濺射速率（splashing type pressure transducer）是2005年公布的航天科學技術名詞。
基本介紹
- 中文名：濺射速率
- 外文名：splashing type pressure transducer
- 所屬學科：航天科學技術
- 公布時間：2005年
出處,公布時間,
出處
《航天科學技術名詞》。
公布時間
2005年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
濺射速率
相關詞條
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- 射頻濺射
射頻濺射：用交流電源代替直流電源就構成了交流濺射系統，由於常用的交流電源的頻率在射頻段（5~30MHz）所以這種濺射方法稱為射頻濺射。射頻濺射射頻濺射幾乎可以用來沉積任何固體材料的薄膜，獲得的薄膜緻密、純度高、與基片附著牢固、濺射速率大、工藝重複性好。常用來沉積各種合金膜、磁性膜以及其他功能膜。簡介 射頻...
- 離子束濺射台
離子束濺射台 離子束濺射台是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2005年09月21日啟用。技術指標 濺射速率：3A/sec ；均勻性：2%。主要功能 利用離子轟擊靶材製備薄膜 尤其適用於膜厚需要精確控制的光學薄膜。
- 磁控濺射
但旋轉磁場需要旋轉機構，同時濺射速率要減小。旋轉磁場多用於大型或貴重靶，如半導體膜濺射。對於小型設備和一般工業設備，多用磁場靜止靶源。用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點火和濺射很方便。這是因為靶（陰極），電漿和被濺零件/真空腔體可形成迴路。但若濺射絕緣體（如陶瓷），則迴路斷了。於是人們採用高頻...
- 濺射工藝
正是這一負電勢加速氬離子，使絕緣靶的濺射得到維持。為使這一負電勢保持足夠的數值，靶上的高頻電壓的頻率必須足夠高。頻率過高，高頻損耗增大且難於匹配。常用的頻率約為13.56兆赫。電漿濺射突出的問題是濺射速率低、襯底溫度升高。從靶極發出的濺射原子流為E=Sj+。式中S為濺射產額,j+為轟擊靶極的離子流...
- 磁控濺射技術
直流磁控濺射的特點是在陽極基片和陰極靶之間加一個直流電壓，陽離子在電場的作用下轟擊靶材，它的濺射速率一般都比較大。但是直流濺射一般只能用於金屬靶材，因為如果是絕緣體靶材，則由於陽粒子在靶表面積累，造成所謂的“靶中毒”，濺射率越來越低。
- 濺射鍍膜技術
磁控濺射是在陰極靶面建立跑道磁場，利用其控制二次電子運動，延長其在靶面附近的停留，增加與氣體的碰撞幾率，從而提高電漿密度。這樣可以大大提高靶材的濺射速率，最終提高沉積速率。磁控濺射相對其他濺射技術有較高的鍍膜速率，一般二極濺射和射頻濺射的鍍膜速率為20~ 250nm/min，三極濺射為50~ 500nm/min,磁控...
- 磁控濺射法
使基片沉浸在電漿中。這樣一方面濺射出來的粒子沉積在基片表面形成薄膜，另一方面電漿轟擊基片，起到離子輔助的作用，極大的改善了膜層質量。非平衡磁控濺射除了具有較高的濺射速率外，能夠向鍍膜區輸出更多的離子，離子濃度正比於濺射靶的放電電流。該技術被廣泛套用於製備各種硬質薄膜。
- 脈衝磁控濺射
雙向脈衝更多地用於雙靶閉合式非平衡磁控濺射系統，系統中的兩個磁控靶連線在同一脈衝電源上，兩個靶交替充當陰極和陽極。陰極靶在濺射的同時，陽極靶完成表面清潔，如此周期性地變換磁控靶極性，就產生了“自清潔”效應。優點 脈衝濺射可以有效地抑制電弧產生進而消除由此產生的薄膜缺陷，同時可以提高濺射沉積速率，降低...
- 中頻交流脈衝磁控濺射電源
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- 磁致濺射儀
不僅可以得到很高的濺射速率，而且在濺射金屬時還可以避免二次電子轟擊而使基板保持接近冷態，這對單晶和塑膠基板具有重要的意義。磁控濺射可以用DC和RF放電工作，故能製備金屬膜和介質膜。但是它的缺點是：不能實現強磁性材料的低溫高速濺射，因為幾乎所有的磁通都通過磁性靶子，所以在靶面附近不能外加強磁場；絕緣靶會...
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此時，在靶材(陰極)附近形成高密度的電漿區，即負輝區該區中的離子在直流電壓的加速下轟擊靶材即發生濺射效應。由靶材表面濺射出來的原子沉積在基片或工件上，形成鍍層。改進方法 為了提高電漿密度，在垂直於靶面的方向上加有磁場，如在平行於靶面的方向加上環形磁場，則稱為直流磁控濺射。直流濺射由於鍍膜速...
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等離子濺射也稱為四極濺射，它是在陰極濺射的基礎上增加一個熱燈絲陰極和一個輔助陰極來進行濺射的。等離子濺射設備 陰極濺射設備中，為維持輝光放電，需要較高的氣壓和電壓。這樣，轟擊於陰極的正離子的能量分布就比較寬，濺射出的靶材原子，由於在途中與氣體分子相碰撞而散亂，使其向基片的沉積速率降低。同時，還易...
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- 真空鍍膜機
濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發鍍膜的不同點在於濺射速率將成為主要參數之一。濺射鍍膜中的雷射濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差（因為是脈衝濺射），晶向（外沿）生長的控制也比較一般。操作程式 真空鍍膜機操作程式具體操作時請參照該設備說明書 和設備上儀錶盤指針顯示及各旋鈕...
- 半導體薄膜技術與物理(第三版)
第3章 濺射技術 §3.1 濺射基本原理 §3.2 濺射主要參數 3.2.1 濺射閾和濺射產額 3.2.2 濺射粒子的能量和速度 3.2.3 濺射速率和澱積速率 §3.3 濺射裝置及工藝 3.3.1 陰極濺射 3.3.2 三極濺射和四極濺射 3.3.3 射頻濺射 3.3.4 磁控濺射 3.3.5 反應濺射 §3.4 離子成膜技術 3.4.1 ...
- 真空集熱管知識280問
47．什麼是濺射產額?48．濺射產額與哪些凶素有關?49．為什麼選用氬氣作為放電氣體?50．為什麼濺射產額與離子的入射方向有關?51．濺射粒子角分布(方向分布)如何?52．什麼是濺射速率?53．沉積速率與壓力關係如何?54．合金薄膜沉積中濺射鍍膜和蒸發鍍膜有何區別?55．磁控濺射中。磁場起什麼作用?56．什麼是二極濺射?其...
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通過對含能單晶HMX/RDX的納米壓痕試驗，獲得其各向異性力學性能參數，標定了力學本構模型參數；利用原子力顯微鏡（AFM）觀測載荷-位移曲線出現的載入突進和卸載突退等單晶細微觀破壞特徵，確定了壓痕周圍產生徑向或側向裂紋的臨界載荷；對炸藥HMX和RDX單晶進行低速撞擊試驗，根據徑向擴展速率、火焰傳播速率、濺射速率對回響...
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3 真空濺射鍍膜 3．1 濺射鍍膜原理 3．1．1 濺射現象 3．1．2 濺射機理 3．2 濺射沉積成膜 3．2．1 濺射源 3．2．2 濺射原子的能量與角分布 3．2．3 濺射產額與濺射速率 3．2．4 合金和化合物的濺射 3．2．5 濺射沉積成膜 3．2．6 薄膜的成分與結構 3．2．7 各種粒子轟擊效應 3．2．8 ...
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而且無毒，工藝的重複性也有很大的提高。5、濺射法不但可以可靠的調節各元素配比，並且製備出來的膜均勻性好，因為濺射粒子的能量比蒸發法要大的多，所以膜與基片的附著力增加，使膜緻密結實，同時還可以控制濺射速率和時間的控制，有利於提高重複性。磁控濺射一般濺射CuIn和CuGa沉積CuInGa合金預製層，然後硒化。
