,於2012年7月19日啟用。技術指標 理論放大值為八十萬倍。主要功能 採用了新型 ExB 式探測器和電子束減速功能, 提高了圖象質量(15 kV 下解析度 1 nm) , 尤其是將低加速電壓下的圖象質量提高到了新的水平(1 kV 下 1. 4 nm) ; 新型的透鏡系統, ...
熱發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學、化學、物理學領域的分析儀器,於2018年3月2日啟用。技術指標 解析度:SE解析度達到或優於2 nm @ 30 kV;BSE解析度達到或優於4 nm @ 30 kV; 低真空SE解析度達到或優於4 nm @ 30 kV;低真空BSE解析度達到或優於4 nm @ 30 kV。探測器:SE, BSE, LVSE;圖像觀察...
超高分辨場發射掃描電子顯微鏡是一種用於能源科學技術、航空、航天科學技術、考古學領域的分析儀器,於2014年9月1日啟用。技術指標 次電子圖像分率:1.0 nm(加速電壓 15 kV, WD=4 mm) 1.3 nm(著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm) 放大倍率:低倍率模式20-2,000×(照像倍率)80-5,000×(顯示倍率) 高倍率模式 ...
超高分辨冷場發射掃描電鏡是一種用於化學、生物學、環境科學技術及資源科學技術領域的分析儀器,於2019年10月11日啟用。技術指標 1、二次電子解析度:≥1.0nm (加速電壓15kV)、≥2.0nm (加速電壓1kV)、≥1.3nm (照射電壓1kV,使用減速裝置)。 2、加速電壓:0.1-30 kV,放大倍數:20-80萬倍(底片模式)、60...
FEI場發射掃描電子顯微鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年4月24日啟用。技術指標 二次電子解析度 15KV時優於0.8nm,1KV時優於0.9nm;STEM模式,BF像 30KV時優於0.6nm。主要功能 帶能量單色過濾器,超高解析度熱場發射掃描電鏡,低加速電壓下具有較高的解析度,能夠直接觀察不導電材料的顯微結構,熱場...
冷凍場發射掃描電子顯微鏡技術指標 編輯 播報 1.解析度: ≤0.6 nm@15 keV (二次電子),≤1.1 nm@1 keV,≤1.2 nm@500 eV(二次電子,無需減速模式); 2.放大倍率:20-2,000,000倍, 根據加速電壓和工作距離的改變,放大倍數自動校準,低倍率與高倍率無需任何模式更換; 3.電子槍:肖特基熱場發射電 子槍; 4....
超高分辨場發射掃描電鏡 超高分辨場發射掃描電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2019年12月12日啟用。技術指標 放大範圍:12X-2000000X,連續可調,加速電壓範圍:20V-30KV,0.7nm@15KV,1.2nm@1KV。主要功能 超高分辨成像。
高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統 高分辨場發射掃描電子顯微鏡系統是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2018年12月21日啟用。技術指標 二次電子解析度≤0.6nm(15kV);二次電子解析度≤0.9nm(1kV)。主要功能 圖像解析度高放大倍率大、對樣品沒有損傷、試樣製備簡單、景深大。
超高解析度場發射掃描電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2010年10月01日啟用。技術指標 加速電壓:1-15KV,放大倍數:120000-220000倍,二次電子解析度:1.4nm(1kV,減速模式),1.0nm(15kV);。主要功能 金屬、非金屬及複合材料、生物樣品表面形貌、組織結構的觀察分析及照相。納米材料:...
正電子發射計算機斷層掃描全稱為:正電子發射型計算機斷層顯像(Positron Emission Computed Tomography,簡稱PET),是核醫學領域比較先進的臨床檢查影像技術。正常範圍PET特別適用於在沒有形態學改變之前,早期診斷疾病,發現亞臨床病變以及評價治療效果。PET在腫瘤、冠心病和腦部疾病這三大類疾病的診療中尤其顯示出重要的價值...
即正電子發射型計算機斷層掃描。顧名思義它是用發射正電子的核素藥物進行檢查。常見的核素如:18F、11C、13N、15O等。PET主要用於病灶組織的葡萄糖代謝、蛋白質代主向和氧代謝的研究,在腫瘤學領域套用最為廣泛。套用最多的是腫瘤的早期診斷和治療後殘留腫塊的鑑別。腦腫瘤和鼻咽癌放療或淋巴瘤化療後殘存腫塊及肺部...