基本介紹
- 中文名：離子濺射
- 定義：一種物理氣相沉積的方法
離子濺射，一種物理氣相沉積的方法。在真空室內通入（0.1～1.0）×106帕的惰性氣體（如氬），使之在高壓下輝光放電，氣體離子在強電場作用下轟擊膜料製成的陰極靶，使表面的原子被濺射出來，沉積在基體上成膜。...
等離子濺射（plasma sputtering）物質除固態、液態和氣態之外，還有第四態，即等離子態。在外界高能作用下，分子或原子被離解成陽離子及同等數量的陰離子或電子，這一總體稱為電漿。利用電漿進行濺射的工藝稱為等離子濺射。等離子濺射也稱為四極濺射，它是在陰極濺射的基礎上增加一個熱燈絲陰極和一個輔助陰極...
離子濺射鍍膜法是離子濺射形成干涉膜是增進相間襯度顯示組織的新方法。離子濺射鍍膜法 離子濺射鍍膜是在部分真空的濺射室中輝光放電，產生正的氣體離子；在陰極（靶）和陽極（試樣）間電壓的加速作用下，荷正電的離子轟擊陰極表面，使陰極表面材料原子化；形成的中性原子，從各個方向濺出，射落到試樣的表面，於是在試樣...
濺射工藝是以一定能量的粒子（離子或中性原子、分子）轟擊固體表面，使固體近表面的原子或分子獲得足夠大的能量而最終逸出固體表面的工藝。濺射只能在一定的真空狀態下進行。原理 濺射工藝圖如圖1所示，濺射鍍膜最初出現的是簡單的直流二極濺射，它的優點是裝置簡單，但是直流二極濺射沉積速率低；為了保持自持放電，不能...
離子束濺射系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年06月25日啟用。技術指標 ×1、 濺射離子源（聚焦束考夫曼源） 加速能量0.5k~3KeV 束流0～150mA 氣流量：0～10sccm 最大離子束流密度：15mA/㎝2 工作真空1～2×10-2Pa 出口束徑≥Φ80㎜ 中和方式為燈絲中和 離子能量和束流獨立連續可調。 2...
離子濺射儀器是一種用於交通運輸工程領域的分析儀器，於2016年06月28日啟用。技術指標 （1）樣品室大小：直徑120mm×高度120mm； （2）靶材：Au靶、Au/Pd靶、Pt靶、Pt/Pd靶，靶材尺寸：直徑57mm×厚度0.1mm； （3）樣品台：可以裝載12個SEM樣品座，高度可調範圍為50mm； （4）濺射控制：程式化數字控制，...
濺射方法是一種利用濺射原理及技術處理加工材料表面的現代技術方法。濺射，也稱陰極濺射，其基本原理是：在直流或射頻高壓電場的作用下利用形成的離子流轟擊陰極靶材料表面，使離子的動能和動量轉移給固體表面的原子，因化學鍵斷裂而飛出(或稱飛濺)。通常採用的轟擊離子是隋性氣體氬受高壓電場的作用而電離，並形成具有...
離子注入是將某種離子“打進”固體，改變固體近表面層的化學成分和固體結構。離子注入技術用於半導體摻雜和金屬和其他材料的表面改性。離子束混合是用離子轟擊鍍有多層薄膜的金屬，使各層原子因離子碰撞發生互混，主要用於冶金學研究。離子濺射除用於鍍膜外(見真空鍍膜)還用於表面處理，實現濺射清洗、拋光、磨削和減薄等...
所以直流濺射裝置不能用來濺射沉積絕緣介質薄膜。簡介 簡介荷能粒子轟擊固體表面，打出離子和中性原子的現象稱為濺射。由於離子易於在電磁場中加速或偏轉，所以荷能粒子一般為離子，稱這種濺射為離子濺射。隨著真空技術、薄膜技術、表面分析技術以及表面科學的發展。離子濺射的用途越來越廣泛，其重要性也日益為人們所共知...
離子束濺射台 離子束濺射台是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2005年09月21日啟用。技術指標 濺射速率：3A/sec ；均勻性：2%。主要功能 利用離子轟擊靶材製備薄膜 尤其適用於膜厚需要精確控制的光學薄膜。
離子束濺射高通量薄膜製備系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2018年11月12日啟用。技術指標 基片尺寸1英寸~3英寸可選。 可旋轉角度及精度0-360度精度0.2度。3、薄膜成分分布及解析度：成分0~100%可控、主要成分的空間解析度+/-0.1%。4、膜厚均勻性1英寸範圍內，膜厚200nm時，優於正負5%。主要功能 特...
範圍等變化以及濺射對活體組織內部的微損傷；通過對濺射碎片分析，探明生物靶主要組分（細胞壁、膜、骨架材料）對離子濺射刻蝕作用的差異；建立細胞電導率、染料排斥法和TTC染色脫氫酶活性定量分析技術的細胞通透性和活力分析評價體系，最佳化出生物靶材料細胞刻蝕的離子束注入物理參數。
多功能離子注入與離子束濺射系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2009年6月23日啟用。技術指標 清洗源燈絲電源0～20 V20A 引出電源0～1.5KV50mA，濺射源燈絲電源0～20 V20A 引出電源0～3KV100mA，氣體源燈絲電源0～20 V20A 加速電源0～60KV30mA， 金屬源加速電源0～50KV30mA。主要功能 設備主要...
離子束濺射沉積 離子束濺射沉積（ion beam sputter depositing）是2005年公布的航天科學技術名詞。公布時間 2005年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《航天科學技術名詞》第一版。
離子束濺射鍍膜機是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2018年12月25日啟用。技術指標 通過改善沉積率和增大批量，系統產量最高可以增加 400% 靶材利用率最高可以增加 300%、減少維護並改善整體擁有成本 專為提高薄膜均勻度而最佳化的刀具幾何結構與固有的 IBS 加工技術優勢相結合，可使材料均勻度提升 50%。主要功能...
離子鍍膜加工包括濺射鍍膜和離子鍍兩種方式。離子濺射鍍膜是基於離子濺射效應的一種鍍膜方式，適用於合金膜和化合物膜的鍍制。離子鍍是在真空蒸發鍍和濺射鍍膜的基礎上發展起來的一種鍍膜新技術，將各種氣體放電方式引入到氣相沉積領域，整個氣相沉積過程都是在電漿中進行的。離子鍍大大提高了膜層粒子能量，可以獲得...
離子鍍是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發物質部分離化，在氣體離子或被蒸發物質離子轟擊作用的同時把蒸發物或其反應物沉積在基底上。它兼具蒸發鍍的沉積速度快和濺射鍍的離子轟擊清潔表面的特點，特別具有膜層附著力強、繞射性好、可鍍材料廣泛等優點。因此，這一技術獲得了迅速的發展。實現離子鍍，有兩個...
磁控離子束濺射雙室薄膜製備系統是一種用於材料科學、機械工程領域的計量儀器，於2013年10月11日啟用。技術指標 系統暴露大氣後5分鐘並充乾燥氮氣開始抽氣：離子束濺射室30分鐘可達到6.6x10-4Pa；離子束/控濺射室：系統停泵關機12小時後真空度：≤5Pa；1.600w全自動匹配射頻電源及匹配器2.數字式500w直流電源3....
磁控與離子束濺射台是一種用於物理學、材料科學、機械工程、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2013年12月13日啟用。技術指標 濺射室極限真空度：≤6.67x10-6Pa (經烘烤除氣後)； 進樣室極限真空度：≤6.67x10-4Pa (經烘烤除氣後) 系統真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 達到極限真空短暫暴露大氣後...
濺射（sputtering）是PVD薄膜製備技術的一種，主要分為直流濺射、交流濺射、反應濺射和磁控濺射。技術介紹 濺射（sputtering）是PVD薄膜製備技術的一種，主要分為四大類：直流濺射、交流濺射、反應濺射和磁控濺射。原理如圖1：原理：用帶電粒子轟擊靶材，加速的離子轟擊固體表面時，發生表面原子碰撞並發生能量和動量的轉移...
極濺射是利用熱絲弧光放電增強輝光放電產生電漿，但三極濺射難以實現大面積均勻鍍膜，工業上未獲得廣泛套用。提高濺射鍍膜的速率，關鍵是提高靶材的濺射率，這就必須提高電漿的電離度，即在相同的放電功率下，獲得更多的離子，從離子轟擊靶面的濺射產物看，除了擊出原子或分子外，還擊出二次電子，這些電子被電場...
入射一個離子所濺射出的原子個數稱為濺射產額（Yield）產額越高濺射速度越快，以Cu，Au，Ag等最高，Ti，Mo，Ta，W等最低。一般在0.1-10原子/離子。離子可以直流輝光放電（glow discharge）產生，在兩極間加高壓產生放電，正離子會轟擊負電之靶材而濺射也靶材，而鍍至被鍍物上。正常輝光放電（glow discharge）的...
表面和薄膜分析離子探針作靜態分析時,離子濺射是發生在樣品表面少數原子層或吸附層上(5～20埃)的，它是研究樣品氧化，腐蝕、擴散和催化等表面物理化學過程，檢測沉積薄膜、表面污染元素分布和晶體界面結構缺陷的理想工具。深度分析 作動態分析時，在一次離子束剝蝕作用下，樣品成分及其濃度將隨剝蝕時間而變化，因而得到...