掃描投影光刻，利用反射鏡系統，把有1∶1圖像的整個掩模圖形投影到矽片表面的光刻技術。由於掩模版是1倍的，圖像沒有放大和縮小，並且掩模版圖形和矽片上的圖形尺寸相同。其原理是紫外光線通過一個狹縫聚焦在矽片上，獲得均勻的光源，掩模版和帶膠矽片被放置在掃描架上，並且一致地通過窄紫外光束對矽片上的光刻膠曝光，由於發生掃描運動，掩模版圖像最終被光刻在矽片表面。
基本介紹
- 中文名：掃描投影光刻
- 類型：光刻技術
掃描投影光刻，利用反射鏡系統，把有1∶1圖像的整個掩模圖形投影到矽片表面的光刻技術。由於掩模版是1倍的，圖像沒有放大和縮小，並且掩模版圖形和矽片上的圖形尺寸相同。其原理是紫外光線通過一個狹縫聚焦在矽片上，獲得均勻的光源，掩模版和帶膠矽片被放置在掃描架上，並且一致地通過窄紫外光束對矽片上的光刻膠曝光，由於發生掃描運動，掩模版圖像最終被光刻在矽片表面。
掃描投影光刻，利用反射鏡系統，把有1∶1圖像的整個掩模圖形投影到矽片表面的光刻技術。由於掩模版是1倍的，圖像沒有放大和縮小，並且掩模版圖形和矽片上的圖形尺寸相同。其原理是紫外光線通過一個狹縫聚焦在矽片上，獲得均勻的光源，...
圖1 步進-掃描式光刻機曝光方式示意圖 圖1是投影式光刻機的工作成像原理。曝光掃描結束後，曝光系統步進式移動到下一個位置。圖1（c）是步進和掃描運動的示意圖。為了儘量減少晶圓等待曝光時間，步進移動一般是按照一個蛇形路徑進行的...
掃描投影光刻機是利用反射鏡系統把原有圖像的整個掩模版圖形投影到矽片表面的光刻設備。掃描投影光刻機光刻設備現在仍在較老的矽片生產線中使用，它們適用於線寬大於1微米的非關鍵層。由於掩模版是一倍的，圖像就沒有放大和縮小，並且掩...
掃描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸；步進重複投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或稱作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。
3a.掃描投影光刻（Scanning Project Printing）70年代末～80年代初開始研究。這種光刻機中掩膜版與圖案的大小是1:1，即掩膜版上的尺寸與光刻膠上的圖案尺寸相同。之所以稱之為掃描，是因為光是透過一條細長的狹縫射在基底上，一般是...
步進掃描光刻，融合了掃描投影光刻和分步重複光刻的一種光刻技術。通過使用縮小透鏡掃描一個大曝光場圖像到晶片上的一部分來實現光刻。掃描和圖形轉移過程結束後，晶片就步進到下一個曝光區域重複這一過程。優點是增大了曝光場、可以獲得較...
在離子束投影光刻中靜電鏡頭能夠對改變線性焦點特性進行電子學方面的調整，並且能夠結合延時返饋控制環(或圖形鎖定裝置)進行調整。IPL提供了超越光學光刻之後競爭技術的一些主要系統的優越性，它有十分寬的曝光容限。它與接近式X射線光刻不同...
非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統中，掩膜圖形經光學系統成像在感光層上，掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會引起損傷和沾污,成品率較高，對準精度也高，能滿足高集成度器件和電路生產的要求。但投影曝光設備複雜，技術難度高，因而不適於低檔產品的生產。現代套用最廣的是 1:1倍的全反射掃描曝光系統和x...
第1章 光刻工藝概述 1 1.1 從微電子器件的微型化到納米技術 1 1.2 發展歷程 3 1.3 步進掃描投影光刻機的空間像5 1.4 光刻膠工藝 8 1.5 工藝特性參數 10 1.6 總結.16 參考文獻 17 第2章 投影光刻成像理論 19 2.1 投影光刻機 19 2.2 成像理論 20 2.2.1 傅立葉光學描述方法 20 2.2.2...
技術中的套用;第二章為投影光刻的光學系統,包括投影物鏡、照明系統、調平調焦分系統;第三章介紹掩模矽片對準技術,包括離軸對準、同軸對準、同軸和離軸相結合的對準技術,同時討論掩模傳輸和預對準、矽片傳輸和預對準技術;第四章介紹雷射工件台定位技術,詳細討論步進和掃描工件台...
步進投影光刻機是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年5月22日啟用。技術指標 解析度： 0.35um；套刻精度≦ 40nm；波長：i-Line (365nm)；寫場大小22mmx22mm；縮放倍率1:5；掩模版尺寸： 6inch；基板尺寸：φ2” , φ3”, φ4”, φ6...
1997年美國GCA公司推出了第一台分步重複投影曝光機，被視為曝光技術的一大里程碑，1991年美國SVG公司又推出了步進掃描曝光機，它集分步投影曝光機的高解析度和掃描投影曝光機的大視場、高效率於一身，更適合＜0.25μm線條的大生產曝光。為了提高解析度，光學曝光機的波長不斷縮小，從436mm、365mm的近紫外（NUV）...
《寬頻準分子雷射投影光刻研究》，論文作者：張雨東著，導師：王之江研究員指導，學科專業：光學儀器。副題名 外文題名 學位級別 d 1991n 學位授予單位 中國科學院上海光學精密機械研究所 學位授予時間 1991 關鍵字 雷射光刻 光刻 微電子技術 館藏號 唯一標識符 108.ndlc.2.1100009031010001/T3F24.012002640864 館藏...
超微細加工的關鍵是形成圖形的曝光方式和光刻方法。當前主流技術仍然是光學曝光，光刻方法已從接觸、接近式、反射投影式、步進投影式發展到步進掃描投影式。採用減少光源波長（由436nm和365nm的汞弧燈縮短到248nm的KrF準分子雷射源再到到193nm的ArF準分子雷射源）的方法可以將微細加工工藝從1μm、0.8μm發展到0....
.角度限制投影電子束光刻技術不受衍射的限制，解析度高，能套用到特徵尺寸為100nm以下的積體電路製造中，有望成為將來的主流光刻技術之一。這種技術的研究對半導體工業的進步有極為重要的意義，而用蒙特卡洛方法模擬光刻過程可以比實驗節約...
（概述圖為《一種步進光刻設備及光刻曝光方法》摘要附圖）專利背景 光刻設備是一種將掩模圖案曝光成像到矽片上的設備。已知的光刻設備包括步進重複式和步進掃描式。2011年之前的技術中所公開的使用縮減倍率投影物鏡的步進光刻機中，該投影...
電子束光刻，利用電子束在塗有電子抗蝕劑的晶片上直接描畫或投影複印圖形的光刻技術。 電子抗蝕劑是一種對電子敏感的高分子聚合物。經過電子束掃描過的電子抗蝕劑發生分子鏈重組，使曝光圖形部分的抗蝕劑發生化學性質改變，經過顯影和...
電子束曝光有投影（又稱為電子束面曝光）和掃描（又稱為電子束線曝光）兩種工作方式。電子束投影方式與光刻過程類似，是將掩模版上的圖形轉換成襯底表面介質的圖形的過程。操作 寫場校準 寫場的校準是電子束曝光工藝中的關鍵一步，寫場...
1998年畢業於華中理工大學（現華中科技大學）機械製造專業，獲工學博士學位；2000年至2001年赴英國曼徹斯特大學進行為期1年的訪問與客座研究；2002年至2005年在上海微電子裝備有限公司暨國家光刻工程技術研究中心，從事國家863重大專項“100nm解析度步進掃描投影光刻機”的攻關研製，為該重大專項總體組成員、控制學科總負責...
美國的 Sindia 實驗室已製成用於投影光刻實驗裝置的磁懸浮工作檯，穩定性達 5. 5nm.掩模和矽片步進掃描時採用可見光莫爾條紋技術來對準。它是將形成莫爾條紋所需的光柵刻到掩模和矽片的邊緣，然後通過投影物鏡將掩模上的光柵成像到矽片...
7.2光刻工藝的基本步驟 7.3正性光刻和負性光刻 7.3.1正性光刻和負性光刻的 概念 7.3.2光刻膠 7.3.3正性光刻和負性光刻的 優缺點 7.4光刻設備簡介 7.4.1接觸式光刻機 7.4.2接近式光刻機 7.4.3掃描投影光刻機 7...
715光刻的環境條件 716掩膜版 72光刻工藝的基本步驟 73正性光刻和負性光刻 731正性光刻和負性光刻的 概念 732光刻膠 733正性光刻和負性光刻的 優缺點 74光刻設備簡介 741接觸式光刻機 742接近式光刻機 743掃描投影光刻機 744分步...