步進掃描光刻，融合了掃描投影光刻和分步重複光刻的一種光刻技術。通過使用縮小透鏡掃描一個大曝光場圖像到晶片上的一部分來實現光刻。掃描和圖形轉移過程結束後，晶片就步進到下一個曝光區域重複這一過程。優點是增大了曝光場、可以獲得較大的晶片尺寸，一次曝光可以曝光多個晶片等。
基本介紹
- 中文名：步進掃描光刻
- 用途：光刻技術
步進掃描光刻，融合了掃描投影光刻和分步重複光刻的一種光刻技術。通過使用縮小透鏡掃描一個大曝光場圖像到晶片上的一部分來實現光刻。掃描和圖形轉移過程結束後，晶片就步進到下一個曝光區域重複這一過程。優點是增大了曝光場、可以獲得較大的晶片尺寸，一次曝光可以曝光多個晶片等。
步進掃描光刻，融合了掃描投影光刻和分步重複光刻的一種光刻技術。通過使用縮小透鏡掃描一個大曝光場圖像到晶片上的一部分來實現光刻。掃描和圖形轉移過程結束後，晶片就步進到下一個曝光區域重複這一過程。優點是增大了曝光場、可以獲得...
步進式光刻機是一種用於製造積體電路（IC）的裝置，其在微小的矽片表面上可以形成數百萬個微觀電路元件，是複雜工藝的重要組成部分。步進式光刻機光路示意圖如圖1，所示步進式光刻機使光穿過掩模版，從而形成掩模版圖案的圖像。圖像通過...
步進光刻機是把投影掩模版上的圖形與塗膠矽片進行對準，而後從一點到另一點逐場曝光。在光學光刻中，步進光刻機有三個基本目標，所有這些目標都必須滿足用戶精度和重複性的規範：（1）使矽片表面和石英掩模版對準並聚焦（包括圖形）；...
圖1 步進-掃描式光刻機曝光方式示意圖 圖1是投影式光刻機的工作成像原理。曝光掃描結束後，曝光系統步進式移動到下一個位置。圖1（c）是步進和掃描運動的示意圖。為了儘量減少晶圓等待曝光時間，步進移動一般是按照一個蛇形路徑進行的...
光刻設備是一種將掩模圖案曝光成像到矽片上的設備。已知的光刻設備包括步進重複式和步進掃描式。2011年之前的技術中所公開的使用縮減倍率投影物鏡的步進光刻機中，該投影物鏡的倍率為縮減的，即按1:N的比率將掩模圖案通過投影物鏡投射於...
f、光刻缺陷控片（PDM，Photo Defect Monitor）：光刻膠缺陷監控。舉例：0.18μm的CMOS掃描步進光刻工藝。光源：KrF氟化氪DUV光源（248nm）；數值孔徑NA：0.6～0.7；焦深DOF：0.7μm；解析度Resolution：0.18～0.25μm（一般採用...
1997年美國GCA公司推出了第一台分步重複投影曝光機，被視為曝光技術的一大里程碑，1991年美國SVG公司又推出了步進掃描曝光機，它集分步投影曝光機的高解析度和掃描投影曝光機的大視場、高效率於一身，更適合＜0.25μm線條的大生產曝光。
3c.掃描步進投影光刻（Scanning-Stepping Project Printing或稱作Scanner）90年代末至今，在高端的半導體製造中一般會用到此種機型，用於≤0.18 μm工藝。在曝光過程中，掩膜版在一個方向上移動，同時晶圓在與其垂直的方向上同步移動。特點...
第1章 光刻工藝概述 1 1.1 從微電子器件的微型化到納米技術 1 1.2 發展歷程 3 1.3 步進掃描投影光刻機的空間像5 1.4 光刻膠工藝 8 1.5 工藝特性參數 10 1.6 總結.16 參考文獻 17 第2章 投影光刻成像理論 19 2.1 ...
（9） 曝光：曝光採用步進掃描光刻技術（這一點是工業界與學校里實驗用光刻機不同的地方）：增大了曝光場，可以獲得較大的晶片尺寸；具有掃描調節聚焦的能力，可補償透鏡缺陷和矽片平整度的變化。深入理解下面兩個公式在實際套用中的...
而對於一些無廠半導體（專注於研發積體電路的架構，但其成品的製造過程則由像是台積電、聯電、格羅方德等專注於積體電路製造的公司來承包），一般是提供新的積體電路圖紙予積體電路製造商，在商業契約的約束下由製造商製作新的步進之光刻...
1、水隨著光刻機在晶圓表面做步進-掃描運動，沒有泄露；2、水中沒有氣泡和顆粒。在193nm波長下，水的折射率是1.44，可以實現NA大於1。圖3 是浸沒式光刻機曝光頭的示意圖。去離子水經過進一步去雜質、去氣泡（degassing）、恆溫之後...
光刻機的曝光頭（exposure head）必須特殊設計，以保證：（1）水隨著光刻機在晶圓表面做步進-掃描運動，沒有泄露；（2）水中沒有氣泡和顆粒。在193nm波長下，水的折射率是1.44，可以實現NA大於1。圖1是浸沒式光刻機曝光頭設計示意...
在光刻工藝中，光刻機單次實現曝光所能支持的最大區域範圍為曝光區域。先進步進-掃描式光刻機所能支持的最大曝光區域(exposure field)面積是 26mm×33mm，而步進式光刻機(stepper)的曝光區域只22mm×22mm。光刻工藝中，在曝光時，...
確定矽片上圖形的位置、方向和變形，並利用這些數據與掩模版上的圖形建立起正確關係的過程稱為對準。對準過程開始於投影掩模版與步進光刻機或步進掃描光刻機機身上固定的參照標記的正確對準。一旦投影掩模版和曝光設備的主體，那么承片台...
現華中科技大學）機械製造專業，獲工學博士學位；2000年至2001年赴英國曼徹斯特大學進行為期1年的訪問與客座研究；2002年至2005年在上海微電子裝備有限公司暨國家光刻工程技術研究中心，從事國家863重大專項“100nm解析度步進掃描投影光刻機”...
大型積體電路光刻工藝中使用的都是步進-掃描式光刻機（scanner），以及與之相配套的倍縮式掩模。在日常交流中，倍縮式掩模仍然被簡稱為掩模。表1 掩模與倍縮式掩模之間的區別 製作 掩模版本身也是一個微細加工過程。它涉及曝光、顯影...
7.3.1正性光刻和負性光刻的 概念 7.3.2光刻膠 7.3.3正性光刻和負性光刻的 優缺點 7.4光刻設備簡介 7.4.1接觸式光刻機 7.4.2接近式光刻機 7.4.3掃描投影光刻機 7.4.4分步重複光刻機 7.4.5步進掃描光刻機 7....
去離子水沖洗單元是指把光刻膠中容易釋放到水中的化學成分沖洗掉的工藝單元。隨著193nm浸沒式光刻機的廣泛使用，浸沒式曝光工藝對勻膠顯影機提出了新的要求。浸沒式光刻是在純淨水下對光刻膠進行步進-掃描式曝光，曝光後經常會有水滴...
72光刻工藝的基本步驟 73正性光刻和負性光刻 731正性光刻和負性光刻的 概念 732光刻膠 733正性光刻和負性光刻的 優缺點 74光刻設備簡介 741接觸式光刻機 742接近式光刻機 743掃描投影光刻機 744分步重複光刻機 745步進掃描光刻...