《濺射法製備低電子缺陷的HfO2薄膜》是依託蘭州大學，由謝二慶擔任項目負責人的聯合基金項目。
基本介紹
- 中文名：濺射法製備低電子缺陷的HfO2薄膜
- 依託單位：蘭州大學
- 項目負責人：謝二慶
- 項目類別：聯合基金項目
- 批准號：10776010
- 申請代碼：A31
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：36（萬元）
項目摘要
以HfO2和SiO2為代表的高損傷閾值材料被認為是製備高功率雷射器光學元件的理想材料。製備高應變弛豫度、低電子缺陷、高雷射損傷閾值的光學薄膜仍是製備高功率雷射器的瓶頸，因此必須找到一種合適的製備工藝來實現高質量光學薄膜的製備。鑒於濺射法製備薄膜成本低，薄膜均勻且緻密等優點，本項目將利用直流、射頻磁控濺射和離子束濺射三種濺射方法在不同襯底上製備高質量的HfO2薄膜。研究不同襯底和緩衝層結構對HfO2薄膜的應變弛豫和電子缺陷特性的影響，以及HfO2薄膜的電子缺陷對其光學特性（包括折射率和透過率）和雷射損傷方面的影響，分析雷射損傷HfO2薄膜的內在機理，力圖建立合適的物理模型來解釋電子缺陷對雷射損傷閾值的內在機理。基於多年在氧化物薄膜研究方面積累的豐富經驗，本項目組將探索最佳化濺射法製備工藝，製備高質量的HfO2薄膜，力爭在高雷射損傷閾值的光學薄膜研究方面取得前瞻性的，具有原創水平的科研成果。
