等離子[體]濺射是1993年全國科學技術名詞審定委員會公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名：等離子[體]濺射
- 外文名：plasma sputtering
- 所屬學科：電子學_電子元器件工藝與分析技術
- 發布時間：1993年
發布時間,出處,
發布時間
1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
出處
《電子學名詞》
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等離子[體]濺射
相關詞條
- 等離子[體]濺射
等離子[體]濺射 等離子[體]濺射是1993年全國科學技術名詞審定委員會公布的電子學名詞。發布時間 1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》
- 濺射工藝
離子束濺射廣泛套用於表面分析儀器中，對樣品進行清潔處理或剝層處理。由於束斑大小有限，用於大面積襯底的快速薄膜澱積尚有困難。 電漿濺射也稱輝光放電濺射。產生濺射所需的正離子來源於輝光放電中的等離子區。靶極表面必須是一個高的負電位，正離子被此電場加速後獲得動能轟擊靶極產生濺射，同時不可避免地發生...
- 電漿濺射陰極與材料遷移過程的研究
《電漿濺射陰極與材料遷移過程的研究》是依託北京大學，由付東坡擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 利用雙空心陰極金屬離子源（DUHOCAMIS），其大間隙磁鏡場穩定箍縮管狀空心陰極所包圍的電漿與陰極內表面構成離子-表面作用系統的便利條件，通過變化陰極的結構和材料，結合離子源有無離子束引出的兩種情況...
- 射頻濺射
射頻濺射是利用射頻放電電漿中的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面的技術。射頻濺射：用交流電源代替直流電源就構成了交流濺射系統，由於常用的交流電源的頻率在射頻段（5~30MHz）所以這種濺射方法稱為射頻濺射。射頻濺射射頻濺射幾乎可以用來沉積任何固體材料的薄膜，獲得的薄膜緻密、純度高、與...
- 電漿和表面的作用
來自電漿的中性氣體原子、分子、電子也能產生濺射，但它們的動量都非常小，產生的濺射也較小，可略而不計。輝光放電中的濺射是一個非常重要的過程，常可導致有利結果，也可能產生有害影響。二次電子發射 材料表面受到粒子的轟擊後，表面會發射出電子，稱為二次電子。電子、離子、中性原子、分子以及光都可引起...
- 濺射(套用技術)
方法：濺射薄膜通常是在惰性氣體(如氬)的電漿中製取。特點：採用濺射工藝具有基體溫度低，薄膜質純，組織均勻密實，牢固性和重現性好等優點。套用 濺射鍍膜技術的套用 1. 製備薄膜磁頭的耐磨損氧化膜 硬碟磁頭進行讀寫操作時與硬碟表面產生滑動摩擦，為了減小摩擦力及提高磁頭壽命，磁頭正向薄膜化方向發展。絕緣膜...
- 電漿噴焰
電漿噴焰 電漿噴焰plasma je:發射光潛分析激發光源，溫度在數千至一萬多度。試樣以溶液噴霧法或粉末吹樣法注人。它是在陽極和環狀陰極I產生數十至百安直流電弧放電，將氨氣或氮氣沿軸向引人，由於熱收縮和電磁收縮效應，弧焰電漿受到壓縮，由環狀陰極的r#，心孔噴出，形成電漿噴焰。
- 濺射蝕刻
在這樣的高頻放電中，與電漿電勢相比，電極為負電勢。這是由於電子的遷移率比離子大，所以電子可以在RF（13.56MHz）的半個周期內很容易地到達電極。由於電極為負電勢，離子便加速向兩電極運動，並使裝在電極上的基底產生濺射。離子對小電極的撞擊作用（在另一個半周期中）要比對大電極的撞擊強得多。不過大...
- 電漿輻射和雜質
雜質是不同於基本電漿離子種類的離子，主要通過電漿與材料表面相互作用產生，其作用機制包括背散射、解吸、物理濺射、化學濺射輻射增強升華等。在實驗中，雜質是不希望有的，因為它們增強了線輻射而導致大量的能量損失，影響能量平衡過程和電漿溫度分布及約束性能。通過對電漿輻射的分析，可以辨別雜質的種類...
- 駐波脈衝功率共振耦合非平衡磁控濺射等離子體原理
《駐波脈衝功率共振耦合非平衡磁控濺射等離子體原理》是依託大連理工大學,由牟宗信擔任醒目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 本項目旨在發展和完善一種遠離平衡態駐波高功率中頻脈衝共振耦合磁控濺射沉積技術。研究由磁控放電陰極低β電荷漂移所形成電荷密度駐波、同軸非平衡會切磁場約束的電漿束流湍動，同步耦合高...
- 磁鏡場中空心陰極濺射金屬電漿研究
《磁鏡場中空心陰極濺射金屬電漿研究》是依託北京大學，由付東坡擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 一系列雙空心陰極金屬離子源（DUHOCAMIS）的放電實驗結果表明，這種離子源放電曲線具有大範圍變化弧流阻抗的特性，且與磁鏡場中空心陰極濺射金屬電漿密切相關。本項目將基於DUHOCAMIS平台，進行多參數系列的金屬...
- 電漿射流
由於大氣壓非平衡電漿射流裝置能夠在開放空間、而不是如傳統放電僅在放電間隙內產生電漿，這個顯著優點對於許多套用，特別是在近幾年來興起的電漿醫學方面上的套用是至關重要的。此外，電漿醫學的發展與N-APPJ的發展是緊密聯繫的。背景引言 對於低氣壓放電，由於氣體的密度較低，電子與中性粒子的碰撞...
- 電漿·原子發射光譜法
電漿·原子發射光譜法（plasma-atr}mi} emi},si}a spec-Lrarnetry）是用電漿餡產生的高溫激發光源作為原子發射光譜的激發光源的一種儀器分析方法。在光譜分析中常用的有高頻等離子炬和電漿噴射源兩種.，套用氫一氧焰高頻等離子炬時，可使鋁、鋇、鎂、鋅的測定靈敏度分別提高5f10 ,12,4UQU和5000倍;...
- 電漿
電漿(plasma)又叫做電漿，是由部分電子被剝奪後的原子及原子團被電離後產生的正負離子組成的離子化氣體狀物質，尺度大於德拜長度的巨觀電中性電離氣體，其運動主要受電磁力支配，並表現出顯著的集體行為。它廣泛存在於宇宙中，常被視為是除去固、液、氣外，物質存在的第四態。電漿是一種很好的導電體，利用...
- 低溫電漿(物態名詞)
海洋表面濺射水滴上出現的電暈放電可促進海洋中有機物的生成，還可能是地球遠古大氣中生物前合成胺基酸的有效放電形式之一。針對不同套用目的研究，電暈放電是具有重要意義的技術課題。介質阻擋放電(Dielectric Barrier Discharge,DBD)介質阻擋放電(DBD)是有絕緣介質插入放電空間的一種非平衡態氣體放電又稱介質阻擋電暈放電或...
- 表面電漿
3。乾法刻蝕技術：製作金屬微納孔結構可以採用該方法。乾法刻蝕是利用等離子原理有選擇地從晶片表面去除不需要的材料的過程。乾法刻蝕主要包括等離子增強反應離子刻蝕、電子迴旋共振刻蝕（ECR）、感應耦合電漿刻蝕（ICP）等蝕刻技術。還有其他的一些特殊工藝套用在整個實驗與製作的過程中，像電子束蒸發，離子濺射等技術。
- 電漿輻射
自然界和實驗室中的電漿中包含電子、離子，有時也有中性原子。粒子介紹 重要課題 由於這些粒子間以及它們與電磁場之間的相互作用，電漿會輻射出大 量的電磁波，其頻率範圍包括微波、光波和 X射線區域。在天文學中幾乎完全依靠電漿的輻射來獲取知識；在實驗室電漿的研究工作中，通過對輻射的測量可以給...
- 電漿合成
同傳統方法相比，電漿法製備的催化劑有更緊密的晶格，表現出更好的性質。例如，在氧化鋁上通過電漿濺射沉積技術製備出鈣鈦礦氧化物LaMOX膜（M是Co、Mn、Ni）；而通過電漿濺射方法製備的Fe—Co系列催化劑雖然比表面積比常規法要少，但對氫和一氧化碳吸附很強，催化選擇性增強。多種催化劑的等離子製備結果...
- 等離子表面處理器
同時由於射流低溫電漿是電中性的，因此在處理時不會損傷保護膜、ITO 膜層和偏振濾鏡。該處理過程可以“線上”進行，並且無需溶劑，因此更加環保。元件綁定前等離子處理 元件綁定:低溫等離子清洗技術在金屬行業中的套用：金屬表面常常會有油脂、油污等有機物及氧化層，在進行濺射、油漆、粘合、健合、焊接、銅焊和PVD...
- 電漿超音速射流的三維多場耦合特性研究
《電漿超音速射流的三維多場耦合特性研究》是依託上海交通大學，由王平陽擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 研究內容：（1）從微觀機理出發，結合電漿的產生原理，建立電漿發生器(或電推進系統)壁面的濺射模型，給出射流的二維輸入條件，包括穩態和脈衝兩種；(2) 建立或選擇各種碰撞模型；(3) ...
- 電漿技術與套用
7.2電漿濺射現象與性質133 7.2.1濺射現象133 7.2.2濺射率134 7.2.3濺射率的測量法134 7.2.4各種物質的濺射率136 7.2.5各種物質起始濺射的能量閾值138 7.2.6離子的加速電壓同濺射率的關係138 7.2.7濺射率和晶體結構的關係140 7.2.8離子束相對靶面的入射角同濺射率的關係140 7.2.9從靶面上...
- 電漿滲氮技術
該法是在0.1~10Torr的含氮氣氛中，以爐體為陽極，被處理工件為陰極，在陰陽極間加上數百伏的直流電壓，由於輝光放電現象便會產生象霓虹燈一樣的柔光覆蓋在被處理工件的表面。此時，已離化了的氣體成分被電場加速，撞擊被處理工件表面而使其加熱。同時依靠濺射及離子化作用等進行氮化處理。離子氮化法與以往的靠...
- 濺射鍍膜技術
極濺射是利用熱絲弧光放電增強輝光放電產生電漿，但三極濺射難以實現大面積均勻鍍膜，工業上未獲得廣泛套用。提高濺射鍍膜的速率，關鍵是提高靶材的濺射率，這就必須提高電漿的電離度，即在相同的放電功率下，獲得更多的離子，從離子轟擊靶面的濺射產物看，除了擊出原子或分子外，還擊出二次電子，這些電子被電場...
- 真空磁控濺射技術
由於鏡像磁場方式不能有效地束縛電子，因而電漿的濺射效率未有得到提高。而閉合磁場非平衡靶對在鍍膜區域的縱向磁場是閉合的。只要磁場強度足夠，電子就只能在鍍膜區域和兩個靶之間運動，避免了電子的損失，從而增加了鍍膜區域的離子濃度，大幅度提高了濺射效率。存在問題 1）靶的污染：靶表面形成了非導電的化合物...
- 電漿約束
電漿約束（plasma confinement）是將電漿限制在某個區域，不讓它們飛散開來的技術。電漿中的粒子具有動能，它們會到處運動而散開，有的粒子還能轟擊真空室壁，使電漿粒子數目及其能量都要損失。粒子撞擊真空室壁其上的物質會濺射到電漿區域，使電漿能量通過輻射形式損失掉，導致電漿的溫度降低...
- 離子注入
離子注入是指當真空中有一束離子束射向一塊固體材料時，離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面，這個現象叫做濺射；而當離子束射到固體材料時，從固體材料表面彈了回來，或者穿出固體材料而去，這些現象叫做散射；另外有一種現象是，離子束射到固體材料以後，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，並最終停留...
- 直流濺射
此時，在靶材(陰極)附近形成高密度的電漿區，即負輝區該區中的離子在直流電壓的加速下轟擊靶材即發生濺射效應。由靶材表面濺射出來的原子沉積在基片或工件上，形成鍍層。改進方法 為了提高電漿密度，在垂直於靶面的方向上加有磁場，如在平行於靶面的方向加上環形磁場，則稱為直流磁控濺射。直流濺射由於鍍膜速率...
- 濺射靶材
若射頻的頻率提高后就成為微波電漿濺射，常用的有電子迴旋共振(ECR)型微波電漿濺射。磁控濺射鍍膜靶材：金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材 ，氮化物陶瓷濺射靶材 ，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材 ，矽化物陶瓷濺射靶材 ，...
- 二極濺射
二極濺射 二極濺射，由膜料製成的濺射靶材為陰極，工件為陽極構成真空鍍膜室內的兩電極，通電通氣後利用氣體的輝光放電、電漿技術進行鍍膜的方法。
