直流濺射

直流濺射是指利用直流輝光放電產生的離子轟擊靶材進行濺射鍍膜的技術。直流濺射裝置主要由真空室、真空系統和直流濺射電源構成。

基本介紹

• 中文名：直流濺射
• 外文名：direct current sputtering
• 學科：材料工程
• 領域：工程技術

簡介

直流濺射是指利用直流輝光放電產生的離子轟擊靶材進行濺射鍍膜的技術。

結構組成

直流濺射裝置主要由真空室、真空系統和直流濺射電源構成。

結構原理

真空室中裝有輝光放電的陰極，靶材就裝在此極表面上，接受離子轟擊;安裝鍍膜基片或工件的樣品台以及真空室接地，作為陽極。操作時將真空室抽至高真空後，通入氬氣，並使其真空度維持在1. 0Pa左右，再加上2-3kV的直流電壓於兩電極之上，即可產生輝光放電。此時，在靶材(陰極)附近形成高密度的電漿區，即負輝區該區中的離子在直流電壓的加速下轟擊靶材即發生濺射效應。由靶材表面濺射出來的原子沉積在基片或工件上，形成鍍層。

改進方法

為了提高電漿密度，在垂直於靶面的方向上加有磁場，如在平行於靶面的方向加上環形磁場，則稱為直流磁控濺射。直流濺射由於鍍膜速率太低限制了它的大規模工業化。