真空濺射是2013年公布的機械工程名詞。
基本介紹
- 中文名:真空濺射
- 外文名:vacuum sputtering
- 所屬學科:機械工程
- 公布年度: 2013年
真空濺射是2013年公布的機械工程名詞。
真空濺射是2013年公布的機械工程名詞。 定義在真空環境中,惰性氣體離子從靶表面上轟擊出原子(分子)或原子團在基片上成膜的過程。 出處《機械工程名詞》。...
真空磁控濺射技術是指一種利用陰極表面配合的磁場形成電子陷阱,使在E×B的作用下電子緊貼陰極表面飄移。設定一個與靶面電場正交的磁場,濺射時產生的快電子在正交的電磁場中作近似擺線運動,增加了電子行程,提高了氣體的離化率,同時高能量粒子與氣體碰撞後失去能量,基體溫度較低,在不耐溫材料上可以完成鍍膜。這種...
金屬真空濺射機 金屬真空濺射機是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2012年1月2日啟用。技術指標 IGZO 成膜均勻性 <10%。主要功能 金屬膜成膜。
超高真空多靶磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年10月31日啟用。技術指標 本底真空(UltimatePressure):2.66×10-6Pa 沉積室尺寸(DepositionChamber):W450×D410×H450m 基片尺寸(SubstrateSize):F2~8inch 基片旋轉速度(RotatingSpeed):0~20rpm(Motordriven) 沉積功率(CathodePower):DCpower...
真空多功能濺射設備 真空多功能濺射設備是一種用於物理學、化學、材料科學、電子與通信技術領域的計量儀器,於2013年07月22日啟用。技術指標 *4、脈寬:主要功能 主要用於各種金屬,氧化物的納米薄膜的製備和氧化。
高真空磁控濺射儀是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月11日啟用。技術指標 雙腔室真空結構(進樣室+濺射室),濺射室極限真空度優於9.9x10-6Pa,進樣室極限真空度優於5x10-4Pa;水冷旋轉樣品台,可採用Ar氣背冷,最大支持6英寸,同時支持...
反應性真空濺射 反應性真空濺射reactivevacuumsputtering:通過與氣體的反應獲得理想化學成分的膜層材料的真空濺射。
高真空磁控濺射系統 高真空磁控濺射系統是一種用於電子與通信技術領域的計量儀器,於2010年10月12日啟用。技術指標 濺射極限真空≤5E-6Pa;系統漏率:5E-7Pa.l/S。主要功能 製備各種薄膜材料。
超高真空全自動磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年12月5日啟用。技術指標 1.真空室數量:雙室,包含1個樣片室,1個濺射室。2.極限真空(環境濕度≤55%,經烘烤除氣後):? 樣片室:≤2.0×10-3Pa? 濺射室:≤8.0×10-7Pa3.真空室漏氣率:≤5.0×10-8Pa·L/s4.抽氣速率:...
《真空濺射鍍膜設備》是2010年機械工業出版社出版的圖書,作者是本社。目錄 前言 1 範圍 2 規範性引用檔案 3 型號與基本參數 4 技術要求 4.1 設備正常工作條件 4.2 結構要求 4.3 製造質量 4.4 安全防護要求 5 試驗方法 5.1 極限壓力的測定 5.2 抽氣時間的測定 5.3 升壓率的測定 5.4 ...
超高真空磁控濺射鍍膜設備 超高真空磁控濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2010年6月25日啟用。技術指標 <10負六次方 七靶。主要功能 楔形樣品製備 加熱400°。
超高真空磁控濺射與離子束濺射鍍膜設備 超高真空磁控濺射與離子束濺射鍍膜設備是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2006年11月30日啟用。技術指標 背底真空6×10-5Pa,樣品加熱溫度650℃。主要功能 可實現多靶共濺射,可生長梯度材料。
真空高溫PVD連續磁控濺射系統 真空高溫PVD連續磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年12月28日啟用。技術指標 主機控制採用可程式序控制器(PLC)+觸控螢幕(HMI)組合電器控制系統。主要功能 使用直流(或中頻)磁控濺射,可廣泛用於各類鍍膜靶材。
超高真空多靶磁控濺射鍍膜儀是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2010年2月21日啟用。技術指標 1、雙室磁控濺射系統,極限壓力:主濺射室,6.67*10-6Pa,2、永磁靶5套,三個直流電源,兩個射頻電源,靶材直徑60mm;3、6個樣品工位,尺寸直徑30mm,基片加熱最高600度,退火爐最高溫度800度。主要功能 用...
高真空磁控濺射鍍膜機 高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器,於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔(反濺腔、濺射腔、氧化腔) 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa,能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和射頻濺射對不同的靶材進行濺射沉積鍍膜。
要求每支靶有獨立的冷卻系統,保證冷卻效果良好。 (3) 烘烤方式為內烘烤電阻式加熱方式,真空室可內烘烤150~300℃,抽氣90分鐘後,真空室真空度可達到5×10-4Pa。基片樣品在濺射過程中應該加熱基片溫度為400±1℃,靜止加熱基片最高溫度800±1℃,必須保證小車能往復、正常行進。主要功能 薄膜材料。
超高真空多靶磁控濺射台 超高真空多靶磁控濺射台是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2004年12月1日啟用。技術指標 極限真空:8×10-6Pa,6靶。主要功能 製備磁性單層膜、多層模。
雙室超高真空多功能磁控濺射設備 雙室超高真空多功能磁控濺射設備是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2012年12月24日啟用。技術指標 10-5Pa。主要功能 物理沉積薄膜。
超高真空磁控與粒子束聯合濺射設備是一種用於化學領域的科學儀器,於2012年9月7日啟用。技術指標 1.系統極限真空:磁控濺射室:系統經烘烤後連續抽氣,可達4.0x10-5Pa;離子束濺射室經烘烤後連續抽氣,可達6.6x10-5Pa; 2.系統真空撿漏率:≤5.0x10-7Pa/s; 3.系統漏率:停泵關機12h後,真空度≤9Pa。...
高真空磁控濺射鍍膜系統 高真空磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年12月14日啟用。技術指標 子系統一:工裝和卡具。主要功能 鍍制各種功能性薄膜光電薄膜,半導體薄膜,硬質膜等。
高真空多功能磁控濺射電子束鍍膜系統 高真空多功能磁控濺射電子束鍍膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年6月23日啟用。技術指標 真空度:6.7×10-5Pa 加熱溫度:室溫~800oC 濺射功率:500W×3。主要功能 真空鍍膜。
高真空磁控濺射與離子束濺射複合鍍膜設備是一種用於物理學、地球科學、工程與技術科學基礎學科領域的物理性能測試儀器,於2008年12月8日啟用。技術指標 1. 真空泵:分子泵; 2. 樣品傳輸:手動真空環境傳輸; 3. 原位監控:流量監控、氣壓監控、濺射電學參數監控; 4. 濺射方式:射頻(RF),直流(DC)。主要功能...
超高真空磁控與離子束聯合濺射設備是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2011年3月1日啟用。技術指標 真空室尺寸 濺射室 φ560×300 離子束室 φ500×450 進樣室 φ250×400 極限真空 濺射室 6.6×10-6Pa 由大氣抽到極限真空所需時間少於60min 離子束室 6.6×10-6Pa 進樣室 6.6×10-4Pa 樣品台形式...
高真空多靶磁控濺射鍍膜設備 高真空多靶磁控濺射鍍膜設備是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2008年9月26日啟用。技術指標 極限真空:2×10-5Pa,4靶。主要功能 用於製備各種磁性金屬合金薄膜,採用共聚焦、基底旋轉濺射方式,能夠製備150×150mm各種合金薄膜。
目前水電鍍在重工業上套用較多(汽車等),而真空電鍍則廣泛套用於家用電器、化妝品包裝。如果真空電鍍的硬度能達到水電鍍的等級,那么水電鍍將要消失了。目前很多手機上的金屬外觀件,都採用PVD真空離子鍍,不僅能夠提供漂亮的顏色而且耐磨性很好。不過比較貴,成本較高。濺射鍍:磁控濺射鍍膜設備:磁控濺射鍍膜設備是一...
PVD(物理氣相沉積)鍍膜技術主要分為三類:真空蒸發鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。物理氣相沉積的主要方法有:真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧電漿鍍膜、離子鍍膜和分子束外延等。相應的真空鍍膜設備包括真空蒸發鍍膜機、真空濺射鍍膜機和真空離子鍍膜機。隨著沉積方法和技術的提升,物理氣相沉積技術不僅可沉積金屬膜、合金...