射頻濺射法，利用核能粒子轟擊靶材，使靶材原子或分子被濺射出來並沉積到襯底表面的工藝。技術優點是：（1） 具有很高的鍍膜速度；（2） 適用於多種塗覆材料，包括各種合金及化合物；（3） 適用於不同的集材，如塑膠、瓷和金屬；（4） 沉積速率高，適合大面積薄膜的製備。
基本介紹
- 中文名：射頻濺射法
- 套用：大面積薄膜的製備
射頻濺射法，利用核能粒子轟擊靶材，使靶材原子或分子被濺射出來並沉積到襯底表面的工藝。技術優點是：（1） 具有很高的鍍膜速度；（2） 適用於多種塗覆材料，包括各種合金及化合物；（3） 適用於不同的集材，如塑膠、瓷和金屬；（4） 沉積速率高，適合大面積薄膜的製備。
射頻濺射法 射頻濺射法，利用核能粒子轟擊靶材，使靶材原子或分子被濺射出來並沉積到襯底表面的工藝。技術優點是：（1） 具有很高的鍍膜速度；（2） 適用於多種塗覆材料，包括各種合金及化合物；（3） 適用於不同的集材，如塑膠、瓷和金屬；（4） 沉積速率高，適合大面積薄膜的製備。
其具體方法有：直流濺射法、射頻濺射法、二元濺射法和反應濺射法。該法的優點是：①能在較低溫度和真空系統中進行，有利於嚴格控制各種成分，防止雜質污染。②在製備合金薄膜或化合物薄膜時，可保持原組分不變。③既可直接利用濺射現象對固體材料表面進行精細刻蝕，又可在選定的固體材料上製造各種薄膜。如半導體薄膜、...
鑒於濺射法製備薄膜成本低，薄膜均勻且緻密等優點，本項目將利用直流、射頻磁控濺射和離子束濺射三種濺射方法在不同襯底上製備高質量的HfO2薄膜。研究不同襯底和緩衝層結構對HfO2薄膜的應變弛豫和電子缺陷特性的影響，以及HfO2薄膜的電子缺陷對其光學特性（包括折射率和透過率）和雷射損傷方面的影響，分析雷射損傷HfO2薄膜的...
《Si基濺射ZnO/Ga2O3膜反應自組GaN晶體膜的研究》是依託山東師範大學，由莊惠照擔任項目負責人的重大研究計畫。項目摘要 利用射頻濺射法在Si基襯底上製備納米ZnO緩衝層後，再在緩衝層上濺射Ga2O3膜，在管式爐中通NH3，控制氣體流量、爐溫和時間，反應自組GaN晶體膜。並探索P型摻雜。研究膜的結構形貌及其穩定性，...
磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用範圍更為廣泛，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時還司進行反應濺射製備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波電漿濺射，常用的有電子迴旋共振(ECR)型微...
故對於絕緣靶材或導電性很差的非金屬靶材，須用射頻濺射法（RF）。主要功能 磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，並以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶...
磁控濺射的基本原理是利用 Ar一O2混合氣體中的電漿在電場和交變磁場的作用下，被加速的高能粒子轟擊靶材表面，能量交換後，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出，轉移到基體表面而成膜。磁控濺射的特點是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現大面積鍍膜。該技術可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。磁控...
因為轟擊絕緣靶材時，表面的離子電荷無法中和，這將導致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的離子加速與電離的機會將變小，甚至不能電離，導致不能連續放電甚至放電停止，濺射停止。故對於絕緣靶材或導電性很差的非金屬靶材，須用射頻濺射法（RF）。濺射過程中涉及到複雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射...
(1)濺射法 濺射法是工業生產中常用的薄膜製備方法，又分為直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等不同工藝。①直流濺射 直流濺射又稱二極磁控濺射，是最簡單的濺射方法。其原理是以靶材為陰極，基片為陽極，離子在陰極的吸引下轟擊靶面，濺射出粒子沉積在基片上成膜。直流濺射的優點是簡單方便，對高熔點、低蒸汽壓的元素也...
電漿增強化學氣相沉積法（PECVD）是工業沉積多種材料套用最廣泛的方法。濺射法 濺射法根據其特徵分為以下4種：（1）直流濺射；（2）射頻濺射；（3）磁控濺射；（4）反應濺射。磁控濺射法是在高真空充入適量的氬氣，在陰極（柱狀靶或平面靶）和陽極鍍膜室壁之間施加直流電壓，在鍍膜室內產生磁控型異常輝光發電，...
他們先用射頻濺射法在輪齒上沉積一薄層Al2O3 , 再用閃蒸法沉積一薄層錳銅膜, 最後再覆蓋上0 .4μm 厚的Al2O3 層, 估計整個感測器的厚度不會超過2μm .齒輪轉速為2400r/min , 最大應力1 .2GPa .由於採用閃蒸法沉積錳銅薄膜, 保證了薄膜成分的準確性, 因此得到了線性較好的壓阻係數。但與箔式錳銅...