投影掩模版被一層附加透明層修正以便改變透光區域使光相移180度的技術被稱為相移掩模技術。
基本介紹
- 中文名:相移掩模技術
- 外文名:phase shift mask(PSM)
投影掩模版被一層附加透明層修正以便改變透光區域使光相移180度的技術被稱為相移掩模技術。
相移掩模技術(PSM)是1982年發展起來的方法,用來克服光通過掩模版上小孔時發生衍射的有關問題。與異相波的干涉類似,這裡進行的是相消干涉。衍射到左邊通常是暗區的光,將於右邊透光區衍射過來的光發生相消干涉。通過相移掩模技術改善...
極紫外相移掩模是光刻技術術語,指套用於極紫外光刻技術中的相移掩模。其基本原理是調節掩模上吸收層的光學參數(n、k、 d),使得吸收層具有一定的反射率。吸收層處反射光電場矢量與相鄰區域反射光矢量的相位差是180°,圖形邊緣區域發生...
交替型相移掩模是相移掩模的一種,也被稱為Levenson PSM。定義 在具有一定周期性的鉻掩模版中,透光圖形之間相間地製備一層光的位相器(即交替的在掩模版透明區域增加或減少一層透明膜,光透過移相器後會產生180度相移)原理 在曝光時...
近年來為了提高曝光解析度,開發出了相移掩模和光學鄰近效應校正掩模。這些掩模的製造工藝比傳統掩模複雜得多。三重金屬掩模:在金屬膜或金屬片表面上的某些區域被第二層抗蝕金屬保護,而第二層金屬本身的某些區域又被第三層抗蝕金屬所保護...
第二節 離軸照明技術一、OAI提高投影光刻成像系統分辨力和增大焦深的基本原理二、四極照明三、環形照明四、二元光柵照明第三節 相移掩模技術一、PSM提高光刻分辨力的原理-二、LevensonPSM三、邊緣PSM...
實驗室還深入系統地開展了波前工程的研究, 利用準分子光刻系統,採用相移掩模技術使解析度從0.5μm提高到0.3μm;開展了原子力光刻技術前瞻性研究,取得良好進展。1997年以來,獲得國家科技進步獎三等獎1項,中國科學院科技進步獎一等獎1項,...
8.1.2 同軸與離軸照明技術 192 8.2 掩模版工程 195 8.2.1 光學鄰近效應修正 195 8.2.2 相移掩模 196 8.3 表面反射和駐波的抑制 197 8.4 電子束光刻 199 8.4.1 直寫式電子束光刻 201 8.4.2 電子束光刻的鄰近效應 ...
5.4.5 相位掩模光柵 169 5.4.6 逐點寫入的光纖光柵 170 5.4.7 帶通光纖光柵 170 5.4.8 重疊多個光纖光柵 171 5.4.9 光纖啁啾光柵製作技術 171 5.5 光纖光柵溫度特性與套用 172 5.5.1 裸光纖光柵封裝製成的溫度感測器...
減少掩模上吸收層的厚度,可以有效地降低掩模的三維效應。薄掩模基板製備的挑戰在於:減薄了的吸收層還必須保持所需要的吸收率和相移。掩模基板上的缺陷 基板上大多數缺陷是外來顆粒。在缺陷檢測設備這紅,基板上的缺陷一般可以分為四類:...
1993年hill等人提出了相位掩模技術,它主要是利用紫外光透過相位掩模板後的±1級衍射光形成的干涉光對光纖曝光,使纖芯折射率產生周期性變化,從而寫入光柵。此技術使光纖光柵的製作更加簡單、靈活,便於批量生產。1993年Alkins等人採用了低溫...
3.4.3 掩模誤差增強因子 79 3.4.4 焦深與工藝視窗 80 3.4.5 工藝變化帶(PV-band) 82 本章參考文獻 82 第4章 解析度增強技術 84 4.1 傳統解析度增強技術 86 4.1.1 離軸照明 86 4.1.2 相移掩模 89 4.2 多重圖形...
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