《Si基濺射ZnO/Ga2O3膜反應自組GaN晶體膜的研究》是依託山東師範大學，由莊惠照擔任項目負責人的重大研究計畫。
基本介紹
- 中文名：Si基濺射ZnO/Ga2O3膜反應自組GaN晶體膜的研究
- 項目類別：重大研究計畫
- 項目負責人：莊惠照
- 依託單位：山東師範大學
- 批准號：90301002
- 申請代碼：E02
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2004-01-01 至 2006-12-31
- 支持經費：25（萬元）
項目摘要
利用射頻濺射法在Si基襯底上製備納米ZnO緩衝層後，再在緩衝層上濺射Ga2O3膜，在管式爐中通NH3，控制氣體流量、爐溫和時間，反應自組GaN晶體膜。並探索P型摻雜。研究膜的結構形貌及其穩定性，研究發光特性及機理，研究其電子輸運特性，研究P型摻雜機理，研究納米ZnO緩衝層的作用及Ga2O3膜反應自組GaN膜的原理，為製備GaN晶體膜材料探索新方法，為製作GaN光電子器件開闢新的工藝途徑。
