濺射材料是2013年公布的機械工程名詞。
基本介紹
- 中文名:濺射材料
- 外文名:sputtering material
- 所屬學科:機械工程
- 公布年度: 2013年
濺射材料是2013年公布的機械工程名詞。
濺射材料是2013年公布的機械工程名詞。 定義在真空濺射中用來濺射的鍍膜材料。 出處《機械工程名詞》。...
濺射靶材主要套用於電子及信息產業,如積體電路、信息存儲、液晶顯示屏、雷射存儲器、電子控制器件等;亦可套用於玻璃鍍膜領域;還可以套用於耐磨材料、高溫耐蝕、高檔裝飾用品等行業。分類 根據形狀可分為方靶,圓靶,異型靶 根據成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材 根據套用不同又分為半導體關聯陶瓷靶材、...
濺射(sputtering)是PVD薄膜製備技術的一種,主要分為四大類:直流濺射、交流濺射、反應濺射和磁控濺射。原理如圖1:原理:用帶電粒子轟擊靶材,加速的離子轟擊固體表面時,發生表面原子碰撞並發生能量和動量的轉移,使靶材原子從表面逸出並澱積在襯底材料上的過程。以荷能粒子(常用氣體正離子)轟擊某種材料的靶面,而使...
《濺射用鉭靶材》是2015年10月1日實施的行業標準。適用範圍 本標準適用於以真空電子束熔煉的高純鉭錠為原料,通過塑性加工、熱處理、機械加工、焊接等方法製造的濺射用鉭靶材(以下簡稱鉭靶材)。起草單位 寧夏東方鉭業股份有限公司、有研億金新材料有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司等。起草人 鐘景明、李桂鵬、...
濺射方法是一種利用濺射原理及技術處理加工材料表面的現代技術方法。濺射,也稱陰極濺射,其基本原理是:在直流或射頻高壓電場的作用下利用形成的離子流轟擊陰極靶材料表面,使離子的動能和動量轉移給固體表面的原子,因化學鍵斷裂而飛出(或稱飛濺)。通常採用的轟擊離子是隋性氣體氬受高壓電場的作用而電離,並形成具有...
磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種。一般的濺射法可被用於製備金屬、半導體、絕緣體等多材料,且具有設備簡單、易於控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。上世紀 70 年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射,必須有效地提高氣體的離化率。磁...
《超音波振動條件下磁控濺射納米材料超塑變形機理研究》是依託哈爾濱工業大學,由蔣少松擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 磁控濺射可快速、穩定地製備純度高、孔隙率低、晶粒尺寸分布窄的納米材料,但目前磁控濺射主要套用於表面鍍膜。本申請將開拓磁控濺射納米材料在塑性成形領域的基礎研究,發掘其超塑性,並引...
磁控濺射的技術特點是要在陰極靶面附屬檔案產生與電場方向垂直的磁場,一般採用永久磁鐵實現。材料性能 如果靶材是磁性材料,磁力線被靶材禁止,磁力線難以穿透靶材在靶材表面上方形成磁場,磁控的作用將大大降低。因此,濺射磁性材料時,一方面要求磁控靶的磁場要強一些,另一方面靶材也要製備的薄一些,以便磁力線能穿過靶材,在...
磁控濺射工藝是將鎳、銀、鈦、金等高級宇航合金材料採用最先進的多腔高速旋轉設備,利用電場與磁場原理高速度高力量地均勻濺射於高張力的PET基材上,保證產品卓越的隔熱功能、清晰的透光率及科學、自然的金屬塗層。此類產品有非常好的金屬質感,有無法比擬的清晰度,而且反光極低。由於粒子更細、結構更緊密,因此,隔熱...
射頻濺射是利用射頻放電電漿中的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面的技術。射頻濺射:用交流電源代替直流電源就構成了交流濺射系統,由於常用的交流電源的頻率在射頻段(5~30MHz)所以這種濺射方法稱為射頻濺射。射頻濺射射頻濺射幾乎可以用來沉積任何固體材料的薄膜,獲得的薄膜緻密、純度高、與...
當濺射率非常高,以至於在完全沒有惰性氣體的情況下也能維持放電,即是僅用離化的被濺射材料的蒸汽來維持放電,這種磁控濺射被稱為自濺射。被濺射材料的離子化以及減少甚至取消惰性氣體,會明顯地影響薄膜形成的機制,加強沉積薄膜過程中合金化和化合物形成中的化學反應。由此可能製備出新的薄膜材料,發展新的濺射技術...
濺射鍍膜中的雷射濺射鍍膜pld,組分均勻性容易保持,而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因為是脈衝濺射),晶向(外沿)生長的控制也比較一般。 以pld為例,因素主要有: 靶材與基片的晶格匹配程度 鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍) 基片溫度 雷射器功率 脈衝頻率 濺射時間 對於不同的濺射材料和基片,最佳...
利用氬離子轟擊靶材,產生陰極濺射,把靶材原子濺射到工件上形成沉積層的一種鍍膜技術。磁控濺射鍍膜magneto-controlled sputter coating是指:是將塗層材料做為靶陰極,利用氬離子轟擊靶材,產生陰極濺射,把靶材原子濺射到工件上形成沉積層的一種鍍膜技術,塗層材料一直保持固態,不形成熔池。
用真空系統將濺射室抽到10乇真空度後,充入高純度的氬氣,使真空度降到1X10乇,給熱陰極通電加熱,使其發射電子。這些電子在向加有正電壓的陽極運動過程中與氬氣分子碰撞而電離,形成電漿。在聚焦磁場作用下,電漿被聚焦成柱狀,形成高密度電漿。其中的正離子在靶(欲濺射材料)上所加負電壓加速下轟擊...
同樣情況,鎳的試樣用鉛作陰極形成氧化鉛。而用金作陰極材料,則產生純金的鍍膜。這些結果清楚地指出:(1)陰極材料被濺射在試樣表面;(2)陰極濺射原子與氣氛中的氧氣有足夠的親合力時則形成氧化膜,如果陰極濺射原子與氣氛中的氧氣親合力小或在惰性氣氛的情況下,只形成純金屬鍍膜。離子濺射鍍膜,多半是在反應...
離子束濺射 離子束濺射(IBS),也稱為離子束沉積(IBD),是一種薄膜沉積工藝,使用離子源,將靶材(金屬或電介質)沉積或濺射到基片上,以形成金屬或電介質膜。因為離子束是等能的(離子具有相等的能量),且高度準直,所以與其他PVD(物理氣相沉積)技術相比,其能夠精確地控制厚度,並沉積非常緻密的高質量薄膜。
刻蝕速率與靶極材料的濺射產額、離子流密度和濺射室的真空度等因素有關。濺射刻蝕時,應儘可能從濺射室中除去濺出的靶極原子。常用的方法是引入反應氣體,使之與濺出的靶極原子反應生成揮發性氣體,通過真空系統從濺射室中排出。澱積薄膜時,濺射源置於靶極,受氬離子轟擊後發生濺射。如果靶材是單質的,則在襯底上...
離子濺射 離子濺射,一種物理氣相沉積的方法。在真空室內通入(0.1~1.0)×106帕的惰性氣體(如氬),使之在高壓下輝光放電,氣體離子在強電場作用下轟擊膜料製成的陰極靶,使表面的原子被濺射出來,沉積在基體上成膜。
離子可以直流輝光放電(glow discharge)產生,在兩極間加高壓產生放電,正離子會轟擊負電之靶材而濺射也靶材,而鍍至被鍍物上。正常輝光放電(glow discharge)的電流密度與陰極物質與形狀、氣體種類壓力等有關。濺鍍時應儘可能維持其穩定。任何材料皆可濺射鍍膜,即使高熔點材料也容易濺鍍,但對非導體靶材須以射頻(...
《平面磁控濺射靶材 光學薄膜用鈮靶(YS/T 718-2009)》由全國有色金屬標準化技術委員會提出並歸口。本標準起草單位:利達光電股份有限公司。本標準主要起草人:李智超、楊太禮、付勇、段玉玲、張向東、趙倫。本標準適用於平面磁控濺射光學薄膜用鈮靶材。內容簡介 《平面磁控濺射靶材 光學薄膜用鈮靶(YS/T 718-2009)》...
靶材是一種具有高附加價值的特種電子材料,主要使用在微電子,顯示器,存儲器以及光學鍍膜等產業上,用以濺射用於尖端技術的各種薄膜材料。BCC的報告顯示:全球的上述產業在1999年使用了2.88百萬公斤靶材。換算為面積,則濺射了363百萬平方米的薄膜。而若以單位靶材來計算,全球在1999年則大約使用了37400單位的靶材。這...
②射頻濺射 射頻濺射是利用射頻放電電漿進行濺射的一類方法。由於射頻濺射所使用的靶材包括導體、半導體和絕緣材料等,因此套用範圍有所增加。其缺點是沉積速率低、荷能離子對薄膜表面有損傷,因而限制了該工藝的廣泛套用。③磁控濺射 磁控濺射是上世紀七十年代後期發展起來的一種先進工藝,是在真空下電離惰性氣體形成...
濺射原理 以pld為例,因素主要有: 靶材與基片的晶格匹配程度 鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍) 基片溫度 雷射器功率 脈衝頻率 濺射時間 對於不同的濺射材料和基片,最佳參數需要實驗確定,是各不相同的,鍍膜設備的好壞主要在於能否精確控溫,能否保證好的真空度,能否保證好的真空腔清潔度。濺射靶材 溫州市...
ITO 是通過真空磁控濺射鍍膜工藝生產的一種材料,屬於導電膜禁止玻璃的導電膜層材料。ITO Glass 透明導電膜禁止玻璃的導電膜層材料主要為ITO(銦錫氧化物半導體)膜、金屬鍍膜等,其特點是在150KHz~1GHz範圍內有適宜的禁止效能,透光性較普通網柵材料禁止玻璃好很多,電阻率介於10- 3~10- 4 Ω·cm 之間,透光率...