濺射沉積

濺射對於遠程有彈道英雄就像分裂斬對於近戰英雄,它和分裂斬有相似也有不同的地方。最大的不同在於AoE在彈道擊到的目標處決定,而不是分裂斬由攻擊者站立的地方確定...

中文名稱 濺射沉積 英文名稱 sputtering deposition 定義 用高能粒子轟擊靶材,使靶材中的原子濺射出來,沉積在基底表面形成薄膜的方法。 套用學科 材料科學技術(一級...

磁控濺射是20世紀70年代迅速發展起來的新型我射技術。其鍍膜速率與二極濺射相比提高了一個數量級。1974 年Chapin 發明了適於工業套用的平面磁控濺射靶,對磁控濺射進...

物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)技術表示在真空條件下,採用物理方法,將材料源——固體或液體表面氣化成氣態原子、分子或部分電離成離子,並通過低壓氣體(...

濺射工藝是以一定能量的粒子(離子或中性原子、分子)轟擊固體表面,使固體近表面的原子或分子獲得足夠大的能量而最終逸出固體表面的工藝。濺射只能在一定的真空狀態下...

磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種。一般的濺射法可被用於製備金屬、半導體、絕緣體等多材料,且具有設備簡單、易於控制、鍍膜面積大和附著...

濺射方法是一種利用濺射原理及技術處理加工材料表面的現代技術方法。濺射,也稱陰極濺射,其基本原理是:在直流或射頻高壓電場的作用下利用形成的離子流轟擊陰極靶材料...

噴射沉積工藝的一般原理是: 熔融金屬或合金在惰性氣氛中藉助高壓惰性氣體或機械離心霧化形成固液兩相的顆粒噴射流,並直接噴到較冷基底上,產生撞擊、粘接、凝固而形成...

磁控濺射法是在高真空充入適量的氬氣,在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽極(鍍膜室壁) 之間施加幾百K 直流電壓,在鍍膜室內產生磁控型異常輝光放電,使氬氣發生電離。...

射頻濺射是利用射頻放電電漿中的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面的技術。射頻濺射: 用交流電源代替直流電源就構成了交流濺射系統, 由於...

在了解溶脫剝離法(lift-off)圖形轉移之前,首先需要了解適合於溶脫剝離法的薄膜沉積技術。沉積薄膜的方法很多,包括物理與化學氣相方法、分子束外延方法、旋轉塗覆或...

離子濺射鍍膜法是離子濺射形成干涉膜是增進相間襯度顯示組織的新方法。...... ,傾轉到面對電子槍(陰極)的位置,調節濺射室中的氣壓,輝光放電,陰極濺射,反應濺射沉積...

濺射鍍膜技術是用離子轟擊靶材表面,把靶材的原子被擊出的現象稱為濺射。濺射產生的原子沉積在基體表面成膜稱為濺射鍍膜。通常是利用氣體放電產生氣體電離,其正離子在...

直流濺射是指利用直流輝光放電產生的離子轟擊靶材進行濺射鍍膜的技術。直流濺射裝置主要由真空室、真空系統和直流濺射電源構成。...

磁控濺射原理:電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞,電離出大量的氬離子和電子,電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的...

真空磁控濺射技術是指一種利用陰極表面配合的磁場形成電子陷阱,使在E×B的作用下電子緊貼陰極表面飄移。設定一個與靶面電場正交的磁場,濺射時產生的快電子在正交的...

氣相沉積技術是利用氣相中發生的物理、化學過程,在工件表面形成功能性或裝飾性的金屬、非金屬或化合物塗層。氣相沉積技術按照成膜機理,可分為化學氣相沉積、物理氣相...

濺射鍍 sputtering depositsnn 用荷能粒子(通常為氣體止離子)轟擊靶材,使靶材表面部分原子逸出的現象r.若把零件放在靶材附近酌適當位置上,則從靶材飛出的原子便會...

濺射靶材的要求較傳統材料行業高,一般要求如,尺寸、平整度、純度、各項雜質含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制;較高要求或特殊要求包含:表面粗糙度、電阻...

真空室中只有陰極和陽極,陰極上裝有被濺射材料,利用高電壓下兩極間氣體自持放電的濺射沉積技術。 套用學科 材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級學科),材料...

磁控濺射鍍膜是指將塗層材料做為靶陰極,利用氬離子轟擊靶材,產生陰極濺射,把靶材原子濺射到工件上形成沉積層的一種鍍膜技術。...