基本介紹
- 中文名:浸沒式光刻機
- 外文名:immersion scanner
浸沒式光刻機是採用折射和反射相結合的光路設計且曝光區域與光刻機透鏡之間充滿水的光刻設備。浸沒式光刻機是採用折射和反射相結合的光路設計可以減少投影系統光學元件的數目,控制像差和熱效應,實現1.35的數值孔徑NA。浸沒式光刻...
本項目針對45nm浸沒式光刻機的浸沒流場穩定性及微納氣泡控制等影響浸沒曝光質量的關鍵問題,開展了浸沒流場的流動特性、流場應力對物鏡和矽片的作用、微納氣泡形成與消亡及其對浸沒曝光缺陷的影響等方面的研究。建立了掃描運動下的浸沒流場...
是提高浸沒式光刻機整機產率的關鍵,也是浸沒式光刻機技術發展面臨的主要挑戰:掃描曝光過程中,浸沒液體與矽片之間發生高速動態潤濕行為,由於受粘性剪下作用,浸沒流場自由界面易失穩破裂,泄漏的浸沒液體將在矽片表面殘留液漬,引發曝光...
浸沒液是用來填充光刻機物鏡與晶圓空隙的液體,其具有的高反射率性質可以提高光刻機成像系統的數值孔徑以實現提升成像質量的目的。產品特點 在“乾法”光刻中,在光刻機物鏡和晶圓之間的空隙是空氣,它的反射係數為1。通過使用反射係數更...
( 6 ) 90nm光刻機照明系統多參數檢測技術研究, 主持, 國家級, 2009-07--2017-12 ( 7 ) 浸沒式光刻機照明系統多參數檢測裝置, 主持, 國家級, 2016-01--2020-12 ( 8 ) 基於微區RS和LIBS的中藥材殘留化合物與重金屬...
結合光源掩模協同最佳化(SMO)和OPC對圖形移動修正,EUV與193浸沒式的MMO可望被控制在3nm以下。啟用了曝光區域之間和曝光區域內部的高階對準修正(HOPC+iHOPC)後,ASML的193i光刻機(1950i)DCO可以達到2.0nm;3100光刻機DCO可達1.0...
孫道恆 面向納米製造的測量與組裝技術 尹周平 納米操作的研究綜述、科學問題與關鍵技術 孫立寧 榮偉彬 王樂鋒 納米製造裝備的精密定位及控制 丁漢 劉品寬 浸沒式光刻機的流體傳送與控制技術 傅新 附錄 名詞術語中英文對照 ...