對置濺射

用磁控濺射法對氧化鐵、坡莫合金等磁性記憶材料不能獲得高速濺射鍍膜速率。因此針對該類材料發明了對置濺射法。該法可以在低的基材溫度下以高的沉積速率對強磁性材料鍍膜。

同尺寸的兩個靶相向放置，使一個磁場重直於靶的表面，從靶放出的電子被限制於兩靶之間用以促進氣體的電離。基板配製在靶的側面，因此基體上可以避免高速電子的衝擊，使基體溫度不升高。