離子束濺射沉積（ion beam sputter depositing）是2005年公布的航天科學技術名詞。
基本介紹
- 中文名：離子束濺射沉積
- 外文名：ion beam sputter depositing
- 所屬學科：航天科學技術
- 公布時間：2005年
公布時間,出處,
公布時間
2005年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
出處
《航天科學技術名詞》第一版。
離子束濺射沉積
相關詞條
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離子束濺射沉積薄膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2011年9月26日啟用。技術指標 1．主離子源離子源發射束徑：≥Φ120mm；離子能量可調範圍：0-1000eV；2．輔助離子源離子束轟擊範圍直徑：＞Φ100mm；離子能量可調範圍：0-1000eV；3．四靶台（水冷、外部隨機換靶）或三靶台靶台一次可裝不同材料...
- 離子束加工
離子束蝕刻還套用於減薄材料，製作穿透式電子顯微鏡試片。2.離子束鍍膜加工：離子束鍍膜加工有濺射沉積和離子鍍兩種形式。離子鍍可鍍材料範圍廣泛，不論金屬、非金屬表面上均可鍍制金屬或非金屬薄膜，各種合金、化合物、或某些合成材料、半導體材料、高熔點材料亦均可鍍覆。分類 1.離子蝕刻或離子銑削：Ar離子傾斜轟擊...
- 濺射工藝
中性束是荷能正離子在脫離離子槍之前由電子中和所致。離子束濺射廣泛套用於表面分析儀器中，對樣品進行清潔處理或剝層處理。由於束斑大小有限，用於大面積襯底的快速薄膜澱積尚有困難。 電漿濺射也稱輝光放電濺射。產生濺射所需的正離子來源於輝光放電中的等離子區。靶極表面必須是一個高的負電位，正離子被此電場...
- 納米離子束流複合沉積系統
納米離子束流複合沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2008年4月30日啟用。技術指標 設備包括三個真空室，其中濺射室內有一對三英寸的對靶，沉積室內有一四工位離子束濺射源和一常規磁控濺射靶；濺射室和沉積室的極限真空度：≤5x10-5 Pa (經烘烤除氣後)；系統真空檢漏漏率：≤6.6x10-8 Pa.l/S...
- 反應離子束薄膜沉積設備
反應離子束薄膜沉積設備是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器，於2011年9月30日啟用。技術指標 極限真空10^-8torr,工件盤轉速0~20RPM可調,6英寸範圍內的濺射均勻性優於 /-1.5%,樣品加熱溫度300度，濺射和刻蝕雙離子源。主要功能 專用於鍍制氧化釩薄膜，支持反應濺射沉積，同時具有離子束刻蝕功能....
- 磁控與離子束濺射台
濺射室極限真空度：≤6.67x10-6Pa (經烘烤除氣後)； 進樣室極限真空度：≤6.67x10-4Pa (經烘烤除氣後) 系統真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 達到極限真空短暫暴露大氣後開始抽氣：濺射室4-5小時後能抽到5X10-5Pa； DC、RF、DCpuls濺射； 射頻離子束，Mark I離子束濺射。主要功能 真空薄膜沉積。
- 超高真空磁控與粒子束聯合濺射設備
可達6.6x10-5Pa； 2.系統真空撿漏率：≤5.0x10-7Pa/s； 3.系統漏率：停泵關機12h後，真空度≤9Pa。主要功能 用於開發納米級的單層/多層功能膜——各種硬質膜、金屬膜、半導體膜等；鍍膜方式有直流直位、斜位和射頻直位濺射鍍膜、多靶位直流共濺鍍膜以及離子束沉積鍍膜。此外，也可進行真空退火。
- 離子束清洗
在所有乾性和濕性清洗材料表面的方法中，離子束清洗表面的作用最為徹底，而且清洗工藝靈活性最強。即使與一般離子束轟擊方法比較，由於離子束定向性強，工作氣體壓強低和離子濺射參數易於單獨控制，因此這種清洗方法從技術上說獨具一格。例如，採用傾斜入射離子束濺射襯底表面時，不僅可徹底清除表面的雜質異物層，而且可以...
- 離子束沉積薄膜技術及套用
離子束沉積薄膜技術及套用 《離子束沉積薄膜技術及套用》是國防工業出版社2003年出版的圖書，作者是劉金聲。《離子束沉積薄膜技術及套用》由國防工業出版社出版。
- 射頻濺鍍
用交流電源代替直流電源就構成了交流濺射系統，由於常用的交流電源的頻率在射頻段，如13.56MHz，所以稱為射頻濺鍍。在直流射頻裝置中，如果使用絕緣材料靶，轟擊靶面的正離子會在靶面上累積，使其帶正電，靶電位從而上升，使得電極間的電場逐漸變小，直至輝光放電熄滅和濺射停止。所以直流濺射裝置不能用來濺射沉積絕緣...
- 氣相沉積技術
③方法的複合。較先進的氣相沉積工藝多是各種單一PVD，CVD方法的複合。它們不僅採用各種新型的加熱源，而且充分運用各種化學反應高頻電磁(脈衝、射頻、微波等)及電漿等效應來激活沉積粒子。如反應蒸鍍、反應濺射、離子束濺射、多種電漿激發的CVD等。化學氣相沉積 化學氣相沉積(簡稱CVD)是利用氣態物質在一定溫度下...
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離子束濺射技術 利用粒子束濺射沉積技術，得到立方氮化硼和六方氮化硼的混合產物。這種方法雖然雜質較少，但是由於反應條件難以控制，因此產物的形態難以控制，對這種方法的研究還有很大的發展潛力。雷射誘發還原法 用雷射作為外加能源，誘發反應前驅體之間的氧化還原反應，並使B和N結合從而生成氮化硼，但是這種方法得到的...
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