濺射刻蝕（sputtering etching）是2005年公布的航天科學技術名詞。
基本介紹
- 中文名：濺射刻蝕
- 外文名：sputtering etching
- 所屬學科： 航天科學技術
- 公布時間：2005年
出處,公布時間,
出處
《航天科學技術名詞》。
公布時間
2005年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
濺射刻蝕
相關詞條
- 濺射刻蝕
濺射刻蝕 濺射刻蝕（sputtering etching）是2005年公布的航天科學技術名詞。出處 《航天科學技術名詞》。公布時間 2005年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
- 濺射工藝
一般說來，單金屬的濺射產額高於它的合金；在絕緣材料中，非晶體濺射產額最高，單晶其次，複合晶體最低。濺射工藝主要用於濺射刻蝕和薄膜澱積兩個方面。濺射刻蝕時，被刻蝕的材料置於靶極位置，受氬離子的轟擊進行刻蝕。刻蝕速率與靶極材料...
- 濺射方法
③既可直接利用濺射現象對固體材料表面進行精細刻蝕，又可在選定的固體材料上製造各種薄膜。如半導體薄膜、金屬薄膜、化合物薄膜等。制膜的基體材料有半導體晶片、玻璃、塑膠及陶瓷片等。使從陰極濺出的原子或分子沉積在這些基體材料上即可...
- 離子束濺射生物活體靶刻蝕作用的物理機制研究
《離子束濺射生物活體靶刻蝕作用的物理機制研究》是依託中國科學院合肥物質科學研究院，由吳躍進擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 離子束濺射技術廣泛套用於表面刻蝕和製備薄膜，對生物活體表面的刻蝕作用有重要套用前景。本項目研究注入離子...
- 刻蝕
刻蝕，英文為Etch，它是半導體製造工藝，微電子IC製造工藝以及微納製造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯繫的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，...
- 刻蝕工藝
① 離子銑刻蝕：低氣壓下惰性氣體輝光放電所產生的離子加速後入射到薄膜表面，裸露的薄膜被濺射而除去。由於刻蝕是純物理作用，各向異性程度很高，可以得到解析度優於 1微米的線條。這種方法已在磁泡存儲器、表面波器件和集成光學器件等製造...
- 磁控濺射
因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優點。該方法的缺點是不能製備絕緣體膜，而且磁控電極中採用的不均勻磁場會使靶材產生顯著的不均勻刻蝕，導致靶材利用率低，一般僅為20%-30%。磁控濺射設備的主要用途 （1）各種功能性薄膜：如...
- 濺鍍
以幾十電子伏特或更高動能的荷電粒子轟擊材料表面，使其濺射出進入氣相，可用來刻蝕和鍍膜。入射一個離子所濺射出的原子個數稱為濺射產額（Yield）產額越高濺射速度越快，以Cu，Au，Ag等最高，Ti，Mo，Ta，W等最低。一般在0.1-10...
- 反應性離子刻蝕
離子刻蝕是利用高能量惰性氣體離子轟擊被刻蝕物體的表面，達到濺射刻蝕的作用。因為採用這種方法，所以可以得到非常小的特徵尺寸和垂直的側壁形貌。這是一種“通用”的刻蝕方式，可以在任何材料上形成圖形。它的弱點是刻蝕速度較低，選擇性...
- 矽表面同步輻射光刻蝕圖樣的製備及其套用研究
本項目是利用掩模方法，在矽表面開展同步輻射光刻蝕圖樣的製備及其套用研究。用熱氧化法在矽晶片上生長二氧化矽薄膜，結合光刻和磁控濺射技術製備微米量級的接觸型鈷掩模，利用聚焦離子束沉積製備鎢納米柱掩模，通過同步輻射光激勵的表面刻蝕，...
- 濺射等離子增強化學氣相沉積一體系統
450×360mm； 濺射靶規格：？80mm； 濺射靶數量：1-4可選； 濺射材料：AI、Au、Cr、Ti、Ni、Cu、W、SiO2、各種介質膜、金屬膜、合金膜等； 濺射樣片台加熱溫度：600℃； 濺射不均勻性：≤±4%。主要功能 該設備具有刻蝕和濺射...
- 磁控濺射設備
磁控濺射設備是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2013年02月18日啟用。技術指標 直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極，從而該方法只能濺射導體材料，不適於絕緣材料，因為轟擊絕緣靶材時...
- 反應離子刻蝕
圖1是反應離子刻蝕系統原理圖。通常情況下，反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地禁止罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。...
- 聚合物刻蝕機
實現離子的物理轟擊濺射和活性粒子的化學反應，從而完成高精度的圖形刻蝕。具有各向異性好、選擇比高、大面積刻蝕均勻性好等優勢，主要用於氧化矽、氮化矽等介質材料及聚合物材料（PI、PDMS）微納米結構刻蝕。
- 濺射鍍膜機
濺射鍍膜機 濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2012年12月4日啟用。技術指標 多種物理方法製備薄膜，重複性好。主要功能 薄膜製備、刻蝕。
- 射頻濺鍍
離子濺射的用途越來越廣泛，其重要性也日益為人們所共知。如今，離子濺射在濺射離子源、二次離子質譜分析(SIMS)、離子束分析、濺射鍍膜、離子鍍、離子和離子束刻蝕、表面微細加工等領域有廣泛的套用。同時，濺射理論在分析核材料的輻照...
- 精密刻蝕鍍膜儀
固定角度或可變搖擺角度（0°- 90°）；樣品搖擺速率：可變速率5°/秒- 36°/秒；厚度監控器：標準-顯示鍍膜速率和全部鍍膜厚度。主要功能 其刻蝕和濺射鍍膜的樣品滿足掃描電鏡（SEM），透射電鏡（TEM）以及光學顯微鏡（LM）的需求。
- 電子束與離子束微細加工
用電子束曝光和離子束刻蝕已能制出80埃的金線條。 圖2是電子束投影曝光機的示意圖。陰極是一個光電發射模，它是在以石英為基底的鉻掩模上用濺射方法塗敷一層光電發射材料（如碘化銫）製成的。鉻掩模上的圖形則是根據需要用光學曝光...
- Bosch工藝
刻蝕與鈍化每5~10s 轉換一個周期。在短時間的各向同性刻蝕之後即將剛剛刻蝕過的矽表面鈍化。在深度方向由於有離子的物理濺射轟擊，鈍化膜可以保留下來，這樣下一個周期的刻蝕就不會發生側向刻蝕。通過這種周期性“刻蝕-鈍化-刻蝕”，刻蝕...
- 半導體晶片製造技術
8.2.1 刻蝕作用 （112）8.2.2 電勢分布 （113）8.3 電漿刻蝕 （114）8.3.1 電漿的形成 （114）8.3.2 常見薄膜的等離子刻蝕 （115）8.3.3 電漿刻蝕設備 （119）8.4 反應離子刻蝕與離子束濺射刻蝕 （120）8...
- 剖面側壁角
再沉積和再濺射兩種效應相互制約，其平衡過程成為決定刻槽側壁的形狀和傾角的演變因素。再沉積效應帶來的主要問題是減小刻槽寬度，使其偏離掩模限定的寬度,並影響圖形解析度，最終限制了離子束刻蝕溝槽深寬比的能力。再沉積的直觀效果是側...
- 一種金屬納米網路柔性玻璃的加工方法
S1、採用磁控濺射法，在矽片上製備SiO₂薄膜作為犧牲層；S2、採用磁控濺射法，在犧牲層上製備GZO薄膜、AZO薄膜或ZnO薄膜作為遮蓋層；S3、採用濕法刻蝕法，在遮蓋層上滴加稀HNO₃，腐蝕遮蓋層得到顆粒間的裂縫並增寬裂縫；S4、採用...
- 等離子加熱
（4）離子刻蝕：工作原理與陰極濺射類似，但更精細，設備更複雜。工作氣體通常用氬氣。由於氬離子直徑只有零點幾納米，可以認為刻蝕是對逐個原子的剝離，剝離速度約每秒一層到幾十層，是一種納米級加工，可用來刻蝕出解析度極高的圖形，...
