濺射對於遠程有彈道英雄就像分裂斬對於近戰英雄,它和分裂斬有相似也有不同的地方。最大的不同在於AoE在彈道擊到的目標處決定,而不是分裂斬由攻擊者站立的地方確定。版本有一個英雄、一種召喚單位和一種野怪有這種攻擊類型。他們是:龍騎士(2、3級變身為龍後)、暗影薩滿的蛇帳和黑龍。
基本介紹
- 中文名:濺射
- 外文名:sputtering; spurting; disintegration; spotter
- 拼音:jiàn shè
- 釋義:成飛散的點滴地噴或射出
濺射對於遠程有彈道英雄就像分裂斬對於近戰英雄,它和分裂斬有相似也有不同的地方。最大的不同在於AoE在彈道擊到的目標處決定,而不是分裂斬由攻擊者站立的地方確定。版本有一個英雄、一種召喚單位和一種野怪有這種攻擊類型。他們是:龍騎士(2、3級變身為龍後)、暗影薩滿的蛇帳和黑龍。
濺射工藝是以一定能量的粒子(離子或中性原子、分子)轟擊固體表面,使固體近表面的原子或分子獲得足夠大的能量而最終逸出固體表面的工藝。濺射只能在一定的真空狀態下進行。原理 濺射工藝圖如圖1所示,濺射鍍膜最初出現的是簡單的直流二極...
濺射的AoE是一個圓心位於彈道擊中被攻擊目標位置的圓。DotA中所有的濺射傷害都根據距離圓心的大小,分有3個等級,從中心到邊緣遞減,也就是說範圍是三個同心圓。下面是配上圖片說明DotA里具體的數據和範圍:黑龍 100% 傷害 50 AoE.50...
磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種。一般的濺射法可被用於製備金屬、半導體、絕緣體等多材料,且具有設備簡單、易於控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。上世紀 70 年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、...
濺射方法是一種利用濺射原理及技術處理加工材料表面的現代技術方法。濺射,也稱陰極濺射,其基本原理是:在直流或射頻高壓電場的作用下利用形成的離子流轟擊陰極靶材料表面,使離子的動能和動量轉移給固體表面的原子,因化學鍵斷裂而飛出(或...
射頻濺射是利用射頻放電電漿中的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面的技術。射頻濺射: 用交流電源代替直流電源就構成了交流濺射系統, 由於常用的交流電源的頻率在射頻段( 5~30MHz ) 所以這種濺射方法稱為射頻...
直流濺射是指利用直流輝光放電產生的離子轟擊靶材進行濺射鍍膜的技術。直流濺射裝置主要由真空室、真空系統和直流濺射電源構成。簡介 直流濺射是指利用直流輝光放電產生的離子轟擊靶材進行濺射鍍膜的技術。結構組成 直流濺射裝置主要由真空室、...
磁控濺射(magnetron-sputtering)是70年代迅速發展起來的一種“高速低溫濺射技術”。磁控濺射是在陰極靶的表面上方形成一個正交電磁場。當濺射產生的二次電子在陰極位降區內被加速為高能電子後,並不直接飛向陽極,而是在正交電磁場作用下作...
等離子濺射(plasma sputtering)物質除固態、液態和氣態之外,還有第四態,即等離子態。在外界高能作用下,分子或原子被離解成陽離子及同等數量的陰離子或電子,這一總體稱為電漿。利用電漿進行濺射的工藝稱為等離子濺射。等離子...
熱陰極直流濺射(三極型濺射)是藉助於熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電,氣體放電所產生的離子,由在陽極和陰極(靶)之間所施加的電壓加速而轟擊靶的濺射。熱陰極直流濺射(三極型濺射)hotcathodedirectcurrentsputtering:藉助於熱陰極和...
濺射靶材的要求較傳統材料行業高,一般要求如,尺寸、平整度、純度、各項雜質含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制;較高要求或特殊要求包含:表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物(氧化物)含量與尺寸、...
《濺射系統》是亞威科股份有限公司於2020年9月27日申請的專利,該專利公布號為CN112921281A,專利公布日為2021年6月8日,發明人是朴瑨哲、李昱鎮、金泰佑。 Int. Cl.C23C14/34(2006.01)I; C23C14/24(2006.01)I; C23C14...
等離子[體]濺射 等離子[體]濺射是1993年全國科學技術名詞審定委員會公布的電子學名詞。發布時間 1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》
直流三極濺射 直流三極濺射,採用直流電源,在二極濺射的基礎上,增加一個發射熱電子的熱陰極,形成直流三極的濺射鍍膜方法。若再另設一電子收集極,則為四極濺射鍍膜。
濺射清洗 濺射清洗是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 利用離子轟擊濺射作用,對材料表面進行清潔處理的過程。出處 《材料科學技術名詞》。
熱陰極高頻濺射(hot cathode high- frequency sputtering)是2013年公布的機械工程名詞。定義 藉助於熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電,氣體放電產生的離子在靶表面負電位的作用下加速而轟擊靶的濺射。出處 《機械工程名詞 第五分冊》第一版...
濺射材料 濺射材料是2013年公布的機械工程名詞。 定義 在真空濺射中用來濺射的鍍膜材料。 出處 《機械工程名詞》。
濺射速率 濺射速率(splashing type pressure transducer)是2005年公布的航天科學技術名詞。出處 《航天科學技術名詞》。公布時間 2005年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
濺射沉積 濺射沉積指用高能粒子轟擊靶材,使靶材中的原子濺射出來,沉積在基底表面形成薄膜的方法。
濺射刻蝕 濺射刻蝕(sputtering etching)是2005年公布的航天科學技術名詞。出處 《航天科學技術名詞》。公布時間 2005年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
真空濺射 真空濺射是2013年公布的機械工程名詞。 定義 在真空環境中,惰性氣體離子從靶表面上轟擊出原子(分子)或原子團在基片上成膜的過程。 出處 《機械工程名詞》。
用磁控濺射法對氧化鐵、坡莫合金等磁性記憶材料不能獲得高速濺射鍍膜速率。因此針對該類材料發明了對置濺射法。該法可以在低的基材溫度下以高的沉積速率對強磁性材料鍍膜。同尺寸的兩個靶相向放置,使一個磁場重直於靶的表面,從靶放出...
射頻濺射法,利用核能粒子轟擊靶材,使靶材原子或分子被濺射出來並沉積到襯底表面的工藝。技術優點是:(1) 具有很高的鍍膜速度;(2) 適用於多種塗覆材料,包括各種合金及化合物;(3) 適用於不同的集材,如塑膠、瓷和金屬;(4)...
離子濺射 離子濺射,一種物理氣相沉積的方法。在真空室內通入(0.1~1.0)×106帕的惰性氣體(如氬),使之在高壓下輝光放電,氣體離子在強電場作用下轟擊膜料製成的陰極靶,使表面的原子被濺射出來,沉積在基體上成膜。
偏壓濺射 偏壓濺射是2013年公布的機械工程名詞。 定義 在濺射過程中,將負偏壓施加於基片以及膜層的濺射。 出處 《機械工程名詞》。
孿生靶磁控濺射是指將雙向交變電壓施加於磁控濺射兩個相鄰的靶上的磁控濺射。中文名稱 孿生靶磁控濺射 定 義 將雙向交變電壓施加於磁控濺射兩個相鄰的靶上的磁控濺射。套用學科 材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級學科)...
鈦酸鉛鋯濺射靶是化學物質。基本信息 中文名稱:鈦酸鉛鋯濺射靶 英文名稱:Lead zirconate titanate wafer 英文別名:plumbous; oxygen(-2) anion; titanium(+4) cation; zirconium(+4) cation CAS:12626-81-2 EINECS:235-727-4 分子...
離子濺射法是濺射方法裡面一種常用的方法,具有鍍膜粘附性好的優點,但是其缺點是容易將離子轟擊進入基底。方法簡介 真空容器內,在高壓1500V的作用下,殘留的氣體分子被電離,形成電漿,陽離子在電場加速下轟擊金屬靶,使金屬原子濺射...
濺射等離子增強化學氣相沉積一體系統是一種用於物理學、化學、材料科學、能源科學技術領域的工藝試驗儀器,於2015年11月30日啟用。技術指標 真空系統:分子泵機組; 澱積室規格:?400×150mm; 澱積室樣片台尺寸:?290mm(熱均勻區?220...
傷害:80(冰瓜彈)/26(濺射) 攻擊間隔:2.9秒 植物特徵:藍色植物 大招效果:發射多個200傷害的冰凍大西瓜,附帶66濺射傷害及10秒減速效果。西瓜數量由場上目標數的多少而定,最少4個。 裝扮大招:發射多個400傷害的火焰冰凍大西瓜,附帶132...