《矽表面同步輻射光刻蝕圖樣的製備及其套用研究》是依託上海交通大學，由王長順擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：矽表面同步輻射光刻蝕圖樣的製備及其套用研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：王長順
- 依託單位：上海交通大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：10675083
- 申請代碼：A30
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 支持經費：32（萬元）
項目摘要
本項目是利用掩模方法，在矽表面開展同步輻射光刻蝕圖樣的製備及其套用研究。用熱氧化法在矽晶片上生長二氧化矽薄膜，結合光刻和磁控濺射技術製備微米量級的接觸型鈷掩模，利用聚焦離子束沉積製備鎢納米柱掩模，通過同步輻射光激勵的表面刻蝕，在室溫下製備微納米尺度的二氧化矽薄膜刻蝕圖樣；研究同步輻射光強度、反應氣體濃度、樣品溫度等對刻蝕率的影響，考察不同厚度掩模的抗蝕能力，通過最佳化刻蝕條件，提高刻蝕率，進一步理解刻蝕機理；在刻蝕圖樣上選擇性沉積自組裝單分子薄膜，構建具有穩定親水或疏水特性的溝道表面，進行新型矽基生物感測、光電信息器件等方面的探索。預期成果將對套用同步輻射刻蝕製作矽基生物感測器件及大規模積體電路具有一定的參考價值。
