基本介紹
- 中文名:掩膜
- 外文名:MASK
- 缺點:批量要求大
- 圖像掩模:選定的圖像
- 優點:程式可靠、成本低。
掩模版一般指本詞條
然後利用縮微照相技術或圖形發生系統製作掩模原版,亦稱中間掩模版。為了能在同一個矽片上同時製作多個電路晶片而且又便於切割成單個晶片,中間掩模版的圖形還要用具有分步重複功能的精密縮小照相機進一步縮小到實際晶片尺寸。同時,讓同一圖形在...
光學掩模版在薄膜、塑膠或玻璃基體材料上製作各種功能圖形並精確定位,以便用於光致抗蝕劑塗層選擇性曝光的一種結構。掩膜版套用十分廣泛,在涉及光刻工藝的領域都需要使用掩膜版,如IC(Integrated Circuit,積體電路)、FPD(Flat Panel ...
二元掩模(Binary Intensity Mask,BIM),也稱為雙極型掩模,是指由透光與不透光兩種部分組成的光掩模版。二元掩模版是使用最多的一種掩模版,被廣泛用於365nm(I線)至193nm的浸沒式光刻。二元掩模是相對於移相掩模而言的。最常用的...
所有的薄膜掩模版製造工藝都是由X光掩模空白基板上的製造開始。在典型的空白基板製造程式中,矽晶圓片首先被塗上一層薄膜材料。原理 在矽薄膜情況下,晶圓片的表面可能被摻入雜質以便可以進行選擇性的腐蝕基片。在晶圓的背面刻出圖形以...
反射式掩模是一種新型掩模技術,針對EUV等波長較短的光其容易被物質吸收的特點應運而生的。傳統的掩模版為透射式掩模版,可見光或紫外光光線透過掩模版對光刻膠進行曝光。然而,隨著半導體技術的不斷發展,半導體器件尺寸不斷減小。傳統的...
製作一種平面電晶體或積體電路,需要有一組(幾塊至十幾塊)可以相互精確套刻的掩模版。對掩版的基夲求是:精度高、套刻準、反差強和酎磨損。光刻掩模製作 在平面電晶體和積體電路的製造過程中,要進行多次光刻。為此,必須製備一組...
掩模版保護膜是薄的光學透明膜。掩模版保護膜 一種很薄的光學透明膜,一般由硝化纖維組成二將該透明膜粘附在框架上,由框架來支承,並私附在光掩模版(或光掩模中間板)卜。它的目的是密封,防止沾污物,減少由曝光系統圖像平面,!,...
掩模版形狀修正(reticle shape correction,RSC)是通過添加一個RSC子程式,進而實現掩模形狀修正。為了比較精確地確定掩模的形狀,RSC一般需要測量掩模版上的20個標識,然後選用5個修正參數:二階曲率(2ndordercurvature)、線性楔形修正(...
投影掩模版 投影掩模版是一個石英版,它包含了在矽片上重複生成的圖形,就像投影用的電影膠片的底片一樣。投影掩模版上的圖形可能僅包含一個管芯,也可能是幾個。投影掩模版指的是對於一個管芯或一組管芯的圖形。
掩模工件台(reticle stage)就是用於放置掩模板的固定平台,此固定平台相對於光刻機本體之間設定有X軸移動裝置和Y軸移動裝置,X軸與Y軸延伸方向均平行於掩模板,且X軸與Y軸相互垂直。從硬體角度來看,對準操作涉及三個部分:掩模工件...
母掩模 母掩模 master mask用來印製工作版的初始光學掩模 版。該掩模版最終以一倍的比仇利用分步重複機產生。
傳統的掩模由透光區域和阻光區域組成,透光區域具有相同的厚度,光通過透光區域後具有相同的相位。由於該掩模的透光率只有0和1兩種情況,因此這種掩模又稱為雙極型掩模(binary mask)。鉻雙極型掩模是最早出現、也是使用最多的一類掩模,...
確定矽片上圖形的位置、方向和變形,並利用這些數據與掩模版上的圖形建立起正確關係的過程稱為對準。對準過程開始於投影掩模版與步進光刻機或步進掃描光刻機機身上固定的參照標記的正確對準。一旦投影掩模版和曝光設備的主體,那么承片台...
掩模形狀修正(reticle shape correction, RSC)是通過添加一個RSC子程式來實現對掩模的修正。為了比較精確地確定掩模的形狀,RSC一般需要測量掩模版上的20個標識。然後,選用5個修正參數:二階曲率(2nd order curvature)、線性楔型修正(...
圖1 雙溝槽光刻工藝流程示意圖(使用暗場掩模版和正性光刻膠)以下就簡單介紹硬掩模在雙重光刻工藝中的雙溝槽光刻技術中的運用。雙溝槽光刻技術是指每次光刻和刻蝕的過程是在硬掩模上產生溝槽。圖1顯示了雙溝槽光刻技術的工藝流程。首先...
(2)通過圖形修正,即在設計掩模版圖形時就考慮到陰影效應,有意地引入修正。在幾何光學中,掩模陰影效應與入射光方向餘弦、吸收層厚度成線性關係,由於還存在複雜的電磁相互作用,嚴格計算需要採用時域有限差分(FDTD)法等算法。要減小...
投影掩模版被一層附加透明層修正以便改變透光區域使光相移180度的技術被稱為相移掩模技術。相移掩模技術(PSM)是1982年發展起來的方法,用來克服光通過掩模版上小孔時發生衍射的有關問題。與異相波的干涉類似,這裡進行的是相消干涉。衍...
極紫外掩模缺陷是指在極紫外光刻技術中使用的掩模版上存在的缺陷總稱,比如襯底缺陷、基板缺陷等。極紫外掩模上的缺陷對光刻工藝的良率產生影響。掩模基板上的缺陷主要有三個來源,一是源自於襯底上的缺陷殘留(占總數25%);二是在多層...
MRC檢查“post-OPC”數據,確認其中所有圖形適合掩模版製備工藝。MRC中的規則是由掩模版廠提供的,OPC工程師將這些規則輸入到MRC軟體中。MRC規則主要包括如下內容:(1)對圖形的最小線寬(minWidth),線間距(minSpace),做出規定;也...
金屬玻璃掩模 金屬玻璃掩模mclal on glass mask以不透光金屬薄膜選擇地覆蓋在坂璃基片上構成的光學掩模版:
交替型相移掩模是相移掩模的一種,也被稱為Levenson PSM。定義 在具有一定周期性的鉻掩模版中,透光圖形之間相間地製備一層光的位相器(即交替的在掩模版透明區域增加或減少一層透明膜,光透過移相器後會產生180度相移)原理 在曝光時...
掃描投影光刻,利用反射鏡系統,把有1∶1圖像的整個掩模圖形投影到矽片表面的光刻技術。由於掩模版是1倍的,圖像沒有放大和縮小,並且掩模版圖形和矽片上的圖形尺寸相同。其原理是紫外光線通過一個狹縫聚焦在矽片上,獲得均勻的光源,掩...
掃描投影光刻機是利用反射鏡系統把原有圖像的整個掩模版圖形投影到矽片表面的光刻設備。掃描投影光刻機光刻設備現在仍在較老的矽片生產線中使用,它們適用於線寬大於1微米的非關鍵層。由於掩模版是一倍的,圖像就沒有放大和縮小,並且掩...
這一組放置在光源和掩模版之間的反射鏡稱為照明光學系統。掩模版也是反射式的,從掩模反射出的光包含了掩模上圖形的信息,它通過另一組反射鏡投影在晶圓上,實現曝光。這一組放置在掩模版和晶圓之間的反射鏡稱為投影光學系統。
5-X向直線電機;7-Y向直線電機;9-傳送帶系統;10-對接滑塊;11-基台;15-矽片;16-平面永磁陣列;18-第一長方體永磁體;19-第二長方體永磁體;20-平面電機的定子;23-氣浮結構;24-平面電機的動子;45-光源;47-掩模版;49-透鏡系統...
1、製備光刻掩模版:所述掩模版的工作區為圓形,所述圓由中心圓、中間環和外圍環依次緊密圍成,所述外圍環的外徑:中間環的內徑:中間環的外徑比為2∶0.08∶1.9;2、在透紫外光的材料上塗覆一層負性光刻膠,並用熱板烘烤固化...
因此,整套雙極型積體電路掩模版共有 7塊。即使通常省去鈍化工藝,也需要進行6次光刻,需要6塊掩模版。版圖設計 按照線路要求和工藝條件設計元件的圖形和尺寸,並進行布局和布線,同時設計出一套光刻掩模版圖形。版圖設計的第一步,是對...